低温物理学报

低温物理学报杂志 统计源期刊

Chinese Journal of Low Temperature Physics

杂志简介:《低温物理学报》杂志经新闻出版总署批准,自1979年创刊,国内刊号为34-1053/O4,是一本综合性较强的科学期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表科学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:研究论文、研究快报、技术应用及交叉学科研究论文

主管单位:中国科学院
主办单位:中国科学技术大学
国际刊号:1000-3258
国内刊号:34-1053/O4
全年订价:¥ 408.00
创刊时间:1979
所属类别:科学类
发行周期:双月刊
发行地区:安徽
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.12
复合影响因子:0.15
总发文量:926
总被引量:1474
H指数:12
引用半衰期:3.125
立即指数:0.0241
期刊他引率:0.6552
平均引文率:13.2651
  • 无序CuZr和CuY合金的电阻和磁电阻

    作者:李燕飞; 桂太龙; 徐小龙 刊期:2005年第04期

    以熔化-旋转法制备了Cu70Zr30和Cu100-xYx( x = 28, 67)非晶带试样并在1~300 K温度范围内测量了电阻和磁电阻随温度变化的规律.非晶Cu70Zr30电阻率ρ(T)的温度系数(TCR)在整个测量温区内都是负值,并且在两个不同的温区表现出-T1/2行为.对于类似的Cu100-xYx合金系统,在1~200 K温区内也做了同类测量.在低温1~4 K, 两个不同的无序系统CuZr和CuY的...

  • MgB2超导体参量的理论研究

    作者:沈东星; 孙爱民; 边海琴; 田翠锋 刊期:2005年第04期

    在各向同性的双带GL理论的框架内,研究了块体MgB2的一些超导态参量:包括关联长度ξ(T),临界Cooper对速度υc(T),London穿透深度λ(T)以及临界电流密度jc(T)随温度的变化关系;并将穿透深度λ(T)和临界电流密度jc(T)的理论计算结果和实验数据作了比较,符合得较好.

  • 用于微波滤波器的Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜

    作者:阎少林; 方兰; 赵新杰; 何明; 路荣涛; 路昕; 周铁戈; 贾颖新; 王建伟 刊期:2005年第04期

    本文报导用磁控离子溅射和后热处理方法在LaAlO3(001)衬底上制作2英寸双面Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212) 超导薄膜的方法和薄膜的特性.XRD测试表明薄膜具有纯的Tl-2212相和c轴垂直于膜面的织构.衬底两侧薄膜的结晶形貌和超导电性均匀,超导转变温度Tc一般为105 K左右,液氮温度下临界电流密度Jc>2×106A/cm2,10GHz频率下表面电阻最小达到350μΩ,可满足超导...

  • 在MgO衬底上制作Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜

    作者:路昕; 阎少林; 赵新杰; 方兰; 何明; 左涛; 曾立山; 周铁戈; 路荣涛; 陈国鋕 刊期:2005年第04期

    在MgO衬底上,利用共蒸发方法制备DyBa2Cu3O7作为缓冲层,再利用磁控溅射和后处理方法,制备了Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜.X射线衍射θ~2θ及φ扫描结果表明Tl-2212薄膜、Dy-123薄膜与衬底MgO呈外延生长关系.制备的Tl-2212薄膜Tc=105.5K,液氮温度下临界电流密度Jc=2.5×106A/cm2.

  • 超导薄膜表面电阻测量新方法

    作者:张旭; 阎少林; 孙冬艳; 冯洪辉; 何明; 方兰 刊期:2005年第04期

    本文报导一种测量高温超导薄膜微波表面电阻的新方法和测试装置.通过对加载两个不同蓝宝石的同一谐振腔进行测试,可以得到测试样品以外所有其它损耗对应的Q值.根据电磁场分布计算出谐振腔的结构参数G.用网络分析仪测量出谐振腔的无载Q值,便可计算出超导薄膜的微波表面电阻Rs.测量过程中既不会损伤超导薄膜样品,同时可以实现单片超导薄膜表面电阻...

  • 基于高温超导本征约瑟夫森效应的新型两端恒流器件

    作者:周铁戈; 阎少林; 方兰; 李永刚; 路昕; 赵新; 杰何明 刊期:2005年第04期

    我们利用高温超导本征约瑟夫森效应,研制了一种超导薄膜两端恒流器件.恒流器件是将生长在斜切20度LaAlO3基片上的Tl-2212超导薄膜光刻成微桥得到的.对于6μm×8μm的微桥器件,其最高工作电压可达15V以上,当两端电压在1V~11V之间变化时,电流基本稳定在4.3mA,误差不超过±5%,动态内阻大于104 Ω,在最佳工作位置(3V~8V)动态内阻可以达到105 Ω.通过数字...

  • PLD法制备PZT-YBCO结构的铁电薄膜的研究

    作者:吴平; 彭润玲; 符欣 刊期:2005年第04期

    本文利用脉冲准分子激光在LaAlO3单晶基片上淀积了YBCO和Zr/Ti为94/6的PZT铁电薄膜,并通过高频溅射将Pt蒸镀在PZT薄膜上作为上电极;用X射线衍射表征了该多层膜的晶相结构,测量了PZT的铁电性能和介电特性,讨论了PZT/YBCO薄膜的制备工艺,以及工艺条件对晶相结构和薄膜性能的影响.

