首页 期刊 功能材料与器件学报杂志 2012年第02期
功能材料与器件学报

功能材料与器件学报杂志 部级期刊

Journal of Functional Materials and Devices

杂志简介：《功能材料与器件学报》杂志经新闻出版总署批准，自1995年创刊，国内刊号为31-1708/TB，是一本综合性较强的工业期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表工业领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：热点·关注(柔性材料与器件专题)、综述·评论、研究·开发

主管单位：中国科学院
主办单位：中国材料研究学会;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
国际刊号：1007-4252
国内刊号：31-1708/TB
全年订价：¥ 172.00
创刊时间：1995
所属类别：工业类
发行周期：双月刊
发行地区：上海
出版语言：中文
预计审稿时间：1个月内
综合影响因子：0.38
复合影响因子：0.3
总发文量：707
总被引量：2538
H指数：17
引用半衰期：5.4516
期刊他引率：0.9045
平均引文率：14.6047
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分期目录

  • 掺杂Co2O3对ZnTiO3陶瓷介电性能的影响

    作者：李文虎 艾桃桃 刘艳 唐玲 刊期：2012年第02期

    研究了掺杂Co2O3对ZnTiO3陶瓷的微观结构与介电性能的影响。结果表明,掺杂的Co2O3在高温下分解生成Co2＋进入ZnTiO3晶格形成（CoxZn1-x）TiO3固溶体,有效阻止了其分解为立方尖晶石相和金红石相。当Co2O3掺杂量为x=0.1,烧结温度1050℃时,陶瓷具有优良的微波介电性能和体积密度：ε=29.8,Q=4660（f=10GHz）,τf=-60×10-6/℃,ρ=5.11g/mm3,并形成稳定...

  • 沉积条件对硅基薄膜非晶转微晶相变、沉积速率及其光电性能的影响

    作者：朱秀红 陈光华 郑茂盛 刊期：2012年第02期

    本文采用HWA-MWECR-CVD系统制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、反应压强以及微波功率对微晶硅薄膜非晶转微晶相变及其相关性能的影响。实验结果表明：当氢稀释比为94%、反应压强为1.5Pa以及微波功率为500W时,高质量的微晶硅薄膜可以被获得,如2.86＊104的高光敏性,1nm左右的沉积速率以及8.9%的光致衰退速率等。

  • PMMA分子量对其电学特性的影响

    作者：张亚军 王乐 祖帅 钟传杰 刊期：2012年第02期

    通过分析以PMMA[poly（methyl methacrylate）]为绝缘膜的MIS结构的电学特性,研究了分子量对PMMA薄膜电学特性的影响。PMMA薄膜通过旋涂溶于氯仿的20mg/ml PMMA溶液制成。PMMA薄膜厚度为220nm,临界电场超过1.8MV/cm。测量结果表明：（1）996K分子量PMMA薄膜的单位面积漏电流最小,仅有6.0×10-9/cm2。350K分子量的漏电流较大,为8.5×10-9/cm2;（2）...

  • 石墨/TiO2共混碳薄膜对电极的电学与电化学性能研究

    作者：童思超 杨兵初 周聪华 王丽丽 张亚 张峰杰 刊期：2012年第02期

    本文将石墨、TiO2纳米晶以及TiO2胶体共混,采用旋涂法制备了碳薄膜对电极,并用于组装染料敏化太阳能电池。采用场发射扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,采用四探针电阻率测试仪、电化学交流阻抗图谱及太阳能电池综合测试仪对碳对电极的电学、电化学性质以及电池的光电性能分别进行测试;研究了薄膜厚度对碳对电极导电性能与电化学催化性能的影响...

  • Sol-Gel法制备掺钛SnO2薄膜的返回特性研究

    作者：孔镇 许瀚朗 冯金垣 刊期：2012年第02期

    在常温、加温和紫外线三种环境下,通过对Sol-Gel法（溶胶凝胶法）制备成的5%、10%及15%钛掺杂SnO2薄膜在乙醇、丙酮两种气氛作用下进行气敏反应前后的光反射谱测试,研究薄膜的返回特性。研究分析表明,加温环境中钛掺杂SnO2薄膜的返回特性比常温环境中的效果要好很多,返回所需时间能从十小时缩短至五分钟。此外,紫外光照射下返回特性较好,返回时...

