摘要：二硫化钨（WS2）作为二维过渡金属硫族化合物（TMDs）中的一员，具有独特的光学和电子性能，引起学术界和产业界的高度关注和广泛研究。当厚层WS2转变为少层甚至单层WS2时，其能带结构由间接带隙转为直接带隙，因此可用于光电探测器，和电致发光器件等。本文采用一种处于电容放电模式（E-mode）下的温和电感耦合等离子体对WS2进行减薄。通过使用不同的RF功率密度，厚层WS2可以被快速减薄，而少层WS2可以被逐层减薄。拉曼和荧光表明，随着WS2样品被减薄，其荧光显著增强。本研究为对二维材料的可控减薄提供了新途径。

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