首页 期刊 电工电能新技术 基于GaN HEMT的高效率、高功率密度LLC谐振变换器的设计 【正文】

基于GaN HEMT的高效率、高功率密度LLC谐振变换器的设计

作者:李媛; 马红波; 柯玉连 西南交通大学电气工程学院; 四川成都611756
高效率   高功率密度   llc谐振变换器   氮化镓   同步整流  

摘要:氮化镓器件凭借开关速度快、导通电阻小等优势,可使开关电源在高频率工作时兼顾转换效率。同时,开关频率的提高可以减小系统无源元件的体积,进而提高变换器的功率密度。LLC谐振变换器因其本质的软开关特性,可以实现原边开关管零电压导通及副边整流管零电流关断,可进一步降低系统高频工作时的开关损耗,提升变换器的效率。以IEEE IFEC 2017的要求为指标,在对LLC谐振变换器进行谐振参数优化的基础上,采用GaN HEMT作为原边开关管,结合同步整流技术和平面变压器技术,研制了一台360~400V输入,750W/12V输出的LLC谐振变换器原理样机,整体功率密度达8.27W/cm3,最高效率为96.23%。实验结果验证了设计方案的可行性和先进性。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

学术咨询 免费咨询 杂志订阅