首页 期刊 功能材料与器件学报 不同沉积工艺下Au/P—CdZnTe接触界面的研究 【正文】

不同沉积工艺下Au/P—CdZnTe接触界面的研究

作者:秦凯丰; 桑文斌; 钱永彪; 闵嘉华; 滕建勇 上海大学材料科学与工程学院; 上海200072
cdznte   接触界面  

摘要:采用超声波扫描(SAM)、俄歇电子能谱分析技术(AES)、电极粘附力测试和I-V特性测试等方法研究了化学沉积、溅射和真空蒸发三种不同沉积工艺条件下Au/p—CdZnTe接触界面的各种特性。通过实验结果可以看出,化学法沉积的Au电极能形成较好的欧姆接触特性,但其操作工艺不容易控制,电极接触层均匀性较差,在器件使用过程中,容易引起电极的退化;溅射沉积的Au电极有着较好的附着力,但对CdZnTe表面的损伤较大,欧姆接触特性较差;真空蒸发法沉积的Au电极,有着较好的欧姆接触特性,且其电极接触层也较为均匀,只是电极附着力相对较小,但可以通过合适的退火工艺进行改善。

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