摘要：存储器的软错误直接关系到产品的可靠性，为比较3种器件的抗软错误能力，实验测量了3种静态存储器（SRAM）的单粒子翻转错误数，计算了单粒子翻转截面和失效率。从单粒子翻转截面角度讲，A166M器件抗α粒子的能力最好，其次为B166M，最差是B200M。从失效率的角度讲，B166M的平均失效率比B200M的小，且两者都比A166M的小。

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