真空电子技术杂志 部级期刊

我国真空开关管的现状与发展趋势

作者：李庆和 刊期：2004年第04期

真空开关管属于真空电子器件中的无源真空器件,是真空开关的核心部件.国外发达国家早在上世纪60年代就开始研制真空开关管,70年代制成真空接触器和断路器,投入市场,推广应用.

陶瓷纳米金属化技术

作者：高陇桥; 张巨先 刊期：2004年第04期

在陶瓷金属化层中加入α-Al2O3等超微复合粉体,取得了金属化层致密、封接强度提高和金属化温度降低的明显效果.

大功率耦合腔行波管衰减器的封接工艺及封接机理的初步分析

作者：董笑瑜 刊期：2004年第04期

介绍了非氧化物陶瓷(AlN+SiC)衰减器的封接工艺:用氢化钛和铜银粉在真空炉中进行活性金属化,抛光后在卧式烧氢炉中与可伐焊接,在立式烧氢炉中与铜腔片焊接;同时初步分析了封接机理:钛与熔化的Ag-Cu合金作用,生成活性物质Cu3Ti,然后Cu3Ti与陶瓷中的氧反应,在界面形成富钛的过渡层.

凝胶注模成型法制备高纯细晶粒氧化铝陶瓷

作者：郑元善; 张洪波; 彭建中 刊期：2004年第04期

介绍了采用高纯超细氧化铝粉料,用凝胶注模成型方法制备高纯细晶粒氧化铝陶瓷的工艺,采用适当的分散剂,制备出了固相体积含量为57%,具有良好流动性的氧化铝浆料.在较低的温度(1480～1510℃)下利用无压烧结工艺,制备了弯曲强度为516 MPa,断裂韧性为6.40 MPa.m1/2,微观结构均匀细晶粒的氧化铝陶瓷.

大尺寸可加工绝缘陶瓷的研制

作者：李懋强 刊期：2004年第04期

目前以氟金云母为基材的可加工绝缘材料大多通过微晶玻璃工艺制造,由于受设备和工艺的限制,所制造出的材料的尺寸不可能很大,一般直径在150 mm以内,长度不大于300 mm.本文提出了一种利用陶瓷工艺制造上述材料的工艺途径,能够制造直径大于200 mm,长度超过500 mm的柱状、圆筒状材料.该工艺包括粉料合成和处理、等静压成型以及烧成.

漫反射陶瓷聚光腔的研制

作者：张洪波; 彭建中; 郑元善 刊期：2004年第04期

对适用于固体激光器聚光腔的氧化铝陶瓷的漫反射性能进行分析比较,探讨了其化学组成、显微结构对漫反射性能和力学性能的影响.采用超细氧化铝粉料,制造出漫反射率大于99%,弯曲强度大于200 MPa的漫反射陶瓷聚光腔.

钨金属化与氧化铝陶瓷高温共烧

作者：邹勇明; 吴金岭; 郑宏宇 刊期：2004年第04期

阐述了钨金属化与氧化铝陶瓷高温共烧工艺的特点,分析了烧结过程中温度曲线和露点等工艺参数对钨金属化与瓷件结合强度、密封气密性和收缩率的影响.通过反复的试验和烧结机理分析对比,给出了最佳的控制参数.

氧化铍陶瓷材料的性能及应用

作者：赵世柯; 尹文学; 赵建东; 康金生; 肖东梅 刊期：2004年第04期

对BeO陶瓷材料的性能、应用方面的进展情况进行了回顾与总结,从技术成熟度、工艺适应性等方面对BeO材料技术和应用发展趋势进行了评述.

稀土氧化物对氧化铝瓷性能的影响

作者：姚义俊; 丘泰; 焦宝祥; 沈春英 刊期：2004年第04期

研究了三种稀土氧化物对氧化铝陶瓷烧结性能和力学性能的影响.研究结果表明:含Y2O3,La2O3,Sm2O3的添加剂促进了氧化铝瓷的烧结,提高了氧化铝瓷的力学性能.Y2O3和Sm2O3掺量为0.5%(质量比)、La2O3掺量为0.75%时氧化铝瓷在1600或1620℃保温2 h烧结,相对密度达98.9%以上,强度超过430 MPa,断裂韧性达5.15 MPa·m1/2以上.微观结构分析表明,Y2O3,La2O3,S...

真空开关管陶瓷-金属非匹配性一步封接

作者：韩忠德 刊期：2004年第04期

简要介绍了活性合金焊料箔直接封接陶瓷-金属的基本特点及用于真空开关管陶瓷-金属非匹配性一步封接所获得的较好预期结果.

99Al2O3陶瓷的烧成工艺

作者：鲁燕萍; 张云鹤; 孙爱民 刊期：2004年第04期

以两种结构的99Al2O3陶瓷的烧成为例,研究了烧成工艺对烧成结果的影响,分析了99Al2O3陶瓷烧成时开裂的原因,并提出了有效的解决方案.

新书快递

刊期：2004年第04期

丝网印刷工艺在氧化铝陶瓷金属化中的应用

作者：阎学秀; 彭小利 刊期：2004年第04期

本文就丝网印刷在片式氧化铝陶瓷散热基片中的应用、工艺及操作要点进行了总结.

中国电子学会真空电子学分会第八届真空技术应用学术会议征文通知

刊期：2004年第04期

烧成制度对氧化铝陶瓷性能的影响

作者：朱军; 浦雪琴 刊期：2004年第04期

通过改变氧化铝陶瓷的烧成制度,对同配方的氧化铝陶瓷进行了体积密度、抗折强度、体积电阻率、金属化抗拉强度等试验,探讨了烧成制度对氧化铝陶瓷相关性能的影响,确定了一种适用于金属化的氧化铝陶瓷的烧成制度.