杂志简介：《真空科学与技术学报》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为11-5177/TB，是一本综合性较强的工业期刊。该刊是一份月刊，致力于发表工业领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：综述评述、研究快报、研究论文
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作者：郑凯波; 邢晓艳; 徐华华; 方方; 沈浩颋; 张晶; 朱健; 叶春暖; 孙大林; 陈国荣 刊期：2006年第03期
利用CVD蒸汽俘获法，在p^＋硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列，用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合典型的p-n异质结特性，正向开启电压为0．5V，反向饱和电流为0．02mA。计算了异质结的理想因子η，发现当异质结两端偏压在0V-0．3V的低压区域，理想因子为1．85，而在0．3v-0．8v的高偏压区域，理想因子为8．36...
作者：岳瑞峰; 曾雪锋; 吴建刚; 康明; 刘理天 刊期：2006年第03期
在室温下以c—C4F8为反应气体，采用电感耦合等离子体化学气相淀积（ICP-CVD）法制备出碳氟聚合物薄膜，研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明，薄膜结构均匀致密，主要由C-CFx、CF、CF2和CF3组成；当射频功率为400W，c—C4F8的流量为40sccm时，制备出的薄膜和去离子水之间的接触角高达112°。
作者：邹继军; 钱芸生; 常本康; 王惠; 王世允 刊期：2006年第03期
研制了一套基于现场总线技术的GaAs光电阴极多信息量测试系统，该系统可在线测试和保存阴极制备过程中的大部分信息量，如激活系统的真空度、阴极光电流、光谱响应曲线、Cs源和O源电流等。实验测试了GaAs光电阴极加热净化过程中真空度随温度的变化曲线，分析发现，高温净化时有几个真空度下降较快的区域，为160℃～280℃、400℃～500℃、570℃～...
作者：戚栋; 王宁会; 林国强; 董闯 刊期：2006年第03期
为了解决电弧离子镀（AIP）工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题，结合脉冲偏压下AIP工艺实验，运用等离子体鞘层理论、电路理论和仿真模拟技术，得到AIP等离子体负载本质上是由鞘层引起的容性负载，在电路中可以等效为电容和电阻相并联的单元；根据AIP等离子体鞘层演化的特性，将AIP等离子体负载的等效电容表征为与时间无关而只与...
作者：范玉锋; 夏星; 刘纯亮 刊期：2006年第03期
由于介质保护膜的特性极大地影响交流等离子体显示器（AC-PDP）的寿命、功耗和显示质量，所以研究介质保护膜的制备工艺是十分重要的。本文利用电子束加热蒸镀法，在不同沉积角度下制备了MgO介质保护膜和宏单元气体放电屏。利用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对制备的介质保护膜样品的微观结构和表面特征进行了表征，并且，利用宏单...
作者：潘永强; Y; Yin 刊期：2006年第03期
在薄膜沉积和离子束刻蚀技术中，通常要给绝缘基片加上一个射频或脉冲电极，以便在绝缘基片上形成一个自偏压来控制轰击到绝缘基片表面的离子能量。由于绝缘基片上的自偏压不便于测量，在研究中，大多采用射频电极上的偏压来代替绝缘基片表面的实际自偏压。本文在研究中发现，绝缘基片表面的自偏压与射频输入电极上的自偏压有一定的差别，并且随...
作者：郭玉; 张溪文; 韩高荣 刊期：2006年第03期
用常压化学气相沉积（APCVD）法，以四氯化钛（TiCl4）、氧气（O2）和氨气（NH3）作为气相反应先驱体，成功制备了掺氮二氧化钛（TiO2）薄膜。XRD、XPS和UV—Vis透射光谱研究表明，氮掺杂在二氧化钛薄膜中引入Ti4O7相，抑制了锐钛矿相向金红石相的转变；氮掺杂促使光吸收限红移，提高了薄膜在可见光照射下的光催化效率，并改善了薄膜表面的亲水...
作者：叶勤; 吴奎 刊期：2006年第03期
用射频磁控溅射ZAO陶瓷靶的方法在石英衬底上成功制备了ZAO透明导电薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、紫外可见（UV—Vis）分光光度计、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AEM）等手段，研究了薄膜的晶体结构、光学禁带宽度、表面和断面形貌与退火温度的变化关系。结果表明，低温段300℃以下退火的薄膜c轴较ZnO体材料有拉长现象；高温度段500℃...
