真空科学与技术学报杂志 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊

一种可擦写可读出的分子基电双稳器件

作者：徐伟; 郭鹏; 吕银祥; 刘春明; 蔡永挚; 华中一 刊期：2004年第06期

报道一种可以连续可逆转换的分子基电双稳薄膜器件Ag/BN4/Al,其中BN4为分子材料.该器件在较强电场(约为6 V)作用下表现为高阻态("0"态),阻值大于105 Ω;而在较弱的电场(＜2 V)作用下则为低阻态("1"态)，阻值约为102 Ω，两种状态的阻抗比103～105.改变外加电场的大小，器件的两种状态随之发生多次转变，转换次数可超过103.高阻态和低阻态的状态信...

常开型后栅极场致发射显示板工作特性的研究

作者：仲雪飞; 樊兆雯; 尹涵春; 王保平 刊期：2004年第06期

常开型后栅极场致发射显示板是一种新型的场致发射器件.它直接利用阳极使阴极产生场致电子发射,而通过埋在阴极之下的栅极上施加负电压来阻止阴极产生场致电子发射来调制显示所需的图像.为了研究该场致发射显示板的阴极发射特性,本文采用有限元法对场致发射区域内的电场分布进行了模拟计算,用Fowler-Nordheim(F-N)公式计算了阴极表面的发射情况....

铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究

作者：张正海; 叶志镇; 朱丽萍; 赵炳辉; 诸葛飞; 吕建国 刊期：2004年第06期

本文通过直流反应磁控溅射,采用Al+N共掺的方法在N2O-O2气氛下制备p型ZnO薄膜.结果表明,衬底温度为500 ℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高,并且比单独掺氮时高近3个数量级.本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响,当衬底温度为500 ℃时,在纯N2O气氛下制备的p型ZnO的空穴浓度最高,为7.56×1017 cm-3,同时薄膜的电阻率和载流子的迁移率分别为9...

利用STM研究Ag粒子在Si（111）7×7重构表面的生长

作者：柏亚军; 申自勇; 侯士敏; 赵兴钰; 薛增泉 刊期：2004年第06期

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM)研究了室温条件下沉积在Si(111)7×7重构表面不同覆盖度的Ag粒子.实验结果表明,低覆盖度时的Ag粒子主要有A、B两种类型,其中A型Ag粒子呈环状结构,最小的A型Ag粒子由3个Ag原子组成;而B型Ag粒子则是由两层Ag原子构成.高覆盖度时Ag粒子的生长过程为层岛混合生长(Stranski-Krastanov)模式.本文还研究了不同蒸发速...

射频磁控共溅射制备超亲水TiO2／SiO2复合薄膜

作者：沈杰; 沃松涛; 蔡臻炜; 崔晓莉; 杨锡良; 章壮健 刊期：2004年第06期

采用射频磁控共溅射法制备了SiO2/TiO2复合薄膜,通过控制SiO2靶与TiO2靶的溅射时间可调节SiO2与TiO2的比例.所制备的SiO2/TiO2薄膜为锐钛矿结构.实验结果表明:SiO2的掺入降低了SiO2/TiO2复合薄膜的光催化能力,但却提高了薄膜的亲水性的维持时间.其中,掺入6%～13%SiO2的SiO2/TiO2复合薄膜,在紫外光照射30 min,接触角降到2°;停止照射后,在5天内接...

ZnO薄膜的制备和结构性能分析

作者：贺永宁; 朱长纯; 侯洵; 张景文; 杨晓东; 徐庆安; 曾凡光 刊期：2004年第06期

ZnO作为一种宽带隙半导体材料,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点.激光分子束外延(L-MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一.高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的,本文中采用高纯原料,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材.采用所制备的靶材,...

等离子体天线中波的色散关系的研究

作者：杨兰兰; 屠彦; 王保平 刊期：2004年第06期

本文研究了同轴对称表面波沿等离子体柱轴向传播的色散关系,由此得到的波矢说明了当频率小于等离子体频率时,电磁波沿等离子体柱的传播类似于电磁波沿金属介质交界面上的传播,传播速度接近于光速.因此可以使用等离子体代替金属用来构成最基本的天线振子.

