功能材料与器件学报

功能材料与器件学报杂志 部级期刊

Journal of Functional Materials and Devices

杂志简介:《功能材料与器件学报》杂志经新闻出版总署批准,自1995年创刊,国内刊号为31-1708/TB,是一本综合性较强的工业期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表工业领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:热点·关注(柔性材料与器件专题)、综述·评论、研究·开发

主管单位:中国科学院
主办单位:中国材料研究学会;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
国际刊号:1007-4252
国内刊号:31-1708/TB
全年订价:¥ 172.00
创刊时间:1995
所属类别:工业类
发行周期:双月刊
发行地区:上海
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.38
复合影响因子:0.3
总发文量:707
总被引量:2538
H指数:17
引用半衰期:5.4516
期刊他引率:0.9045
平均引文率:14.6047
  • I-型锗基笼形物——极有希望的热电材料

    作者:蔡克峰 刊期:2004年第02期

    对I-型锗基笼形物的制备、晶体结构特别是热电性能等研究现状做了综述。I-型锗基笼形物半导体是具有“声子玻璃、电子晶体”特性的热电材料。它具有笼子状的晶体结构,这种独特的框架结构决定了其具有良好的电性能,而通过填充合适的碱土金属或稀土金属原子到其笼子状的空隙中则可以大大降低体系的热导率,因而是很具希望的热电材料体系。要进一...

  • 氧分压对RF磁控溅射ZrO2薄膜生长特性的影响

    作者:马春雨; 李智; 李勇; 张庆瑜 刊期:2004年第02期

    采用反应射频(RF)磁控溅射法在n型(100)单晶Si基片上沉积了ZrO2薄膜,研究了氧分压与ZrO2薄膜的表面粗糙度和沉积速率、SiO2中间界层的厚度以及ZrO2薄膜的折射率之间关系.结果表明:随着氧分压增高,薄膜的沉积速率降低,表面粗糙度线性地增加;在低的氧分压情况下,Si基片表面的本征SiO2层的厚度增加幅度较小,在高的氧分压情况下,Si基片表面的本征SiO...

  • 离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光

    作者:张昌盛; 肖海波; 王永进; 陈志君; 程新利; 张峰 刊期:2004年第02期

    利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化.试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中.通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降...

  • ECR-CVD制备的SiOx/a-C:F/SiOx多层膜的结构与介电性质

    作者:陈军; 辛煜; 许圣华; 宁兆元; 陆新华 刊期:2004年第02期

    使用80%Ar稀释的SiH4,O2,CHF3和CH4作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiOx/a-C:F/SiOx多层膜.傅里叶变换红外测试结果表明了多层膜中存在大量的C-F,C=C,Si-O键,同时由于器壁的吸附效应,膜中还存在少量的Si-C和Si-F键,这些键的存在从x射线光电子能谱的深层剖析结果得到了证实.热退火的结果表明了薄膜的...

  • O2气流量对MOCVD法生长ZnO薄膜性质的影响

    作者:马艳; 杜国同; 杨树人; 李正庭; 李万成; 杨天鹏; 张源涛; 赵佰军; 杨小天; 刘大力 刊期:2004年第02期

    采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜.同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小.PL谱分析表明:随O2气流量加大,带边峰明显增强,深能...

  • 薄膜厚度对多层膜巨磁阻抗效应的影响研究

    作者:周勇; 丁文; 陈吉安; 高孝裕; 王明军; 张亚民 刊期:2004年第02期

    采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在100kHz~40MHz范围内研究了FeSiB薄膜厚度对FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应的影响.当磁场施加在薄膜的纵向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.当FeSiB薄膜的厚度为1.8μm时,在频率3.2MHz、磁场2.4kA/m时,多层膜...

  • 沉积温度对a-C:F薄膜结构与热稳定性的影响

    作者:陈玲玲; 程珊华; 宁兆元; 辛煜 刊期:2004年第02期

    在不同的沉积温度下,利用CHF3和C2H2为气体源,在微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)系统中制备了氟化非晶碳(a-C:F)薄膜,为了研究其热稳定性,薄膜在500℃的真空中作了退火处理.测量了退火前后其电学、光学性质的变化,使用FTIR、Raman、XPS方法考察了其结构随沉积温度的变化,分析了性质同结构之间的关联.结果表明,在高的沉积温度下制...

  • 螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜结构特性

    作者:于威; 朱海丰; 王保柱; 韩理; 傅广生 刊期:2004年第02期

    采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术,以SiH4作为源反应气体在Si(100)和玻璃衬底上制备了纳米Si薄膜.通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)对所制备的材料结构和形貌等特性进行表征,分析了纳米Si薄膜结构随衬底温度变化的规律.实验结果表明,在较低的衬底温度(100-300℃)范围内,可以实现高晶化度纳米Si薄膜的沉积,颗粒大小...

