摘要：采用垂直布里奇曼法生长的CdZnTe（CZT）单晶，制备出单平面探测器。在210～300K温度范围内，测试了不同外加偏压作用下探测器的漏电流，并计算了低压下CZT的体电阻率。同时，在不同电场作用下，测试了CZT探测器对未经准直的241Am@5．48MeVa粒子脉冲响应信号的上升时间，计算出电子迁移率为1360cm2／v-1 s-1，并进一步推算出电子寿命随温度的变化规律。在220～300K温度范围内，对比了CZT探测器对-241Am@59．5keV γ射线的能谱响应结果，分析了载流子传输特性及器件性能随温度的变化规律。结果表明，在298～253K温度范围内，降低温度可以提高晶体的体电阻率，减少探测器工作时的漏电流，进而提高探测器的能量分辨率；但当温度低于253K时，电子寿命r。加剧减小，此时由上升时间起伏而引起的全能峰的展宽不能被忽略，导致探测器性能恶化。

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