真空科学与技术学报杂志 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊

Cs、O激活方式对GaAs光电阴极的影响

作者：杜晓晴; 常本康; 邹继军 刊期：2006年第01期

利用自行研制的GaAs光电阴极多信息量测试与评估系统,比较了不同Cs、O激活方式下GaAs光电阴极的激活过程、光谱响应特性以及稳定性的差异,发现与传统的Cs源、O源交替断续激活方式相比,Cs源持续,O源断续的激活方式能获得灵敏度更高和稳定性更好的阴极,且阴极的长波响应能力也得到提高.本文利用双偶极层模型对实验现象进行了解释,认为Cs在整个激活...

电泳法制备碳纳米管场发射阴极的研究

作者：王莉莉; 孙卓; 陈婷; 陈奕卫 刊期：2006年第01期

利用传统的电泳方法,在玻璃基片上成功地制备了场发射用碳纳米管阴极薄膜.用扫描电子显微镜和拉曼光谱观察了薄膜的形貌和结构,并测试了所制备的薄膜阴极的场发射特性.实验结果表明在玻璃的银浆导电层上沉积了一层较薄而均匀的碳纳米管膜,其场发射特性与丝网印刷工艺制备的阴极有相似甚至更佳的性能,具有更好的发射均匀性.采用电泳方法制备场发...

掺磷硅薄膜的微结构及光电特性研究

作者：陈永生; 王生钊; 杨仕娥; 郜小勇; 卢景霄 刊期：2006年第01期

采用拉曼（Raman）散射谱、扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析,并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试,结果表明：掺P后导致薄膜的非晶化.与本征μc-Si：H薄膜相比,掺杂后薄膜暗电导率略有降低,同时在紫外-可见光区的透光率降低,但降低的程度与具体的沉积条件有关,同时研究发现掺杂薄膜容易进行快速光热退火...

基于分子自组装的单分子层整流器

作者：蓝碧健; 沈淼; 吕银祥; 蔡永挚; 徐伟; 华中一 刊期：2006年第01期

本文报道了一种含巯基的分子在金膜表面的自组装制备的单层分子整流器件Au/PPSC/Au,其中PPSC为取向整流分子膜.接触角、掠角反射红外光谱测量证明了单层分子膜存在;STM和电路测量都得到明显的不对称的整流I-V曲线.在STM模式下,在±2V时,表观整流比为4.25;在电路测量模式,整流比在几十倍以上。

上海阀门二厂改名上海阀门二厂有限公司通告

刊期：2006年第01期

基于SPM的花生酸LB膜的拉膜工艺及结构表征的研究

作者：沈淼; 严学俭; 曾志刚; 张莉; 邱伟民; 马世红; 王闯; 朱国栋; 华中一 刊期：2006年第01期

通过扫描探针显微镜（SPM）直接观察沉积在基片表面的花生酸LB（Langmuir-Blodgett）薄膜不同范围尺度下的微观结构.研究在经过表面两亲性（亲水性或疏水性）处理的基片上,在相同的制膜条件下,改变其拉膜沉积方式,对花生酸LB膜样品的表面结构、薄膜均匀性和缺陷等的影响.结果显示,花生酸LB膜在不同拉膜沉积方式下,薄膜表面将形成不同的分子自组...

热氧化复合薄膜制备针叶状纳米ZnO

作者：王书运 刊期：2006年第01期

采用射频磁控复合溅射技术,在Si（111）衬底上制备Zn/SiO2复合薄膜,本文讨论了不同退火时间下形成的晶状氧化锌,并对其进行了X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）以及选区电子衍射（SAED）分析和表征.可以看出,由于不同材料的结晶温度不同,在空气中700℃退火热处理,使金属锌从复合薄膜中析出并氧化,形成针叶状氧化锌结晶体,ZnO...

螺旋慢波电路参数变化对行波管特性的影响

作者：朱兆君; 贾宝富; 罗正祥 刊期：2006年第01期

借助于行波管CAD技术的发展,建立了螺旋线行波管三维电磁冷模型和注-波互作用大信号模型,就螺旋慢波电路参数在公差范围内外做细微变化时,所带来行波管冷热特性的影响进行了全面研究和讨论,得出了一些有用结论.这为生产厂家在考虑成本的前提下,有效控制工艺参数,提供了具有实际指导意义的参考.

