首页 期刊 电子元件与材料 中高压电子铝箔腐蚀系数的研究 【正文】

中高压电子铝箔腐蚀系数的研究

作者:班朝磊; 何业东 北京科技大学; 北京市腐蚀、磨蚀与表面技术重点实验室; 北京100083
电子技术   腐蚀系数   电蚀   电子铝箔   铝电解电容器  

摘要:分析比较了基于矩形凹槽模型、圆孔隧道模型、正立方孔隧道模型计算出的中、高压电子铝箔腐蚀系数与KDK公司(H100)形成箔实际腐蚀系数的关系.结果表明:中、高压电子铝箔真实理论极限腐蚀系数应介于正立方孔-圆孔理论极限腐蚀系数之间.中压电子铝箔(220~485 V)通过电蚀扩面提高化成箔比电容余地还很大,高压电子铝箔(>485 V)的实际腐蚀系数与理论极限腐蚀系数已经很接近,通过电蚀扩面提高比电容的余地较小.

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