首页 期刊 黑龙江大学工程学报 分子束外延生长高速直接调制1.3μmInAs/GaAs量子点激光器 【正文】

分子束外延生长高速直接调制1.3μmInAs/GaAs量子点激光器

作者:杨涛 季海铭 徐鹏飞 中国科学院半导体研究所 北京100083
直接调制   量子点激光器   分子束外延  

摘要:介绍了分子束外延生长高速直接调制1.3μmInAs/GaAs量子点激光器。通过对量子点的生长温度和堆叠层数的优化研究,外延并制作了有源区包含5层InAs/GaAs量子点的1.3μm脊型波导边发射激光器。输出特性测试结果表明,条宽4μm、腔长600μm的量子点激光器室温阈值电流仅为5mA,激射中心波长位于1293nm,并且可以在10-100℃范同内实现连续激射。大信号调制眼图测试表明,激光器在25℃下可以实现12Gb/s眼图的清晰张开。

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