  • Ba2Ti9O20陶瓷流延浆料的流变性能和流延成型研究

    作者：李谦 金彪 黄金亮 马磊 刊期：2012年第02期

    以BaCO3和TiO2粉末为原料,采用固相反应法合成Ba2Ti9O20的粉体,并以此粉体为主要原料添加适量的分散剂、粘结剂及塑性剂,采用流延法制备Ba2Ti9O20陶瓷膜片。研究了不同种类和配比的溶剂、不同种类和含量的分散剂对Ba2Ti9O20流延浆料的流变特性的影响。结果表明,当选用异丙醇和甲苯（体积比为75：25）为溶剂,固含量Ba2Ti9O2054wt%,分散剂蓖麻油0....

  • 不同缓冲层对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响

    作者：肖立娟 李长山 郝嘉伟 赵鹤平 刊期：2012年第02期

    本文采用射频反应磁控溅射法在玻璃基底上分别以Al2O3和AZO为缓冲层制备ZnO：Al（AZO）薄膜,利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、紫外-可见分光光度计等方法对薄膜的结构和光电性能进行表征。XRD和SEM的分析结果表明,在Al2O3和AZO缓冲层上生长的AZO薄膜均具有较好的C轴择优取向,薄膜表面光滑平整,薄膜的结晶质量得到改善;透射光谱表明所...

  • Co3O4电化学电容电极材料的制备及性能研究

    作者：王兴磊 何晓燕 欧阳艳 刊期：2012年第02期

    利用水热法,以硝酸钴为原料,分别以碳酸氢铵、六次甲基四胺为沉淀剂,制备了Co3O4。借助X射线衍射、扫描电子显微镜手段对样品进行表征。以六次甲基四胺为沉淀剂制得的Co3O4,在6 mol.L-1KOH水溶液中,电位窗口为0～0.4V内,通过循环伏安和恒流充放电测试,显示该材料制备的电极具有良好的电容行为。充放电流在为5 mA时,单电极的比容量达到239 F.g-1,...

  • 纳米多孔硅的电化学制备及性能研究

    作者：张晓燕 夏金安 强薇 刊期：2012年第02期

    纳米多孔硅是一种潜在的化学和生物传感材料,本文采用电化学腐蚀法制备纳米多孔硅。采用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、厚度、I-V特性的影响。结果表明,多孔硅的孔隙率随着腐蚀电流密度和腐蚀时间的增加而呈线性增大趋势;其厚度随着腐蚀电流密度的增加而近似呈线性增大趋势,随腐蚀时间的成倍增加而显著增大;其I-...

  • 磁流变液减振器的磁路设计方法研究

    作者：赵丹侠 廖昌荣 刘琼 韩亮 李兴 刊期：2012年第02期

    针对传统的磁流变减振器磁场利用率不高的问题,提出了一种基于多级径向流动模式的磁流变减振器。以磁流变液作为控制介质,研究其流变学特性与磁化特性;选择相应的软磁材料,利用多项式描述其磁化特性,并辨识相应的参数。根据动态磁路设计理论,建立磁路分析模型,确定工作间隙内磁感应强度与励磁线圈激励电流的理论关系。为了验证理论推导的正确性,...

  • 生物医用多孔镁的制备及其耐蚀性能研究

    作者：田虎 连利仙 刘颖 王勋 唐颖 刊期：2012年第02期

    选用球形雾化镁粉作为原料,碳酸氢铵做造孔剂,采用粉末冶金法制备出孔径和孔隙率可控的多孔镁。研究了不同孔隙率的多孔镁在仿生体液（SBF）中的腐蚀性能,以及通过碱处理和碱热处理对多孔镁进行表面改性,以提高其在仿生体液中的耐腐蚀性。通过XRD、SEM分别对所制备的多孔镁及表面处理后样品的物相组成、微观形貌进行分析。结果表明：制备的多孔...

  • OB LDMOS器件的性能研究

    作者：唐盼盼 王颖 刊期：2012年第02期

    研究了一种具有OB（Oxide By-passed）结构的SOI LDMOS器件,分析了该器件的耐压机理以及结构特点,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进行三维数值仿真。通过仿真验证可知,该结构通过类超结（SJ）电场调制技术获得了与超结器件类似的性能,该结构与SJ LDMOS在相同的尺寸情况下尽管耐压相同,但导通电阻从3.81mΩ.cm2降低到1.96mΩ.cm2,同时克服了SJ LD-...

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