摘要：在传统终端存储架构中,DRAM内存普遍存在静态刷新功耗高、存储密度难以提升等问题;基于NAND flash的外存也因其与CPU之间巨大的性能差异而成为制约终端系统性能提升的重要瓶颈。新型非易失存储器(Non-volatile Memory,NVM)具有静态功耗低、读写速度与DRAM相近、可按字节访问、非易失等优势,为解决传统存储架构存在的问题提供了希望。本文面向嵌入式系统,提出了基于DRAM+NVM混合内存结构及其存储管理方案。采用目标程序在混合内存中进行选择性分配的方法,克服NVM写功耗高,写速度慢的不足,使具有不同读写特征的段分配到不同的存储器中,使内存系统功耗较传统DRAM内存平均降低45.2%;提出了非易失缓冲区,将外存中的常用数据存储在缓冲区中,使外存访问时间较无缓冲区的情况平均降低56.0%。

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