微细加工技术

微细加工技术杂志 统计源期刊

Microfabrication Technology

杂志简介:《微细加工技术》杂志经新闻出版总署批准,自1983年创刊,国内刊号为43-1140/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:综述、电子束技术、离子束技术、光子束技术、薄膜技术、微机械加工技术、纳米技术

主管单位:信息产业部
主办单位:中国电子科技集团公司第48研究所
国际刊号:1003-8213
国内刊号:43-1140/TN
创刊时间:1983
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:湖南
出版语言:中文
预计审稿时间:3-6个月
复合影响因子:0.19
总被引量:870
H指数:13
期刊他引率:1
  • 中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程回顾与现状

    作者:陈宝钦 刊期:2006年第01期

      中国的微光刻技术(包括光掩模制造技术和光刻技术)伴随着平面工艺技术的诞生逐渐发展起来,从1965年自主成功地研制出硅平面晶体管开始算起到2005年是我国集成电路诞生和发展的四十年,也是我国微光刻技术诞生和发展的四十年.大体上可以按年代划分成如下几个阶段:……

  • 第二代接近式X射线光刻技术

    作者:谢常青 刊期:2006年第01期

    介绍了第二代PXL的原理和影响光刻分辨率的关键因素,当第二代PXL工艺因子为0.8时,对于50 nm及35 nm节点分辨率,掩模与硅片的间距可以分别达到10 μm和5 μm,表明第二代PXL具有很大的工艺宽容度;分析了纳米X射线掩模的具体结构、制作工艺和成本,相对于其竞争对手,在100 nm节点及其以下,X射线掩模的制造难度和成本是比较低的,而且随着电子束直写X射...

  • CIF数据格式转换成PG3600数据格式的新切割算法

    作者:李金儒; 汤跃科; 陈宝钦 刊期:2006年第01期

    为了编制能够运行于Windows操作系统且又能够挂靠在L-EDIT数据格式上的转换软件,提出了一种新的将微光刻图形CIF数据格式转换为PG3600数据格式的图形切割算法--沿边切割法,重点讨论了圆形和多边形切割成矩形的具体算法,并与其它几种常见的切割算法进行了比较,表明该算法对于不规则图形的切割具有明显的优越性.

  • 电子束曝光机传输片机械手研制

    作者:乔俊仙; 王肇志; 余国彬 刊期:2006年第01期

    以前的传输片机械手由于采用双浮动滑板结构来实现各个状态的定位,长时间使用易导致机械磨损、弹簧应力疲劳等,出现机械手碰撞片夹或抓不到片等现象,难以实现高精度、高可靠性的定位.研究中的传输片机械手采用卡尔登直线运动机构配合两根导向动轴以达到长期运行的稳定性及可靠性,克服了原传输片机构存在的上述问题,且动作过程有所简化,机构体积...

  • PMMA基PCR微流控生物芯片准分子激光加工

    作者:祁恒; 姚李英; 王桐; 陈涛; 左铁钏 刊期:2006年第01期

    采用准分子激光在PMMA基片上刻蚀加工出PCR微流控生物芯片,分析了准分子激光能量密度和工作台移动速度对微通道加工质量(深度及粗糙度)的影响,加工过程中选择较低的激光能量密度和较高的工作台移动速度,都有利于获得底面更加光滑的微通道.通过热键合的方法制备出完整的密闭式PCR微流控生物芯片.

  • 准分子激光工艺参数与修饰表面形貌的关系

    作者:刘莹; 李小兵 刊期:2006年第01期

    利用准分子激光加工技术,以Al2O3陶瓷材料作为试件,构建表面微观形貌.采用表面形貌仪测量表面轮廓,用自行开发的表面形貌参数表征软件系统绘制轮廓曲线,研究准分子激光加工工艺参数与修饰表面微观形貌之间的关系.结果表明,随着激光器上放大器电压和激光脉冲频率的增大,刻蚀凹槽深度逐渐增大,而随着扫描速度的增大,刻蚀凹槽深度却逐渐减小.此外,...

  • 退火温度对SiC薄膜结构和光学特性的影响

    作者:沙振东; 吴雪梅; 诸葛兰剑 刊期:2006年第01期

    采用磁控溅射技术在p-Si基片上制备出SiC薄膜.将样品放在管式退火炉中通N2保护,分别在400 ℃,600 ℃,800 ℃和1 000 ℃进行退火处理,研究了退火温度对薄膜结构以及光致发光特性(PL)的影响.发现随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度变好,SiC在800 ℃开始有晶相出现,Si-C峰也在向高波数的方向移动,这主要是由于膜中的Si1-xCx的化学计量发生变化.PL谱...