PECVD方法直接合成硅氧纳米复合薄膜（nc-SiOx：H）

作者：史国华; 韩高荣; 杜丕一; 赵高凌; 沈鸽; 张溪文 刊期：2004年第06期

首次报道了以SiH4、N2O和H2混合气体为原料,用PECVD工艺直接合成硅氧纳米复合薄膜(nc-SiOx:H),未经任何后处理过程观察到了可见光致发光现象,发光峰位于530 nm(2.34eV)左右.通过红外光谱(FTIR)、XRD、高分辨电镜(HRTEM)等手段观察分析了薄膜的组成和结构,薄膜形成了纳米硅在氧化硅网络中的镶嵌式结构.发光强度随薄膜中氧含量的增加而提高,认为薄...

离子束反应溅射ZnO薄膜的晶体结构及光学、电学性质研究

作者：刘建; 李晓慧 刊期：2004年第06期

采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品XRD谱的分析,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO薄膜沿c轴择优取向生长的重要因素.在基片温度350 ℃,氧分压1.3 的溅射条件下,得到了完全沿c轴取向生长的只有(002)晶面的ZnO薄膜.薄膜的吸收光谱测量结果表明,基片温度和氧分压对ZnO薄膜的光学禁带宽度有重要影响.不...

中国真空学会两个专业委员会更名通告

刊期：2004年第06期

SiO2平面光波导工艺中的反应离子刻蚀研究

作者：周立兵; 罗风光; 曹明翠 刊期：2004年第06期

利用反应离子刻蚀工艺实现硅基SiO2平面光波导的刻蚀,研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀侧壁光洁度等刻蚀结果的影响,并首次研究了分别以无定形硅与多晶硅作为SiO2波导刻蚀掩膜对刻蚀垂直度的影响.利用改进的SiO2反应离子刻蚀工艺,得到了传输损耗极低的SiO2光波导.

正压漏孔校准装置的研制

作者：王金锁; 许红; 胡央丽; 唐景远 刊期：2004年第06期

作者对正压漏孔校准方法作了研究,为了对不同示漏气体的正压漏孔进行精确校准,建立了一套改进型的PΔV/t漏孔校准装置,并对该装置进行了不确定度的分析.该装置校准范围1×10-4 Pa m3/s～1×10-7 Pa m3/s,在漏率2×10-6 Pa m3/s时系统总误差小于4.0%.

Fe^3＋离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜的真空热蒸发制备研究

作者：张海芳; 杜丕一; 翁文剑; 韩高荣; 赵高凌 刊期：2004年第06期

本文通过在低温下烧结靶材,利用电子束蒸发方法制备了Ge/Sb/Se/Fe比例可控的Fe3+离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜.用XRD和PHS-9V型酸度计研究薄膜的结构和性能.研究表明薄膜的Fe3+离子敏感性能为(50.375±4.125) mV/十倍浓度,线性响应Fe3+浓度范围(10-2～10-6) mol/L.

网络状氮化硼纳米棒的生长研究

作者：卢晓敏; 汪雷; 杨德仁 刊期：2004年第06期

利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition,PECVD)法在单晶硅片上生长了氮化硼(BN)材料.扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)图,能量分散谱(Energy Dispersive Spectrum,EDS)和傅里叶红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)表明,在一定的生长条件下BN薄膜呈现由纳米棒搭构而成的...

立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长与器件制备

作者：朱丽萍; 叶志镇; 赵炳辉; 倪贤锋; 赵浙 刊期：2004年第06期

自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置，能够较好的调节反应气体的流动状态，从而在衬底上生长大面积均匀的外延层。利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生长出高质量的CaN晶体薄膜。在蓝宝石衬底上生长出n、P型GaN以及多量子阱多层结构材料，并成功制备了GaN基多层量子阱结构的蓝光发光二极管，性能良好，具有实用价值。