摘要：日本三菱电子公司研发出碳化硅（SiC）MOSFET新结构,在因短路而出现过流时,不再需要高速保护电路来阻断电压,更好满足高能效、小尺寸等领域应用需求。需求背景半导体功率器件是功率电子设备的重要组成部分,广泛用于家用电器、工业机械和轨道交通等众多领域。功率电子设备中的短路能够在半导体功率器件中引起非常大的过流,进而带来损害或引发器件失效。

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