杂志简介：《真空科学与技术学报》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为11-5177/TB，是一本综合性较强的工业期刊。该刊是一份月刊，致力于发表工业领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：综述评述、研究快报、研究论文
杂志简介：《真空科学与技术学报》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为11-5177/TB，是一本综合性较强的工业期刊。该刊是一份月刊，致力于发表工业领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：综述评述、研究快报、研究论文
作者：陶永升; 张寒洁; 吕斌; 黄寒; 李海洋; 鲍世宁; 何丕模 刊期：2005年第01期
利用光电子能谱研究了有机半导体并四苯(tetracene)与金属Ag(110)界面的相互作用特性和电子性质,UPS测量给出tetracene的价带结构,其价带顶(HOS)位于费密能级以下约2.6 eV处.XPS测量显示Ag 3d和C 1s谱峰几乎没有位移,表明tetranece与衬底Ag之间相互作用弱.随着tetracene在Ag(110)表面的沉积,功函数在初始阶段快速减小,继续沉积tetracene其功函数...
作者：张健; 屠彦; 尹涵春 刊期：2005年第01期
SM-PDP中可以通过改变电极宽度,使放电空间的等位面沿电极增加的方向扩展,在等位面扩展的区域电场得到增强,从而改善SM-PDP的放电性能.但在性能改善的同时,相邻电极间的电感加大,输入功率增加,这对SM-PDP性能的提高是不利的.本文采用三维模拟方法,详细研究了在不同电极宽度情况下,SM-PDP放电单元的放电特性,为在设计SM-PDP时选择合适的电极宽度...
作者：郑亮; 张鹰; 李金隆; 蒋书文; 姬洪; 艾万勇; 陈寅; 李言荣 刊期：2005年第01期
本文利用激光分子束外延(LMBE)技术在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长MgO薄膜,同时又在MgO(100)单晶基片上外延生长SiTiO3(STO)薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)仪原位实时监测薄膜生长,研究薄膜的生长过程.并结合X射线衍射(XRD)仪来分析在不同的生长条件下,不同应力对薄膜外延生长的影响.在压应力情况下,MgO薄膜在STO基片上以单个晶胞叠层的方...
作者：梁志虎; 刘纯亮; 刘祖军 刊期：2005年第01期
根据气体放电特性和交流等离子体显示器的放电单元结构,提出了AC-PDP等效电路模型和表征该模型的3个特性参量:击穿电压、气体维持放电的最小电压和放电单元电容比.通过分析放电过程,推导出最大维持电压、最小维持电压和维持电压余裕度的表达式.利用外接串联电容,提出一种放电特性参量的测量方法,并对12英寸PDP实验屏进行实际测量,获得了放电特性...
作者：王永坤; 余建祖; 余雷 刊期：2005年第01期
对以SiNx为衬基的X射线光刻掩模在背面刻蚀过程中的形变进行数值仿真,研究了Si片和衬基的各种参数对掩模最大平面内形变和非平面形变的影响.结果表明,参数的变化明显影响最大非平面形变量.当Si片的厚度和直径增大,衬基的厚度和初始应力减小时,最大平面内形变与非平面形变减小,而衬基的材料对两者的影响不明显.
作者：张涤新; 郭美如; 冯焱; 赵澜; 李得天; 赵定众; 李正海; 成永军; 李莉; 龚月莉; 孙海 刊期：2005年第01期
定容式流导法微流量校准装置是气体微流量的计量标准,可采用定容法和流导法对气体微流进行校准,校准范围为(5×10-2～5×10-11)Pa·m3/s,合成标准不确定度为0.56%～1.7%.
作者：徐建峰; 张建华; 李海洋; 何丕模; 鲍世宁 刊期：2005年第01期
本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi薄膜,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系,并用原子力显微镜(AFM)研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系.生长初始阶段,薄膜先形成孤立的三维小岛(典型高度1 nm,直径10 nm,间距10 nm),随后互相聚结形成网状结构,薄膜不导通(R≥20 MΩ),粗糙度随膜厚增加而减小.当等效厚度d=1.74 nm...
