首页 期刊 中国高新科技 非平衡载流子的注入对硅片薄层电阻测量的影响研究 【正文】

非平衡载流子的注入对硅片薄层电阻测量的影响研究

作者:韩萌; 刘晟 南京信息职业技术学院; 江苏南京210046; 西安公路研究院江苏办事处; 江苏南京210007
非平衡载流子   半导体硅片   薄层电阻   测试条件  

摘要:对半导体硅片进行薄层电阻测试的过程中,当探针接触半导体材料表面,将向表面材料中注入载流子,这将影响薄层电阻测量数据的误差,文章分析了注入的非平衡载流子对测试精度的影响,讨论了注入造成影响的原因,得出测试过程中为减小注入的影响而采用的合适的测试条件。

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