首页 期刊 中华行为医学与脑科学 睡眠呼吸障碍儿童与正常儿童Go/Nogo任务事件相关电位及行为学特征研究 【正文】

睡眠呼吸障碍儿童与正常儿童Go/Nogo任务事件相关电位及行为学特征研究

作者:赵方乔; 闻瑜; 江凯华; 沈惠娟; 郑爱斌; 易阳 常州市儿童医院健康研究中心; 常州213003; 常州市儿童医院呼吸科; 常州213003
睡眠呼吸障碍   儿童   注意   左右脑   事件相关电位  

摘要:目的采用事件相关电位持续性操作测试(CPT-AX)Go/Nogo任务,比较分析睡眠呼吸障碍(sleep disordered breathing,SDB)与正常儿童事件相关电位(the event related potential,ERP)及行为学特征,探讨学龄期SDB儿童左右脑注意认知缺陷的特征。方法选6~8岁SDB及正常儿童各20名,进行CPT-AX(Go/Nogo)。记录SDB与正常儿童ERP行为学,测量F3、Fz、F4导联N2、P3波幅、潜伏期并进行比较。结果(1)SDB与对照组儿童行为学比较:正确个数[(36.45±3.44)个,(35.00±3.46)个],反应时间[(516.84±54.14)ms,(496.94±78.89)ms],虚报个数[1.0(0.25,3.75)个,0.5(0.00,3.00)个],差异均无统计学意义(P〉0.05);2.Go/Nogo任务F3、Fz、F4导联比较:(1):SDB组:Go-N2波幅:[-7.75(-12.03,-1.09)μV,(-8.69±5.72)μV,(-7.12±4,68)μV]与Nog0-N2波幅:[(-10.72±4.49)μV,(-12.16±4.60)μV,(-11.78±4.44)μV],显示SDB患儿在左、中、右三个额区比较,均差异无统计学意义(P〉0.05);(2)对照组:Go-N2波幅比较:F3、Fz比较[(-7.26±3.18)μV,(-9.09±3.11)μV],差异无统计学意义(P〉0.05);F3、F4比较[(-7.26±3.18)μV,(-6.10±3.36)μV],差异无统计学意义(P〉0.05);Fz、F4比较[(-9.09±3.11)μV,(-6.10±3.36)μV],显示额中央区波幅明显高于右侧额叶,差异有统计学意义(P〈0.05)。Nogo-N2波幅比较:F3、Fz比较[(-14.05±3.31)μV,(-15.50±3.52)μV],差异无统计学意义(P〉0.05);F3、F4比较[(-14.05±3.31)μV,-11.75(-12.68,-10.43)肛V],显示左侧额叶波幅明显高于右侧额叶,差异有统计学意义(P〈0.05);Fz、F4比较[(-15.50±3.52)μV,-11.75(-12.68,-10.43)μV],显示额中央明显高于右侧额叶,差异具有

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