首页 期刊 机械工程材料 集成电路用铜-镍-硅合金的动态再结晶行为 【正文】

集成电路用铜-镍-硅合金的动态再结晶行为

作者:范莉 刘平 贾淑果 陈少华 于志生 河南科技大学材料科学与工程学院 河南洛阳471003 中铝洛阳铜业有限公司板带分厂 河南洛阳471003
动态再结晶   物理热模拟  

摘要:用Gleeble-1500D热模拟试验机对铜-镍-硅合金在应变速率0.01~5s^-1、变形温度600~800℃压缩条件下的流变应力及其动态再结晶行为进行了研究。结果表明:应变速率和变形温度对合金的动态再结晶行为影响较大,变形温度越高,应变速率越小,合金越容易发生动态再结晶;利用Arrhenius双曲正弦函数求得铜-镍-硅合金的热变形激活能为245.4kJ·mol^-1;得到的Zener-Hollomon指数函数形式为ε=e^28.47[sinh(0.013σ)]^5.52exp[-245.4×10^3/(RT)]。

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