微细加工技术杂志 统计源期刊

TiNi合金薄膜的脉冲激光沉积制备与应用

作者：祁恒; 陈涛; 左铁钏 刊期：2005年第03期

概述了三种TiNi合金薄膜的制备方法,其中重点阐述了脉冲激光沉积法,并详细介绍了TiNi合金薄膜作为微驱动元件在微流体控制系统和微操作系统中的应用.随着薄膜制备工艺和性能研究的发展,TiNi合金薄膜将在复合智能材料与结构、MEMS驱动和传感元件的设计与制造等方面具有更广阔的应用前景.

扫描电镜用图像采集系统的设计

作者：束娜; 方光荣; 姜楠 刊期：2005年第03期

介绍了一种用FPGA(现场可编程门阵列)技术设计的新型图像采集系统,该系统可用于改进图像采集功能欠缺的老型号扫描电镜.设计方案采用可编程芯片FP-GA对系统进行逻辑控制,编写不同的程序即可广泛应用于其他图像的采集.选用TI公司的ADSl606作为模数转换的核心芯片,介绍了ADSl606的输入驱动电路、参考源电路以及为其设计的仪表放大调整电路,并给出...

《粘接》2006年征订启事

刊期：2005年第03期

电子束曝光中电子散射模型的优化

作者：宋会英; 张玉林; 魏强; 孔祥东 刊期：2005年第03期

提出了在0.1 keV～30 keV能量范围内进行电子束曝光Monte Carlo模拟的分段散射模型优化方案.在该方案中,对所有的弹性散射均采用精确的Mott弹性散射截面.而对非弹性散射,当能量处于E0≤10 keV,10 keV＜E0≤20 keV和E0＞20 keV时,分别采用了Jov修正的Bethe公式、通常的Bethe公式和相对论效应修正的Bethe公式来计算总能量损失率;当E0≤20 keV和E0...

液态金属离子源发射系统的电场计算

作者：马向国; 顾文琪 刊期：2005年第03期

针对液态金属离子源的发射系统属于轴对称系统的特点,采用动态喷流柱模型,利用模拟电荷法对液态金属离子源发射系统的电场进行了计算,结果表明,该方法计算精度高,非常适合于电子束、离子束系统发射极附近电场的计算.

《低温与特气》2006年征订启事

刊期：2005年第03期

热压印光刻技术复制波带片图形研究

作者：范东升; 王德强; 康晓辉; 陈大鹏; 谢常青 刊期：2005年第03期

针对只需单次曝光的菲涅尔波带片器件,给出了结合电子束光刻和热压印光刻进行大规模复制的完整工艺路线,即首先采用电子束光刻制作热压印模版,之后用热压印光刻进行波带片的大规模复制,所制得的波带片图形的最外环宽度为250 nm,直径为196μm,环数为196环.初步实验结果表明,这种方法具有很好的重复性和易用性,且可以进行低成本波带片的精确复制.

烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响

作者：唐雄贵; 姚欣; 郭永康; 杜惊雷; 温圣林; 刘波; 刘倩; 董小春 刊期：2005年第03期

采用厚层正性光刻胶AZ P4620进行光刻实验,考察了在前烘和坚膜阶段不同的工艺参数条件下的光刻胶浮雕面形的变化.实验表明,完全显影后光刻胶的浮雕面形受前烘工艺参数的影响很小,但其显影速率有一定差别;当坚膜烘焙后,不同前烘条件下的浮雕面形差别较大;当前烘条件相同时,坚膜参数的变化对光刻胶的浮雕面形影响较大.由此得出,在前烘阶段应采取较...

SU-8胶光刻工艺参数优化研究

作者：张晔; 陈迪; 张金娅; 倪智萍; 朱军; 刘景全 刊期：2005年第03期

对基于SU-8胶的UV-LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU-8胶成型的影响.结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少,有一个极大值.通过优化光源波长、曝光时间以及显影时间三个主要工艺参数,可以获得侧壁角度为90.64°正角的300μm厚光刻胶微结构和侧壁角度为89.98°近似垂直的50...

非晶氟化碳膜的制备与性能研究

作者：吴振宇; 杨银堂; 汪家友 刊期：2005年第03期

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)的方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体质量流量比R(R=m(CH4):m(CH4+C4F8))条件下制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.采用X光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱技术分析了a-C:F薄膜的化学结构.FTIR分析表明,a-C:F薄膜中含有CFx(x=1～3),CF=C以及位于a-C:F交联结构末端的CF2=CF等基团,没有迹象...

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刊期：2005年第03期

斜拉梁结构的RF-MEMS开关制作研究

作者：宣云; 刘泽文; 雷啸锋; 李志坚; 刘理天 刊期：2005年第03期

介绍了一种新型斜拉梁结构的电容耦合式开关的制作.该开关的上电极采用斜拉梁支撑结构以提高上电极的平整性和开关整体的可靠性,通过优化开关的结构,将开关的谐振点频率降低到20 GHz附近.制作过程中将平面工艺和垂直喷镀工艺相结合,获得了较厚的共面波导传输线.开关的驱动电压为20 V,在20 GHz下,'开'态插入损耗为1.03 dB,'关'态隔离度为26.5 dB.

MEMS器件中电极制作工艺的研究

作者：张清涛; 李艳秋 刊期：2005年第03期

研究了常用的国产BP212正型紫外光刻胶和光学曝光机在利用剥离工艺制备电极中的适用性.结果表明,采用国产的光刻胶和曝光设备完全可以得到实用性的带有凹面的光刻胶剖面和线条均匀性达到微米级的金属线条,简化了lift-off工艺,降低了成本,改进了金属电极的制备方法.

PDMS微流控光纤芯片的研制

作者：苏波; 崔大付; 刘长春; 陈兴; 王海宁 刊期：2005年第03期

用集成在芯片上的光纤作为激发光源,可使激发光斑的大小与微流控沟道的深度尺寸相接近,提高了检测灵敏度,省去了光学聚焦系统.利用二次曝光的方法制作了PDMS光纤芯片,实现了光纤与沟道的对准.对PDMS光纤芯片的加工工艺、封装方法和结构特征进行了探讨.用所制作的芯片对FITC(异硫氰酸荧光素)和以FITC标记的氨基酸进行了检测,结果证明了该芯片的可...

叠层光刻胶牺牲层工艺研究

作者：姜政; 丁桂甫; 张永华; 倪志萍; 毛海平; 王志明 刊期：2005年第03期

通过溅射电镀种子层前预烘胶与严格控制烘胶温度变化速率、用KOH稀溶液去胶、再用稀腐蚀体系加以轻度超声干涉去除电镀种子层和使用丙酮与F117进行应力释放等方法改进工艺后,解决了在叠层光刻胶牺牲层工艺中极易出现的烘胶龟裂、光刻胶不容易去除干净、去除电镀种子层时产生絮状物和悬空结构释放时易黏附等问题.运用叠层光刻胶牺牲层改进工艺可...