首页 期刊 电子工业专用设备 离子注入技术现状与发展趋势 【正文】

离子注入技术现状与发展趋势

作者: 《电子工业专用设备》编辑部
32   nm节点器件   漏电流控制   超浅结注入   大束流低能注入  

摘要:离子注入制程已成为器件设计的最前端工作.现在更被视为实现32nm和22nm晶体管制程的推动要素。器件漏电流、浅结面制作,器件尺寸缩小,以及急速增加成本的挑战,正在限制摩尔定律的延伸。针对32nm节点离子注入制程器件的工艺要求.介绍了离子注入设备的发展方向。

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