首页 期刊 中兴通讯技术 多维复用硅基集成光子器件 【正文】

多维复用硅基集成光子器件

作者:储涛; 郭德汾; 吴维轲 浙江大学; 浙江杭州310027; 中国科学院半导体研究所; 北京100083
偏振控制   硅光器件  

摘要:从波长、模式、偏振几个维度的复用/解复用和路由出发,分别提出了新颖的器件设计方法并制作了相应的硅基光子器件,包括:阵列波导光栅器件(AWG)/刻蚀衍射光栅器件(EDG)、模式分离合束器件、偏振分离耦合光栅、偏振分离/分离旋转器件。AWG可以采用一步刻蚀简单工艺制作形成,EDG插损得到大幅降低,模式分离器件带宽增大,插损也得到降低,偏振分离耦合光栅的耦合效率得到有效提升,偏振分离/旋转器件的插损和带宽也被显著改进。以上器件全部符合互补金属氧化物半导体(CMOS)-180nm工艺标准,这些器件的研制工作为多维度光波复用/解复用处理及传输提供了先进的器件技术保障。

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