首页 期刊 华南理工大学学报·社会科学版 基于表面势的有机薄膜晶体管漏电流的解析模型 【正文】

基于表面势的有机薄膜晶体管漏电流的解析模型

作者:吴穹 姚若河 刘玉荣 华南理工大学电子与信息学院 广东广州510640
有机薄膜晶体管   漏电流模型   表面势   转移特性   陷阱态  

摘要:考虑到有机薄膜晶体管(OTFT)带隙中存在指数分布的陷阱态密度,提出了基于表面势的电流解析模型.在模型建立过程中,使用薄层电荷近似区分扩散电流和漂移电流;采用泰勒展开来实现表面势的解析求解,得到较高的求解精度.基于变程跳跃理论,即载流子在局域态之间的热激活特征的隧穿输运机理,解释了OTFT的转移特性和温度特性.模型计算结果与实验数据一致性好,说明该模型可适用于电路模拟器.

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