杂志简介：《真空科学与技术学报》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为11-5177/TB，是一本综合性较强的工业期刊。该刊是一份月刊，致力于发表工业领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：综述评述、研究快报、研究论文
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作者：陈长青; 丁明清; 李兴辉; 白国栋; 张甫权; 冯进军; 邵文生 刊期：2007年第05期
本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下：首先在硅（100）基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强化学气相沉积（DC-PECVD）生长直立的碳纳米管。并对17500个发射单元的阵列阴极进行了表面形貌表征及场发射特...
作者：张学华; 曹猛; 杨瑾; 刘桐; 王明霞; 邓湘云; 李德军 刊期：2007年第05期
本研究选择钽和钒的氮化物作为个体层材料,利用射频磁控溅射系统制备TaN、VN及一系列的TaN/VN多层薄膜。通过XRD和纳米力学测试系统分析了该体系合成以后的晶体结构、调制周期对力学性能的影响。结果表明：多层膜的纳米硬度值普遍高于两种个体材料混合相的硬度值;当调制周期为30 nm时TaN/VN多层膜达到最大硬度31 GPa,结晶出现多元化,多层膜体系...
作者：马向国; 刘同娟; 顾文琪 刊期：2007年第05期
液态金属离子源的发射系统是源设计当中一个十分重要的因素,它的性能的优劣将直接影响到整个离子源的发射特性,进而影响整个聚焦离子束设备的工作性能。因而,在离子源的设计过程中,人们希望通过仿真手段得到影响源发射特性的源几何尺寸参量,以便在液态金属离子源设计时抓住主要参量进行优化设计,从而提高源的发射性能。本文首先用模拟电荷法计算...
作者：佟洪波; 巴德纯; 闻立时 刊期：2007年第05期
研究了用反应磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜。由于铝和氮化铝二次电子发射系数有很大的不同,导致制备时会在金属模式和化合物模式间出现一个很大的跃迁。为了准确描绘实验结果,建立了一个反应溅射模型。该模型以Berg在1988年提出的模型为基础,包括了靶上二次电子发射系数的变化。利用该模型能够预测溅射行为,计算结果与实测值相符。
作者：杨赤如; 贾宝富; 辛玉霞; 朱兆君 刊期：2007年第05期
基于人工神经网络（ANN）的皮尔斯电子枪初值设计方法,不但能有机地结合迭代综合法与非迭代综合法的优点,还能把前人体现在实验数据中的设计经验通过训练样本融入到其中,从而设计出很接近实验值的新电子枪。在有较多电子枪实验数据的情况下,ANN法的优点尤为显著,经20多支电子枪的检测结果表明：ANN法的设计值比综合法的计算值更接近实验结果。
作者：周立勋; 朱俊; 黄文; 张鹰; 李言荣; 罗文博 刊期：2007年第05期
用激光分子束外延（LMBE）设备,在SrTiO3（001）基片上外延生长BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3多层复合磁电薄膜结构。通过反射式高能电子衍射（RHEED）对薄膜生长过程进行原位监测,结果显示,随着CoFe2O4厚度的增加薄膜内应力逐渐被释放,并且应力释放的过程导致了薄膜生长模式的变化。高分辨X射线衍射（XRD）发现,随着CoFe2O4厚度的增加,CoFe2O4对BaTiO3...
作者：张丁; 曹静; 缪亦珍; 沈斌 刊期：2007年第05期
输出腔外观品质因数Qext的计算是速调管设计中非常重要的一步,本文提出群时延时间法主要是利用Microwave Studio（MWS）软件计算输出腔外观品质因数Qext。通过对比,群时延时间法的计算结果和精度与传统计算软件采用传统方法的结果非常一致,与实验结果基本吻合;群时延时间法基于MWS强大的计算和后处理功能,计算步骤更加简便,结果非常直观,同时还...