  • CMOS电路低温特性及其仿真

    作者:周鹏; 冯一军 刊期:2005年第04期

    本文采用0.25微米工艺制备了CMOS器件和电路,通过对300K、77K和4K温度下器件和电路特性的测量,研究了工作温度降低对CMOS电路特性的影响.通过讨论MOSFET器件和互连线主要特性参数随温度的变化情况,修改了常温CMOS BSIM3模型以及互连线参数,建立了77K、4K温度下的低温电路仿真模型.利用上述新建立的低温电路仿真模型对CMOS电路进行仿真,并将仿真...

  • 过渡金属离子掺杂对La1.2Ca1.8Mn2O7输运性质的影响

    作者:陈春霞; 章建辉; 钱天; 周桃飞; 李慧玲 刊期:2005年第04期

    研究了过渡金属元素掺杂对层状钙钛矿结构锰氧化物La1.2Ca1.8Mn2O7体系输运性质的影响.实验结果表明不同过渡金属离子掺杂均导致体系的金属-绝缘转变温度降低,电阻率与最大磁电阻值(Cr除外)增加.当掺杂量较高时,磁性Cr、Fe、Co、Ni离子对体系性质的影响与其磁性相互作用密切相关.

  • TFA-MOD方法制备YBCO超导薄膜研究

    作者:崔旭梅; 陶伯万; 陈家俊; 李言荣; 刘兴钊 刊期:2005年第04期

    采用TFA-MOD方法在LaAlO3(001)单晶基片上制备了性能良好的YBCO超导薄膜:临界电流密度(Jc)可达3MA/cm2(77K,0T),超导转变温度Tc≈90K,转变宽度ΔTc=0.5K,其一次涂层厚度达338nm.通过X射线衍射(XRD)分析表明YBCO具有纯c-轴取向、无a-轴取向的晶粒存在.ω扫描分析表明该YBCO薄膜具有很好的面外外延性,其摇摆曲线的半高宽(FWHM)为0.653°. 用SEM分析也...

  • 一种宽带高温超导微带天线的研究

    作者:刘淑芳; 刘少东; 官伯然 刊期:2005年第04期

    为提高辐射效率和扩展工作带宽,对一种口径耦合馈电的多层介质高温超导微带天线进行了设计.设计时首先利用高温超导体低表面电阻的特性,通过在馈电网络部分引入高温超导材料的方法提高了天线的辐射效率,然后针对高温超导微带天线衬底介电常数过高,导致天线带宽过窄的问题,在天线的结构上增加了一层真空衬底,降低了天线的平均介电常数,同时,为进...

  • 顶端加载、温度范围在300~1.4K的多功能交流测量恒温器

    作者:樊洁; 宋小会; 景秀年; 李山林; 张殿琳 刊期:2005年第04期

    本文介绍了一台用于交流小讯号测量的低温恒温器.利用内液池减压,最低温度可达1.370K,并且在测量功率为0.15mW时,内液池液氦可以维持样品温度在1.4K达20小时以上.系统装置了在8T的背景磁场内最高可达0.18T的交变调制场,从而可以实现利用双交流法精细测量磁阻或霍耳系数随磁场变化的函数关系.试验结果表明,此恒温器具有低液氦蒸发量和可从1.3~30...

  • Bi2212单晶本征钉扎的不可逆线

    作者:冯双久; 李广; 李晓光 刊期:2005年第04期

    通过输运测量得到了磁场垂直于晶体c轴时Bi2212单晶的不可逆线,发现在2 T附近发生变化趋势的改变,表明Josephson涡旋物质在此处可能存在相变或渡越行为.采用涡旋弯折扩展模型,分别讨论了低场/高温和高场/低温区域的不可逆线的表达式,并采用这些表达式很好拟合了实验得到的对应区域的不可逆线.

  • CDMA移动通信系统用高温超导滤波器的研制

    作者:季来运; 陈勤文; 陈国鋕; 高海霞; 孙钧; 陈月云 刊期:2005年第04期

    研制了一种基于CDMA移动通信系统接收频段的高温超导滤波器,滤波器的电路芯片采用蒸镀于2英寸0.5mm MgO基片上的双面DyBa2Cu3O7高温超导薄膜,设计制作的滤波器中心频率为830MHz,通带宽度为10MHz,最终滤波器的工作温度为70K,各项技术指标均满足了CDMA系统的要求.

  • 9.7GHz高频窄带高温超导滤波器设计

    作者:胡益华; 曹必松; 魏斌; 张晓平 刊期:2005年第04期

    本文设计了一种高频窄带高温超导微带滤波器,使用Sapphire基片上的双面YBCO高温超导薄膜,中心频率约为9.7GHz,相对带宽约为1.2%.电磁分析软件Sonnet的设计结果表明,滤波器带外抑制超过90dB,带内波纹小于0.12dB,基片尺寸为32.74mm×8.72mm.