首页 期刊 信息周刊 二氧化钒薄膜磁控溅射法制备及其应用 【正文】

二氧化钒薄膜磁控溅射法制备及其应用

作者:蔡成凤; 袁坤 武汉纺织大学电子与电气工程学院
vo2   相变   磁控  

摘要:钒(V)是一种VB族过渡金属元素,形成化合物时常表现为+2、+3、+4、+5价,由于不同价态钒的物相晶格结构不同,钒的几种氧化物的性能差异都比较大。因VO 2 具有热致相、光致相变、电致相变等多种激励方式,且光学、电学性能突出,从众多相变材料中脱颖而出。VO 2 的相变温度为68℃,其相变温度比其他钒的氧化物最接近室温,因此成为近几年的主流研究对象。随着VO 2 从低温半导体态相变为高温金属态,光学特性上表现为高透过率突变为高反射率,电学特性上表现为电阻率较高突变为电阻率极低,因此可广泛用于光存储器件、光电开关、激光防护、智能控温材料等领域。本文主要讲述二氧化钒的性质、用磁控制备VO 2 薄膜的方法以及其应用前景。

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