作者：刘艳; 董云杉; 黄家桢; 张利中; 李戈扬 刊期：2006年第03期
在Ar、N2混合气氛中，通过双靶反应磁控溅射方法制备了一系列不同Si含量的Zr-Si-N复合薄膜，采用EDS、XRD、SEM、AFM和微力学探针表征了复合膜的成分、相组成、微结构和力学性能。结果表明：随着Si的加入，Si3N4界面相形成于ZrN晶粒表面并阻止其长大。低Si含量下，晶粒的细化使Zr-Si-N薄膜得到强化，在Si含量为6．2at％时其硬度和弹性模量分别达...
作者：魏巍; 孙鉴; 郭滨刚 刊期：2006年第03期
使用AC—PDP宏放电单元测试了AC—PDP放电单元加入少量H2对Ne-Xe混合气体放电性能的影响。结果表明，Ne-Xe混合气体中加入少量H2时会显著改变AC—PDP的着火电压、维持电压和放电电流等放电性能参数。当输入电压频率一定时，着火电压和最小维持电压都会随着H2含量的变化而变化，并且着火电压和最小维持电压在某-H2含量下存在最小值；当心含量一定...
作者：尉永玲; 刘志洪; 汪雷; 杨德仁 刊期：2006年第03期
采用化学气相沉积法在镀金硅片上制备出了大量直径均匀、长度大于100肿的单晶纳米硅丝。采用场发射扫描电镜（FESEM）、能谱分析（EDX）、透射电镜（TEM）和拉曼光谱（Rarnan）对样品进行了表征和分析，并对超长纳米硅丝的生长机理进行了讨论。
作者：郑小兰; 顾有松; 张跃; 展晓元; 李建民 刊期：2006年第03期
采用磁控溅射法在Si（100）基片上沉积了PtMn／Co双层膜，研究退火温度与样品微结构以及磁性的关系，发现退火温度越高，反铁磁性PtMn层由fcc非磁性相向fct反铁磁性相转变越充分，交换偏置场值Hex越高。同时，随着退火温度的升高，反铁磁层的晶粒尺寸逐渐增大，交换偏置场Hex值随着反铁磁层晶粒尺寸的增大几乎呈线性增加。研究了交换偏置场与铁...
作者：徐均琪; 上坂裕之; 梅原德次; 刁东风 刊期：2006年第03期
表面波等离子体（Surface-wave-sustained plasma，SWP）是近年发展起来的一种新型低压、高密度等离子体。应用这种技术，很容易实现镀膜过程中的离子束辅助沉积（IBAD），从而制备出性能优异的类金刚石薄膜（DLC）。本文介绍了一种新型的SWP源，说明了朗缪尔探针等离子体诊断的基本原理，研究了微波功率、靶电压、真空度等对等离子体特性的影响...
作者：白翠琴; 吴平; 潘礼庆; 邱宏; 谭红革 刊期：2006年第03期
在本底真空度优于5×10^-4Pa的室温条件下，利用电子束蒸发方法沉积CoFe薄膜，研究了不同退火温度对CoFe薄膜结构和电磁特性的影响。样品采用热氧化Si为基片，在3×10^-5Pa真空度下分别进行了150、280、330、450和500℃的60min退火处理。电阻率和磁电阻测量表明，450℃退火处理能够明显降低CoFe薄膜电阻率和提高磁电阻变化率，因为这时的X射线衍射...
作者：隗晓云; 王建忠; 刘燕萍; 余晋勇; 高原; 徐重 刊期：2006年第03期
利用双层辉光放电空心阴极效应，针对N2发射光谱相对强度的变化，采用SⅡ-Ⅳ型全息凹面光栅单色仪对各种工艺参数条件下的光谱进行测绘，获得一系列谱线及测量数据。通过玻尔兹曼方程式求得不同工艺条件下的N^2＋等离子体的电子温度。并分析了工件电压、源极电压和工作气压对电子温度的影响。结果表明：当工作气压和工件电压一定时，电子温度随...
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