真空科学与技术学报杂志 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊

接触——纳电子器件的关键

作者：侯士敏; 申自勇; 赵兴钰; 薛增泉; 吴全德 刊期：2004年第04期

接触是纳电子器件研究中的重要课题.我们以由6个金原子构成的Au6原子线簇为核心工作区的原型纳电子器件为例,利用Green函数方法计算了它的电流-电压特性.计算结果表明,随着Au6原子线簇与两端电极的接触由弱到强,整个纳电子器件的电学特性发生了由以共振隧穿为主要特征的分子导电到量子化电导的巨大变化.因此,接触在很大程度上决定了纳电子器件的...

《真空科学与技术学报》杂志社电子信箱变更公告

刊期：2004年第04期

Ge-SiO2与Si-SiO2薄膜中颗粒形成的对比研究

作者：成珏飞; 吴雪梅; 诸葛兰剑 刊期：2004年第04期

以Ge-SiO2和Si-SiO2复合靶作为溅射靶,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge-SiO2和Si-SiO2薄膜.然后分别在N2气氛中经过600 ℃-1000 ℃的不同温度的退火.通过X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM),光电子能谱(XPS)分析等测试手段,将两种薄膜进行了比较.在Ge-SiO2样品中,随退火温度的升高,会发生GeOx的热分解或者与Si发生化学反应...

基于二次电子发射的FED中支撑结构的优化设计

作者：仲雪飞; Wilbert; wan; der; Poel; Daniel; den; Engelsen; 尹涵春 刊期：2004年第04期

基于二次电子发射的场致发射显示器(HOPFED)是一种新型的场致发射器件.其新颖之处在于其独特的支撑形状,这种结构的优点是充分提高了场致发射显示的性能,如对比度、色纯及像素内的发光均匀性,并减少了离子轰击发射源.在目前已有的结构中,环形的屏上光点不能使荧光粉得到充分的利用,而且光点尺寸较小,容易使荧光粉达到饱和.为了得到符合荧光粉要...

直流辉光和磁控增强放电等离子体的空间分辨发射光谱技术

作者：于红; 张家良; 任春生; 王友年; 马腾才 刊期：2004年第04期

光学发射光谱(OES)方法是等离子体诊断的有力工具之一,可以定量地给出等离子体的多种重要参数,如等离子体中的物种成分、粒子能态分布、激发温度、粒子相对密度等.本文介绍了一种用于电子回旋共振(ECR)微波等离子体磁控溅射靶附近的增强放电和直流辉光放电等离子体空间分辨诊断的发射光谱装置.其特点是光学收集系统的位置可以水平精细移动,因而...

激光分子束外延SrTiO3薄膜退火过程中表面扩散的研究

作者：魏贤华; 张鹰; 邓新武; 黄文; 李金隆; 李言荣 刊期：2004年第04期

用激光分子束外延研究了SrTiO3同质外延时原位退火中,反射高能电子衍射(RHEED)强度的恢复--驰豫时间,导出了高真空下表面扩散的活化能为0.31 eV,与低真空下的结果相比要小许多,这反映了粒子达到基片时的能量差.对沉积不同厚度的薄膜退火研究,表明当薄膜厚度增加时,表面恢复情况减弱,而导致随后的沉积时RHEED振荡周期的改变.

低价硫化铝法从氧化铝直接炭还原制铝的动力学研究

作者：吴国元; 刘大春; 戴永年 刊期：2004年第04期

低价硫化铝法从氧化铝直接炭还原制铝的动力学过程极为复杂，过程的前期受界面化学反应控制，过程后期受扩散过程控制，并求得不同时期的活化能，反应前期：E1=63．81kJ／mol(6．67Pa)、E2=50．82kJ／mol(66．7Pa)、E3=54．72kJ／mol(666．7Pa)、E4=39．61kJ／mol(1333Pa)；反应后期：Ei=112．90kJ／mol(6．67Pa)、E=89．92kJ／mol(66．7Pa)、E3...