《真空科学与技术学报》杂志社迁址通告

刊期：2006年第01期

射频反应磁控溅射制备低辐射薄膜

作者：金炯; 董树荣; 王德苗 刊期：2006年第01期

采用射频反应磁控溅射法制备了低辐射薄膜.对低辐射膜的薄膜结构的设计和测试结果表明：较合适的膜层结构是空气/二氧化钛/钛/银/二氧化钛/玻璃基片的多层结构.用扫描电镜分析了保护层钛层的作用,研究表明：银膜很容易氧化失效,失去反射红外紫外光作用,在表面镀覆钛保护层可以很好地保护银,避免银氧化,从而提高使用寿命.用分光光度计测试样品的...

精铋的真空蒸馏硫化除铅

作者：何则强; 肖卓炳; 熊利芝; 麻成金; 刘文萍; 戴永年 刊期：2006年第01期

从理论上分析了用真空蒸馏分离精铋中各杂质和通过加硫除铅的可行性.在真空炉内进行了精铋加硫除铅的实验研究,考察了加硫量、蒸馏温度、残压和蒸馏时间以及加硫次数等因素对除铅效果的影响,得到了最佳工艺条件：每克铋加硫量控制在0.02 g左右、蒸馏温度约1073 K、残压控制在16 Pa左右,蒸馏时间不超过15 min.在此条件下可将金属铋中的杂质铅含量...

a-C：F薄膜结构与电学性能研究

作者：吴振宇; 杨银堂; 汪家友 刊期：2006年第01期

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R（R=[CH4]/（[CH4]＋[C4F8]））条件下沉积氟化非晶碳（a-C：F）薄膜.用原子力显微镜（AFM）分析了薄膜的表面形貌.用柯西（Cauchy）模型和Levenberg-Marquardt非线性迭代算法分析了薄膜的椭圆光谱.用X光电子能谱（XPS）和傅里叶变换红外光谱（FTIR...

烧结温度对CaCu3Ti4O12巨介电性能的影响研究

作者：周小莉; 杜丕一 刊期：2006年第01期

制备CaCu3Ti4O12陶瓷,在50 K～300 K温区范围内测试试样介电性能.研究结果表明,CaCu3Ti4O12结晶完整性、晶界及缺陷对其巨介电常数的大小、出现低介电常数向高介电常数转变时对应温度的高低以及对极化粒子的温度活化响应弥散程度有直接的影响.随晶界和缺陷的下降,极化粒子受缺陷相互作用相应减弱,产生松弛时需要克服的势垒下降,对应的产生松弛的...

Si（111）7×7表面Gd@C82分子的STM研究

作者：刘宇; 申自勇; 孙涛; 侯士敏; 赵兴钰; 薛增泉; 施祖进; 顾镇南 刊期：2006年第01期

用超高真空扫描隧道显微镜（UHV-STM）研究了金属富勒烯分子Gd@C82在Si（111）7×7重构表面的吸附特性和电学特性.STM形貌像显示Gd@C82分子和Si基底之间相互作用较强,Gd@C82分子吸附在Si基底的三种特定的位置上,其中在Si（111）7×7单胞内三个顶戴原子间的吸附位最稳定.扫描隧道谱（STS）的测量显示Gd@C82分子呈现半导体特性.分子表面局域电子态密...

KZ-400离子束刻蚀装置的研制

作者：徐朝银; 董晓浩; 赵飞云; 高飞; 徐德权; 凤良杰; 阎佐健; 孙继武 刊期：2006年第01期

日前我室为制作大口径（400 mm×400 mm）衍射光学元件需要,成功研制了一台KZ-400离子束刻蚀装置.它是基于物理溅射效应,将基底匀速扫描条形离子束,连续铣削材料的原子层来实现大面积刻蚀.通过对关键部位的有限元计算,分析影响装置性能的主要因素,优化工艺结构,使各项指标达到了设计要求,现已投入运行.