摘要:<正>据《Semiconductor FPD World》2004年第10期报道,日本丰田中央研究所成功开发了超高品质的SiC单晶。位错密度是1/100~1/1000。 SiC半导体具有优异的物理特性和电特性,期望应用于下一代大功率、超低损器件。然
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
热门期刊服务
相关文章
影响因子:--
期刊级别:部级期刊
发行周期:双月刊