摘要：绝缘体上硅（SOI，silicon-on-insillator)作为CMOS的改进技术．于1978年被推出，这种技术能够提高器件速度、降低功耗、减小软误差、抗锁定、减化制造工艺，以及减小器件尺寸。SOI材料最初是用于小规模的利基fniche)市场，主要是军用。而今，已明显扩展了在主流方面的应用。最近几年．SOI已用于各种前沿的集成电路，诸如微处理器、服务器、智能电源(smart power)，以及射频信号处理器，一般用部分耗尽的（PD，partially depleted)硅层。

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