作者：吴旭峰; 凌一鸣 刊期：2005年第01期
电弧放电法实验制备了碳化硅纳米丝.在6 mm的石墨棒中心钻一个4 mm的孔,将50at.%C+50at.%SiO2的粉末充分混合,填入其中作电弧放电阳极,水冷铜靶作阴极,放电电流70 A,收集放电后产生的粉末,用XRD、激光拉曼光谱、SEM、TEM进行分析.SEM和TEM照片表明其中有大量的实心纳米丝,其直径30 nm～50 nm,长度5 μm以上,XRD分析表明其为β-SiC,拉曼光谱中...
作者：沈杰; 蔡臻炜; 沃松涛; 崔晓莉; 任达森; 杨锡良; 章壮健 刊期：2005年第01期
采用射频磁控共溅射法制备Ag-TiO2复合薄膜,通过控制Ag靶的溅射时间可调节Ag与TiO2的比例.所制备的Ag-TiO2薄膜为锐钛矿结构.通过紫外光照降解亚甲基蓝溶液和循环伏安法研究Ag-TiO2薄膜光催化及光电化学特性.实验结果表明:掺1.5% Ag的Ag-TiO2薄膜在紫外光照射下能增强亚甲基蓝溶液的降解并得到更大的光生电流.这种光催化的增强主要是由于光生电...
作者：蒋向东; 张怀武; 文歧业; 石玉 刊期：2005年第01期
采用扫描式差热(DSC)分析、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、梯度样品磁强计(AGM)和磁力显微镜(MFM),研究磁控溅射制备的Co80.8Nb14Zr5.2磁性薄膜,在485℃～550℃间的等温晶化行为以及快速纳米晶化30 s后的薄膜结构和磁性.结果表明,非晶薄膜的晶化温度在420℃～450℃,Avrami指数在1.17～1.39,晶化行为以一维形核长大为主.纳米晶Co-Nb-Zr薄膜的磁...
作者：丁万昱; 高鹏; 邓新绿; 董闯; 徐军 刊期：2005年第01期
类金刚石膜在磁盘和读写磁头之上形成一层关键的保护膜.磁存储密度的飞速发展可以使存储密度上限达到1万亿字节/英寸2.这要求读写磁头距离磁盘更近,即需要一层仅1 nm～2 nm厚的类金刚石薄膜.四面体结构的非晶碳膜能够满足磁存储技术的要求,即形成原子尺度平滑、连续、致密,只有几个原子层厚的碳膜.磁过滤阴极弧方法、等离子体增强化学气相沉积方...
作者：徐江涛 刊期：2005年第01期
从理论上对光电阴极面发射电子过渡过程进行分析,光电阴极面电阻是影响光电发射过渡过程的主要因素.通过对光电阴极制备技术改造,使二代近贴聚焦像增强器的管子时间响应小于2ns.
作者：蔡臻炜; 沃松涛; 沈杰; 崔晓莉; 俞宏坤; 杨锡良; 章壮键 刊期：2005年第01期
用直流反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sb修饰TiO2薄膜,利用XRD,Raman光谱以及SIMS研究了Sb对其表面结晶情况的影响并用XPS及SIMS分析了薄膜的成分.结果表明一定程度Sb的修饰对TiO2薄膜成晶有优化作用,起到了类似表面活性剂的作用,并使薄膜表面的光致亲水性能得到改善.当Sb修饰过量时,破坏了TiO2原有的晶格结构,劣化了薄膜表面的光致亲水性.
作者：郭滨刚; 刘纯亮; 刘柳; 范玉峰; 夏星 刊期：2005年第01期
采用电子束蒸发制备Mg-Zr-O复合介质保护膜,使用X射线衍射测试Mg-Zr-O复合介质保护膜的结晶择优取向,研究了ZrO2掺杂及工艺参数对Mg-Zr-O复合介质保护膜结晶取向的影响.结果表明,ZrO2掺杂会使Mg-Zr-O复合介质保护膜产生晶格畸变,并改变其结晶取向.当ZrO2掺杂比为0和0.10时,晶格畸变较小,容易获得(111)结晶取向;当ZrO2掺杂比为0.05和0.20时,晶格...
作者：祁菁; 金晶; 胡海龙; 贺德衍 刊期：2005年第01期
采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响.X射线衍射测量发现,由于Al的存在使a-Si:H的晶化温度大幅度降低,并得到了有强烈(111)结晶取向的多晶Si薄膜.X射线光电子能谱分析表明,热处理过程中Al向Si薄膜表面的扩散降低了Si的成核温度.
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