作者：毛宏颖; 胡昉; 吴太权; 鲍世宁 刊期：2007年第05期
利用第一性原理确定了四苯基卟啉分子的结构模型,结果表明分子中的苯环与卟吩骨架的夹角为55°,且苯环的自由旋转导致卟吩骨架略微偏离平面形状。再利用紫外光电子谱（UPS）研究了四苯基卟啉在Ru（0001）面的沉积过程,饱和沉积后出现了分子的4个特征峰。对UPS的DV-Xα分析解释了上述光电子谱中四个特征峰的物理起源。
作者：熊玉华; 尉秀英; 秦光荣; 苑鹏; 毛昌辉; 杜军 刊期：2007年第05期
用粉末冶金工艺制备了一种改性的锆石墨类吸气剂,研究了激活工艺和吸气剂表面气体压强对该吸气剂吸气性能的影响。结果表明：该类吸气剂具有优越的室温吸气性能。高温短时间的激活效果优于低温长时间。增加吸气剂表面气体压强Pg有利于提高吸气剂的吸气速率和吸气量,且适当增加Pg比提高激活温度更有利于提高吸气剂的吸气性能。本文从吸气剂对气体...
作者：许高斌; 李洋; 何晓雄; 矫妹 刊期：2007年第05期
静电型微继电器采用静电致动原理,以静电力作为触点吸合的驱动力。在分析纵向静电型微继电器工作原理和Pull-in模型的基础上,给出了当前国内外典型的静电型继电器结构,阐述了这些微继电器的技术特点、制造工艺及其主要性能参数。对静电型继电器触点的材料选取及其性能进行比较分析。分析了静电型继电器实用化存在的主要技术难题和进一步研究可能...
作者：段永利; 许生; 巴德纯; 高文波; 范垂祯 刊期：2007年第05期
本文采用中频反应磁控溅射方法在玻璃表面制备了TiO2薄膜,为使反应溅射的工作点能够稳定在“过渡区”,得到较高的薄膜沉积速率,使用了等离子体发射光谱监控法（Plasma Emission Monitor,PEM）对溅射过程进行控制。利用台阶仪测膜厚,用X射线衍射（XRD）和透射率光谱扫描等测试方法对薄膜的特性进行表征。对制得的薄膜进行了光照试验,研究了温度、...
作者：林松盛; 代明江; 侯惠君; 李洪武; 朱霞高; 林凯生 刊期：2007年第05期
采用无灯丝离子源结合非平衡磁控溅射的方法,在模具钢及单晶硅基体上制备了梯度过渡的掺钛类金刚石（Ti-DLC）膜层,利用俄歇电子谱（AES）、透射电镜（TEM）、X射线光电子能谱（XPS）及X射线衍射（XRD）等手段对膜层的过渡层、界面及微观结构进行研究。结果表明：制备的膜层成分深度分布与所设计的基体/Ti/TiN/TiCN/TiC/Ti-DLC相吻合,在梯度过渡...
作者：孙若男; 庄大明; 张弓 刊期：2007年第05期
利用中频磁控溅射法,溅射氧化锌钇（ZYO）陶瓷靶材,在玻璃基底上制备ZYO透明导电薄膜。研究了氧化钇掺杂量和基底温度对薄膜的结构、电学性能和光学性能的影响。并分析和探讨了工艺因素与结构和性能之间的关系。结果表明,ZYO薄膜为钎锌矿型结构,呈c轴择优取向,平均可见光透过率（400 nm-800 nm）达到80%以上。本文制备的ZYO薄膜具有的最低电阻率...
作者：薛俊明; 侯国付; 王雅欣; 段苓伟; 刘丽杰; 赵颖; 耿新华 刊期：2007年第05期
用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对靶电压的影响。结...
作者：樊兆雯; 张雄; 王保平; 屠彦; 杨兰兰; 姜有燕; 何万万; 李青 刊期：2007年第05期
本文讨论了一种新颖的不对称荫罩式等离子体显示板。在结构上,它与现有的荫罩式等离子体显示板（SMPDP）不同的是,荫罩上每个单元的后开口对称中心偏离其前开口对称中心。通过对4″实验板的制作、测试和分析,研究了不对称SMPDP的放电性能。并对不对称SMPDP的扫描电极进行优化,使其与现有的对称SMPDP相比,在放电强度、静态工作范围、寻址放电的速...
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