功能材料与器件学报杂志 部级期刊
Journal of Functional Materials and Devices
杂志简介：《功能材料与器件学报》杂志经新闻出版总署批准，自1995年创刊，国内刊号为31-1708/TB，是一本综合性较强的工业期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表工业领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：热点·关注(柔性材料与器件专题)、综述·评论、研究·开发
杂志简介：《功能材料与器件学报》杂志经新闻出版总署批准，自1995年创刊，国内刊号为31-1708/TB，是一本综合性较强的工业期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表工业领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：热点·关注(柔性材料与器件专题)、综述·评论、研究·开发
作者：孙振翠 曹文田 王书运 薛成山 伊长虹 刊期：2008年第05期
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜，研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响。利用红外透射谱（FTIR）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、光电能谱（XPS）和荧光光谱（PL）对生成的GaN薄膜进行组分、结构、表面形貌和发光特性分析。测试结果表明：采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN晶体膜。同时显示：...
作者：魏星 乔忠良 薄报学 陈静 张苗 王曦 刊期：2008年第05期
研究了脉冲阳极氧化工艺的特性，并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器，器件阈值电流为0．35A，斜率效率为1．12W／A，与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22％，斜率效率提高了18％。
作者：彭英才 赵新为 刊期：2008年第05期
气-液-固法（VLS）是目前生长各种准一维纳米结构的主要工艺技术。本文首先介绍了VLS的生长原理，然后以生长机制为主线，着重评论了近3—5年内它在ZnO、GaN、Si以及SiC等纳米线及其阵列合成中应用的某些新进展。最后提出了改进VLS方法的几项措施，并展望了它的今后发展趋势。
作者：杨媛 高勇 巩鹏亮 刘静 刊期：2008年第05期
在300～600K温度范围内分析并模拟了栅长为100nm的SOI（Silicon On Insulator）和SOAN（Silicon On Aluminum Nitride）MOSFETs的输出特性和有源区温度分布，得出了SOAN器件更适合高温应用的结论；针对高温应用环境，对SOAN器件结构参数及工艺参数进行优化，得出了各个参数的优化值，并使用优化后参数仿真CMOS反相器的瞬态特性，结果显示在环境...
作者：薛向尧 张平 黎海文 刘永顺 吴一辉 刊期：2008年第05期
为了实现室温、常压下聚二甲基硅氧烷（PDMS）与硅的键合，本文利用氧等离子体分别对PDMS、硅进行表面改性处理。考察了等离子体射频电源功率、处理时间、氧气流量对PDMS-硅键合强度的影响。通过优化工艺适当降低PDMS表面被氧化的程度，可使PDMS活性表面的持续时间延长至45分钟，实现了PDMS-硅在室温常压下的永久性键合。通过X-射线光电子能谱（...
作者：黄琥 栾伟玲 毛顺杰 涂善东 刊期：2008年第05期
热电型气体传感器具有广阔的应用前景。然而在设计制备过程中，通常直接选用热电综合性能较好的材料作为反馈部件，缺乏对热电性能各参数的具体研究，因此在选材上至今尚缺足够的科学依据。本文采用固相反应法和射频磁控溅射技术，分别制备了不同化学配比的Bal-x SrxPbO3（0≤x≤1）热电材料和对氢气敏感的Pt催化剂层，形成热电型氢气传感器。在...
作者：梅斌 徐刚毅 李爱珍 李华 李耀耀 魏林 刊期：2008年第05期
高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs／InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10。度，可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度，接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料。利用倒空间mapping精确得到...
作者：刘红日 王秀章 刊期：2008年第05期
用溶胶一凝胶方法在LaNiO3底电极上制备了500℃退火的BiFeO3薄膜。研究了室温下薄膜的结构，介电与铁电性质和漏电流性质。XRD研究表明薄膜呈R3m结构，没有观察到不纯相。铁电性研究表明，薄膜具有大的剩余极化强度，在600kV／cm的测试电场下，薄膜的剩余极化强度为20℃／cm^2，矫顽场为440kV／cm。介电性质研究表明，在整个测试频率范围内，薄...