  • PZT薄膜电滞回线测试的数值补偿研究

    作者:许晓慧; 褚家如; 朱龙洋; 吴亚雷 刊期:2006年第01期

    通过Sawyer-Tower测试电路研究了铁电薄膜的电滞回线,发现薄膜漏电阻以及示波器输入电阻和电容的影响可能会使所测量的电滞回线发生形状扭曲或者使测量结果出现较大偏差,通过数值补偿方法重建了电荷平衡方程,并编制了相应的软件补偿程序.通过对溶胶-凝胶制备的PZT铁电薄膜的电滞回线测试表明,运用该数值补偿方法可以有效补偿薄膜漏电阻以及示波...

  • 溅射法制备BST纳米薄膜电学性能的研究

    作者:唐逸; 杨春生; 马骏 刊期:2006年第01期

    采用射频磁控溅射与微细加工技术,制得Cu/BST/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM(金属-绝缘体-金属)微电容结构.研究了不同退火时间、薄膜厚度对钛酸锶钡(BST)纳米薄膜介电常数和漏电流密度的影响,结果表明,随着退火时间的延长,BST纳米薄膜结晶度提高,介电常数增加,退火30 min的纳米薄膜具有最高的介电常数和较小的漏电流密度.同时还得出介电常数随薄膜厚度的...

  • 基于湿法刻蚀的MEMS压印模版制作

    作者:王权岱; 段玉岗; 卢秉恒; 丁玉成 刊期:2006年第01期

    介绍了一种基于玻璃湿法刻蚀低成本的MEMS压印模版制作工艺,工艺中以单层光刻胶作为刻蚀掩模,重点研究了改善刻蚀图形几何轮廓和提高表面质量的方法.在对钻蚀形成机理进行分析的基础上,通过对比偶联剂不同涂敷方式及不同蒸镀时间对刻蚀结果的影响,优化了硅烷偶联剂的涂敷工艺,使钻蚀率降低到0.6,图形几何形状得到改善.分析了刻蚀生成物的溶解度,...

  • 阵列式微型血红蛋白传感器的研制

    作者:施建; 颜国正; 方昀 刊期:2006年第01期

    利用微加工和微装配技术研制了一种微型的阵列式血红蛋白传感器芯片.该传感器芯片非线性仅为3.67%,检测下限达0.1 mg/mL,同时在1 mg/mL浓度下的灵敏度达70 μA;在酸性条件下每个单位的pH值变化引起的误差不大于10%,而且在中性和碱性条件下这种影响几乎消失;温度引起的误差约为0.2 μA/℃.传感器芯片具有很好的线性度、很稳定的pH特性和温度特性,能...

  • 微悬臂梁结构氢气传感器的制作研究

    作者:邱显涛; 陈吉安 刊期:2006年第01期

    提出了一种基于微悬臂梁结构的布拉格光栅氢气传感器,阐述了该类型传感器的工作原理及制作工艺流程,并利用MEMS技术制作了传感器样品,同时在-60 ℃~90 ℃、氢气浓度为0.5%~10%范围内对该传感器样品进行了测试.结果表明,在环境温度为25 ℃、氢气浓度为4%的情况下,当测试时间为30 min时,反射波长改变量可达0.15 nm;在10 s的快速反应测试中,反射...

  • 基于MEMS的条栅状微过滤器的设计与制作

    作者:何林; 吴一辉; 张平; 宣明 刊期:2006年第01期

    为了满足微型全分析系统对样品分离的集成度要求,提出了一种新型的微分离技术.利用MEMS技术设计制作了一种条栅状的硅微结构的过滤器,线宽14 μm,周期40 μm.介绍了其制作工艺,并用碳化硒微粒做了过滤实验以验证其过滤效率.结果表明,这种硅微过滤器能有效去除悬液中直径在14 μm以上的微粒,且生物兼容性好,结构简单,易于实现片内集成.

  • 基于MEMS的力传感器薄膜应变计加工工艺

    作者:王嘉力; 高晓辉; 姜力; 刘宏 刊期:2006年第01期

    提出了在铝合金基体上磁控溅射80Ni20Cr薄膜电阻应变计的加工工艺,说明了其工艺的实现步骤.采用低弹性模量的铝合金制作力传感器的弹性体可以提高力/力矩传感器的灵敏度.提出了一种适合MEMS加工的全平面的力/力矩传感器弹性体结构.并介绍了薄膜电阻应变计构成的微型六维力传感器和薄膜厚度的测量手段.通过实验证实,此种薄膜工艺的应用提高了力传...

  • 场发射硅锥阵列的干法制备与研究

    作者:王芸; 徐东; 吴茂松; 王莉; 钱开友; 叶枝灿; 蔡炳初 刊期:2006年第01期

    阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm~35 nm且具有良好一致性的尖锥.当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定.