  • 热处理对金红石型TiO2光催化性能的影响

    作者:陈顺利; 刁训刚; 张俊英; 王天民 刊期:2004年第02期

    研究了纳米金红石型TiO2经空气和氨气气氛热处理后其光催化性能的变化.利用UV-VIS分光光度计,X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等技术对热处理前后的样品进行了表征.结果表明:在紫外和可见光照射下,NH3中525℃热处理和空气中600℃热处理所得样品的光催化性能比未经处理的样品分别提高了30%和60%.样品在热处理前后晶体结构和晶粒大小都未发...

  • 非线性光学晶体MnHg(SCN)4(C2H6SO)2的热学和光学性质的测定

    作者:程秀凤; 王新强; 许东 刊期:2004年第02期

    制备了一种新型非线性光学晶体:二甲亚砜合硫氰酸汞锰(分子式:MnHg(SCN)4(C2H6SO)2,简称MMTD).用热重法、差热分析法、差示扫描量热法、热机械分析法、分光光度法和红外光谱研究了它的热学和光学性质.MMTD晶体具有较好的物理化学稳定性.在27℃时,它的比热为699.5 J/mol·℃.晶体的热膨胀系数为α1=5.33×10-5/℃,α2=4.51×10-5/℃,α3=3.10×10-5/℃.M...

  • 粘结Sm-Dy-Fe合金的磁致伸缩性能研究

    作者:李淑英; 王博文; 闫荣格; 曹淑瑛; 翁玲 刊期:2004年第02期

    采用粘结法制备了Sm1-xDyxFe2合金样品,测量了粘结合金样品的静态磁致伸缩、动态磁致伸缩系数、增量磁导率和磁-机械耦合系数,研究了磁致伸缩性能等随磁场H的变化规律.发现当x<0.12时合金的低场磁致伸缩随x的增加而增加,高场磁致伸缩随x的增加而降低.棒状Sm0.88Dy0.12Fe2合金在H=200 kA/m时的磁致伸缩达405×10-6,磁-机械耦合系数和动态磁致伸缩...

  • Ti掺杂对La0.67Ba0.33MnO3磁性和磁电阻影响

    作者:原晓波; 刘宜华; 黄宝歆; 王成建; 张汝贞; 梅良模 刊期:2004年第02期

    系统地研究了Ti掺杂对La0.67Ba033MnO3颗粒材料磁性、电性和磁电阻效应的影响,随着Ti含量的增加,材料的磁化强度和居里温度快速下降,电阻率急剧增大,电阻率的峰值逐渐向低温移动.Ti的掺杂对材料低温下低场磁电阻影响不大,主要是显著提高了材料的本征磁电阻.1%的Ti掺杂使材料的室温磁电阻得到显著增强,1T磁场下,室温磁电阻达到-8.4%,比未掺杂的La...

  • 镍酸镧导电薄膜的热处理制度与电性能研究

    作者:陆维; 郑萍; 孟中岩 刊期:2004年第02期

    研究了镍酸镧(分子式LaNiO3,简称LNO)导电薄膜的制备,及其与性能之间的关系.实验结果表明热处理制度和热处理过程中通氧是LNO薄膜获得良好电性能的关键.实验发现LNO薄膜在退火温度550℃时就已经晶化,并且随着退火温度的升高,薄膜电性能也随之提高,但是当温度高于860℃后,LNO薄膜发生了结构相变并伴有NiO的析出,因此导致了薄膜电阻率的升高.较短...

  • Bi2O3对堇青石基玻璃性能的影响

    作者:陈国华; 刘心宇 刊期:2004年第02期

    研究了Bi2O3的掺入量和热处理制度对微晶玻璃的烧结和介电性能的影响.结果表明:Bi2O3的加入和提高热处理温度有效促进了堇青石基微晶玻璃的烧结致密化.烧结样品的介电常数和介质损耗因子是由存在的晶体结构和致密化程度所决定的.样品的介质损耗因子随烧结温度的增加而减少,与样品的气孔率变化曲线相似.950℃以下,随着温度的增加,样品的介电常数...

  • 微条气体室基板研究

    作者:杨莹; 夏义本; 王林军; 张明龙; 汪琳; 苏青峰 刊期:2004年第02期

    提出采用金刚石膜/硅复合材料作为MSGC基板的可行性.采用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)技术和相关退火工艺获得了金刚石膜/硅复合材料,并采用SEM、Raman光谱仪、微电流仪对复合材料的表面状况、结构、I-V和C-F特性进行了表征.结果表明,该复合材料经抛光后表面平整,退火后电阻率达2.9×10 10Ω·cm,电容值小且频率变化稳定,均满足MSGC对基板材料的要...