真空科学与技术学报

真空科学与技术学报杂志 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊

Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

杂志简介:《真空科学与技术学报》杂志经新闻出版总署批准,自1981年创刊,国内刊号为11-5177/TB,是一本综合性较强的工业期刊。该刊是一份月刊,致力于发表工业领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:综述评述、研究快报、研究论文

主管单位:中国科学技术协会
主办单位:中国真空学会
国际刊号:1672-7126
国内刊号:11-5177/TB
全年订价:¥ 700.00
创刊时间:1981
所属类别:工业类
发行周期:月刊
发行地区:北京
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.53
复合影响因子:0.43
总发文量:2514
总被引量:9677
H指数:21
引用半衰期:4.2318
立即指数:0.0045
期刊他引率:0.4178
平均引文率:15.5495
  • 大气压等离子体射流改性船体钢表面亲水性研究

    作者:李洪霞 刘峰 王佳 李相波 刊期:2012年第04期

    在室温下,采用大气压等离子体射流对船体钢进行表面改性,通过水接触角测量、扫描电镜、X射线光电子能谱等分析测试方法研究了等离子体射流处理前后船体钢表面润湿性、表面形貌及化学特性的变化。研究结果表明,船体钢经大气压空气等离子体射流处理后在其表面引入了大量含氧基团,处理2s表面的水接触角就可以降到30°以下;处理后材料表面的亲水性受...

  • 超导托卡马克EAST限制器材料的腐蚀与沉积的研究

    作者:闫洪一 龚先祖 李建刚 W. R. Wampler Richard Pitts 刊期:2012年第04期

    在磁约束聚变实验装置托卡马克中,第一壁材料直接面对高温等离子体,承受高能粒子的轰击。随着聚变装置等离子体存在时间的延长及辅助加热功率的增加,第一壁材料腐蚀和沉积将会越来越严重。材料的腐蚀一方面会污染等离子体影响聚变等离子体的品质,另一方面将危害装置的安全运行。为了提高材料的物理和化学溅射阈值,超导托卡马克东方超环(EAST)...

  • 伴有二次电子发射的磁化等离子体鞘层结构特性

    作者:赵晓云 刘金远 段萍 李世刚 刊期:2012年第04期

    建立了包括电子、离子以及器壁发射二次电子的磁化等离子体鞘层流体模型,采用四阶龙格库塔法数值研究了伴有二次电子发射的磁鞘结构特性。模拟结果显示二次电子发射对于弱磁等离子体鞘层中的离子密度影响较大,而对于磁场较强的等离子体鞘层,鞘层中离子密度分布主要由磁场来决定。磁场的存在可以促进器壁电子的发射,磁场的增加或二次电子发射系数...

  • 柱形单极表面波等离子体天线控制模型研究

    作者:吕军慰 陈自力 李迎松 刊期:2012年第04期

    由气体分子动力学及波尔兹曼方程建立了基于柱形单极表面波等离子天线结构的控制模型,通过推导和计算得出了一系列模型方程。通过与实验数据的分析对比,发现在一定条件下模型数据与实验测试结果吻合良好。模型可用于等离子体天线参数控制、预测以及等离子天线的参数重构控制。

  • 超高速碰撞产生瞬态磁场的时间尺度特征

    作者:唐恩凌 李志秋 张薇 杨明海 相升海 李乐新 于辉 刊期:2012年第04期

    在超高速碰撞的早期阶段会产生瞬态等离子体云,等离子体云能以某种机理产生电流和磁场。在靶板表面的等离子体云中产生的非线性电子温度和电子密度梯度将产生磁场,场的持续时间从10-6s到约60s,依赖于弹丸的碰撞能量。本文利用超高速碰撞产生等离子体诱生磁场的一维理论模型,理论推导了喷出物诱生磁场的峰值,得到了碰撞喷出物膨胀过程中磁场增强...

  • 真空蒸馏法从粗铟中脱除镉锌铊铅的研究

    作者:李冬生 杨斌 刘大春 邓勇 徐宝强 刊期:2012年第04期

    利用纯度为99.7%粗铟为原料,采用真空蒸馏的方法从粗铟中直接脱除镉、锌、铊、铅。分别进行了蒸馏温度、蒸馏时间、投料量等的条件实验。结果表明,控制真空度1~5 Pa,蒸馏温度950℃,蒸馏120 min,可将粗铟中镉、锌、铊、铅可除至6N高纯铟要求。并且以实验结果为依据计算出产物中各种杂质的挥发系数、分离系数、活度系数,对铟的热力学数据的完善有...

