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超纳米金刚石薄膜场发射特性的研究

作者：丁明清; GRUENDieter 刊期：2004年第04期

超纳米金刚石(UNCD)是一种全新的纳米材料，具有许多独特性能。介绍了Si微尖和微尖阵列阴极沉积超纳米金刚石薄膜的工艺及其场发射特性。研究发现，适当的成核工艺和微波等离子体化学气相沉积工艺可在Si微尖上沉积一层光滑敷形的金刚石薄膜；沉积后阴极的电压-电流特性、发射电流的稳定性以及工作在氧气环境下的发射特性都获得明显提高。讨论了...

2003年物理学类期刊影响因子排序（前10名）

刊期：2004年第04期

类石墨薄膜的场致电子发射研究

作者：马会中; 张兰; 张俊杰; 杜云海; 姚宁; 张兵临 刊期：2004年第04期

利用脉冲激光烧蚀技术在硅衬底上制备了类石墨薄膜，以该薄膜为阴极进行了场致电子发射实验。当在阴阳极之间加电场后，两极之间出现了放电现象。放电之后．类石墨薄膜的阈值电场大大降低了．当电场为20V／μm时．该薄膜的发射点密度可以达到10^6/cm^2。利用Raman光谱、扫描电镜和X射线光电子谱对薄膜的表面形貌和微结构进行了测试．薄膜中的类石...

大电流密度碳纳米管阴极的生长及场发射性能研究

作者：娄朝刚; 朱春晖; 张晓兵; 雷威 刊期：2004年第04期

研究了碳纳米管作为大电流密度场发射阴极的CVD生长情况与场发射性能。结果表明，通过CVD生长的碳纳米臂的直径与催化剂颗粒的直径相近，其生长方向是随机的。根据薄膜厚度与催化剂颗粒的关系，认为通过控制催化剂薄膜的厚度可能会达到调节碳纳米管直径的目的。在实验中获得的碳纳米管具备了良好的场发射性能，在直径为0．13mm的圆形面积上获得...

关于参考文献著录的注意事项

刊期：2004年第04期

WGP偏振片在投影显示中的应用研究

作者：于兴杰; 郭海成 刊期：2004年第04期

WGP偏振片(Wire-grid polarizer)的光学特性直接影响投影仪的光亮度和对比度。通过实验测定了WGP偏振片主要光学特性随光束入射角的变化．并依据这些数据．重点分析了投影仪的光亮度和对比度如何受制于WGP偏振片的光学特性。发现以WGP偏振片为基础的反射式投影仪的最佳工作入射角取决于WGP偏振片的物理参数．而不一定是普遍认为的45°。当WGP处于...

偏振片研究进展

作者：龚建勋; 刘正义; 邱万奇 刊期：2004年第04期

对偏振片的性能和类型、偏振光产生方式进行了简要说明．详细介绍了偏振片研究的最新进展．并对偏振片的生产工艺和新型E型偏振薄膜等最新研究成果做了综述。

便携式显示市场

刊期：2004年第04期

掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究

作者：康凌; 刘宝林; 蔡加法; 潘群峰 刊期：2004年第04期

采用光致发光方法研究了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长的掺硅InGaN和掺硅CaN材料的光学性质。在室温下．InGaN材料带边峰位置为437．0nm，半高宽为14．3nm；GaN材料带边峰位置为363．4nm．半高宽为9．5nm。进行变温测量发现．随温度的升高．两种材料的发光强度降低，半高宽增大；GaN材料的带边峰值能量位置出现红移现象．...

液晶双折射效应的再研究

作者：任广军; 李国华; 彭捍东 刊期：2004年第04期

通过改变加在液晶盒上的电压和入射光的波长．利用分光光度计测量偏振光通过液晶盒的透射率，对液晶的双折射效应进行了深入研究，得出了液晶双折射率随电压变化的规律。所得结论为偏光器件的设计与制作提供了依据。

2004年第1季度各地区半导体制造设备市场的发货金额

刊期：2004年第04期

环己基结构对二芳基取代乙炔类液晶光电性能的影响

作者：陈新兵; 冯凯; 贾林; 安忠维 刊期：2004年第04期

二芳基取代乙炔类化合物是一类应用广泛的液晶材料。主要用于改善混合液晶的双折射率。依据近似加法规则。着重考察了分子结构中环己基的引人对液晶光电性能的影响规律，实验结果显示．引人环己基有利于增大液晶的双折射率和阈值电压。

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刊期：2004年第04期

用不对称液晶盒测定挠曲电系数

作者：陈贵锋; 杨国琛; 王永学; 李微 刊期：2004年第04期

用解析方法研究了电压作用下的沿面校列不对称向列液晶(NLC)盒。着重考虑了挠曲电效应的影响．导出了指向矢倾角θ满足的微分方程和边界条件，计算和讨论了阈值电压以及指向矢分布对盒中央平面对称性破缺参量△。提出了一种在给定阈值电压和盒厚时，可确定上、下基板锚定强度及挠曲电参量e(e=(e1+e3)／√k11△ε)的新实验方法。

PDP市场增2．4倍

刊期：2004年第04期