摘要：研究了Statz模型对于表征射频(RF)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件特性的适用情况,并提出了一个MOSFET非线性电容改进模型。对英飞凌公司生产的规格为4×0.6μm×18(栅指数×栅宽×元胞数)、栅长为90 nm的MOSFET进行S参数实验测量。经过去嵌剥离所有寄生元件后,在多个偏置条件下分别使用小信号等效电路模型提取出MOSFET非线性栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd的数据;对比了传统Statz模型以及改进模型的仿真结果与实验测量数据的相对误差。仿真结果和误差分析表明改进模型与实验测量数据吻合很好,在大部分工作范围内误差控制在5%以下,证明改进模型适用于表征MOSFET的非线性电容特性。

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