首页 期刊 半导体信息 日本丰田中央研究所成功开发高品质的SiC单晶 【正文】

日本丰田中央研究所成功开发高品质的SiC单晶

作者:孙再吉
日本丰田   sic   中央研究所   位错密度   电特性  

摘要:<正>据《Semiconductor FPD World》2004年第10期报道,日本丰田中央研究所成功开发了超高品质的SiC单晶。位错密度是1/100~1/1000。 SiC半导体具有优异的物理特性和电特性,期望应用于下一代大功率、超低损器件。然

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