反应溅射Ti-Si-N纳米晶复合薄膜的微结构与力学性能

作者：梅芳华; 邵楠; 胡晓萍; 李戈扬; 顾明元 刊期：2004年第04期

采用Ar、N2和SiH4混合气体反应溅射制备了一系列不同Si含量的Ti-Si-N复合膜,用EDS、XRD、TEM和微力学探针研究了复合膜的微结构和力学性能.结果表明,通过控制混合气体中SiH4分压可以方便地获得不同Si含量的Ti-Si-N复合膜.当Si含量为(4～9)at%时,复合膜得到强化,最高硬度和弹性模量分别为34.2 Gpa和398 Gpa.进一步增加Si含量,复合膜的力学性能逐...

氟化类金刚石薄膜的研究进展

作者：张茹芝; 刘贵昌; 邓新绿 刊期：2004年第04期

氟化类金刚石(FDLC)薄膜是在传统类金刚石膜基础上发展起来的一种新型表面改性材料.本文简述了FDLC薄膜的结构、性能,重点介绍了其制备工艺,讨论了源气体的种类和退火工艺对薄膜的影响.

超S25和新S25光电阴极与景物反射光谱的光谱匹配系数

作者：刘磊; 常本康 刊期：2004年第04期

本文根据光谱匹配系数的表达式,计算了超S25(Super S25)和新S25(New S25)光电阴极与粗糙混凝土的光谱匹配系数.在满月光和晴朗星光下:超S251与绿色草木的光谱匹配系数分别为0.707和0.504,超S252分别为0.561和0.338,新S25分别为0.741和0.603;超S251与粗糙混凝土的光谱匹配系数分别为0.743和0.577;超S252分别为0.732和0.471,新S25分别为0.762和0.6...

关于辅助沉积霍尔离子源的几个问题

作者：尤大伟; 任荆学; 黄小刚; 武建军 刊期：2004年第04期

本文目的在于改进霍尔源的设计,实现宽能、大束流、低气耗、低污染、能自动化控制的新一代霍尔源.

石英玻璃上生长表面光滑高光透射率的金刚石膜

作者：郝天亮; 石成儒; 韩高荣 刊期：2004年第04期

石英玻璃衬底在金刚石粉和丙酮形成的悬浮液中超声波预处理,有效提高了金刚石成核密度.在最佳预处理和热丝化学气相沉积条件下,成核密度高达1010 cm-2以上.采用HFCVD中四步法生长工艺,制备出了表面粗糙度小于10 nm、膜厚300 nm、晶粒直径100 nm～150 nm、致密、均匀、高质量和高光透射率的金刚石膜,其1 μm～5 μm波段的光透射率达74%～85%.金刚石...

制备WO3电致变色薄膜的低压反应离子镀工艺研究

作者：任豪; 罗宇强; 李筱琳; 毕君 刊期：2004年第04期

在电子束蒸发镀膜的基础上,引入低压反应离子镀工艺制备WO3电致变色薄膜,研究不同氧分压对WO3薄膜电致变色特性的影响,实验结果表明制备时选择工作气体氩气分压为2×10-2 Pa,氧分压为4×10-2 Pa时,薄膜具有最好的电致变色特性和最大的变色范围.进而采用低压反应离子镀工艺成功地实现在塑料基板上制备WO3薄膜,并对其电致变色特性进行了研究.同时对...

PCVD在狭缝内壁沉积Ti-Si-N薄膜的研究

作者：马青松; 马胜利; 徐可为 刊期：2004年第04期

用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti-Si-N薄膜.经微观物相分析发现,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加,薄膜中Ti元素逐渐减少,Si含量增加,薄膜的相组成始终为nc-TiN/Si3N4.利用球痕法测定了各深度处薄膜的厚度,显微硬度仪测试了侧壁上深度不同位置处薄膜显微硬度.实验结果表明,随测试深度增加,薄膜厚度和显微硬...

微波热处理在钛的硅化工艺中的应用

作者：欧阳斯可; 汪涛; 戴永兵; 吴建生; 何贤昶; 沈荷生 刊期：2004年第04期

采用微波等离子体退火方法使溅射的金属Ti膜与Si(111)衬底发生固相反应,直接生成低阻态的金属硅化物薄膜,XRD检测显示最终生成的C54相TiSi2在Si(111)衬底上有明显的织构,证明了微波等离子体退火应用于钛的硅化工艺中的可行性.