  • 真空蒸馏铅阳极泥制备粗锑的研究

    作者:李亮 刘大春 杨斌 徐宝强 唐万启 刊期:2012年第04期

    采用高锑铅阳极泥为原料,对其真空蒸馏制备粗锑的原理和工艺进行探讨,理论和实验均证实了该方法的可行性。试验结果表明:系统压力5~10 Pa,蒸馏时间60 min,一次蒸馏温度在923~1143 K范围内均可得到含Sb量大于84%的粗锑。Sb,Pb的脱除率随蒸馏时间的延长而增大。X射线衍射仪研究表明冷凝物中Sb为单质态Sb,其纯度受Pb,Bi,As含量影响较大。将一次蒸...

  • 氧化镁真空碳热还原法炼镁的工艺研究

    作者:田阳 刘红湘 杨斌 曲涛 戴永年 彭鹏 刊期:2012年第04期

    采用物料失重率、金属Mg还原率、X射线衍射(XRD)与扫描电子显微镜(SEM)等手段与方法,研究了真空条件下氧化镁碳热还原温度、物料造球成型压力、物料配比、碳热还原保温时间以及催化剂对氧化镁碳热还原法炼镁工艺的影响。研究结果表明,在30~100 Pa时,碳热还原温度高于1553 K,控制物料压块压力为8 MPa,此时物料失重率最大,最有利于氧化镁的还...

  • 本底真空度和残余气体对集成电路金属薄膜淀积的影响

    作者:何秉元 刊期:2012年第04期

    随着集成电路芯片器件特征尺寸不断缩小和一些特色工艺的要求,金属薄膜淀积对反应腔真空度和残余气体的要求越来越高,尤其对于高温厚铝溅射工艺,真空反应腔微环境的细小变化可能导致器件失效。本文采用氦质谱检漏仪,残余气体仪对出现问题的8英寸Al,W金属薄膜淀积设备进行真空和残余气体检查,采用扫描电子显微镜,透射电子显微镜,能量色散X射线光...

  • 直流磁控溅射法低温制备GZO:Ti薄膜及其光电性能研究

    作者:郭美霞 李洁 刊期:2012年第04期

    用直流磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出了钛镓共掺杂氧化锌(GZO:Ti)透明导电薄膜,研究了溅射压强和功率对GZO:Ti薄膜的微观结构和光电性能的影响。研究结果表明,所制备的GZO:Ti薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。溅射压强和功率对薄膜的电阻率和微观结构均有显著影响。随功率增大,薄膜电阻率降低,生长率增大。所制备的...

  • Cu薄膜三维生长的Monte Carlo模拟

    作者:朱祎国 毛文 刊期:2012年第04期

    利用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法模拟了Cu薄膜在四方基底上的三维生长过程。模型中考虑了三个主要的原子热运动过程:原子沉积、原子扩散、原子脱附,各过程发生的概率是由各运动的速率来决定的。讨论了基底温度、沉积速率及原子覆盖度对Cu薄膜的表面形貌及表面粗糙度的影响。模拟结果表明:随基底温度升高或沉积速率下降,岛的平均尺寸增大,数目...

  • 非蒸散型薄膜吸气材料研究进展

    作者:卜继国 毛昌辉 张艳 尉秀英 杜军 刊期:2012年第04期

    非蒸散型吸气薄膜是大型超高真空系统设备维持超高真空的重要材料,近来又成为基于物联网应用的MEMS器件维持可靠性和长寿命的关键材料。本文综述了非蒸散型薄膜吸气剂的基本原理、材料体系和制备技术,介绍了国内外吸气薄膜的材料现状、结构与性能、多功能化的最新进展,讨论了增大比表面积、调控纳米级精细结构的调控、实现多功能化和提高沉积精...

  • 脉冲激光沉积溅射工艺对CIGS薄膜成分和结构的影响

    作者:何杰 丁铁柱 李丽丽 韩磊 刊期:2012年第04期

    采用脉冲激光沉积溅射法在玻璃衬底上制备Cu-In-Ga预制膜,后经硒化、退火处理,得到CIGS薄膜。采用X射线衍射仪表征了薄膜的晶体结构,采用扫描电子显微镜和能量散射谱观察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光电子能谱分析了薄膜表面的化学价态。结果表明,预制膜采用玻璃/In/Cu-Ga的叠层顺序且溅射脉冲数为In靶60000,Cu-Ga靶50000的溅射方式,...

  • 共溅射法制备的Pt-C薄膜的微观结构和电化学性能的研究

    作者:廖建平 遇鑫遥 刘杰 蒋仲庆 舒兴胜 孟月东 刊期:2012年第04期

    用共溅射的方法制备了Pt-C薄膜,薄膜由Pt纳米粒子和非晶C组成。电子显微镜和X射线衍射的测试结果显示Pt纳米粒子镶嵌在非晶C之中。高分辨率透射电子显微图像证实了2~3 nm的Pt粒子镶嵌于非晶C层中。Pt和Pt-C薄膜的电化学特性是通过循环伏安法来研究的,电解液为氮气饱和的0.5g/mol的硫酸溶液。与纯Pt薄膜相比,Pt-C薄膜显示了更高的电化学活性面积,...