摘要：近日,在中国电子科技集团公司第二研究所（简称中国电科二所）,100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。SiC单晶是第三代半导体材料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性。
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