作者：阎有花 刘迎春 方玲 赵海花 李德仁 卢志超 周少雄 刊期：2008年第05期
摘要：采用电沉积一硫化法制备了CuInS2（CIS）薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和能谱仪（EDS）等实验手段对CIS薄膜的晶体结构、形貌和，组分进行了表征。结果表明：在500～560℃硫化温度范围内制备的CIS薄膜表面均生成金属性Cu2S二元相，后续的KCN刻蚀处理CuxS二元相可去除。硫。化温度为540℃制得的CIS薄膜高质量结晶、具有...
作者：苏鼎 张万里 蒋洪川 汤如俊 彭斌 刊期：2008年第05期
采用直流磁控溅射方法在柔性Kapton基片上沉积了FeCoSiB薄膜，研究了偏置磁场、溅射气压以及测试频率对薄膜应力阻抗效应的影响规律。结果表明，本文中优化的溅射气压为1．5Pa，强的偏置磁场可形成强的横向各向异性，从而显著提高材料的应力阻抗效应。随着测试频率从0．1MHz升高到30MHz，薄膜的应力阻抗效应显著增强。
作者：闫丹 吴平 邱宏 俞必强 赵云清 张师平 吕反修 刊期：2008年第05期
采用射频磁控溅射法在氧氩比为0．2的混合气氛中，分别在室温、100℃、200012、250℃、300％、350％和400℃温度下，在P—Si（100）衬底上制备了HfO2薄膜，并用SEM、XRD和AFM研究了衬底温度与薄膜沉积速率对微结构的影响。结果表明：随着衬底温度的增加，薄膜沉积速率呈减小趋势。室温沉积的HfO2薄膜为非晶态，当衬底温度高于100℃，薄膜出现单...
作者：方志丹 崔碧峰 黄社松 倪海桥 邢艳辉 牛智川 刊期：2008年第05期
通过优化分子束外延生长条件，得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs／GaAs量子点。使用极低的InAs生长速率（0．001单层／秒）可以把量子点的密度降低到4×10^6cm^-2。这些结果使得InAs／GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中。
作者：徐国敏 赵高扬 张卫华 邓小翠 谭红 何力 刊期：2008年第05期
应用基于原子力显微镜与铁电分析仪联用的方法，在无顶电极的情况下，直接测试了PZT微阵列格点的电滞回线。结果表明，应用铁电分析仪与原子力显微镜联用的测试技术能够表征铁电电容的电滞回线，并且可以定性地评价薄膜微电容的铁电特性。
作者：李睿 王俊 孔蔚然 马惠平 浦晓栋 莘海维 王庆东 刊期：2008年第05期
本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理。通过纳米探针测量，发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致。TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大，这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻。我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽。
作者：蔡小五 海潮和 王立新 陆江 刘刚 夏洋 刊期：2008年第05期
为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况，用Co-60源对Power MOSFET进行了总剂量的辐照实验，移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况，通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况。研究结果表明：在1000krad（Si）辐照下器件开启电压漂移...
影响因子：0.91
期刊级别：北大期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.16
期刊级别：省级期刊
发行周期：双月刊
影响因子：0.61
期刊级别：北大期刊
发行周期：月刊
影响因子：1.2
期刊级别：省级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：1.75
期刊级别：北大期刊
发行周期：月刊
影响因子：0.37
期刊级别：省级期刊
发行周期：月刊
影响因子：1.71
期刊级别：统计源期刊
发行周期：半月刊
影响因子：--
期刊级别：部级期刊
发行周期：月刊
影响因子：0.62
期刊级别：北大期刊
发行周期：双月刊
影响因子：0.95
期刊级别：北大期刊
发行周期：月刊
影响因子：0.35
期刊级别：北大期刊
发行周期：月刊
影响因子：0.3
期刊级别：省级期刊
发行周期：月刊