微细加工技术杂志 统计源期刊

低能电子束对抗蚀剂曝光的Monte Carlo模拟

作者：宋会英; 张玉林; 孔祥东 刊期：2004年第04期

考虑二次电子的产生和散射,利用Monte Carlo方法模拟了具有高斯分布特征的低能入射电子束斑在抗蚀剂中的散射过程,分别得到了电子束在抗蚀剂中的穿透深度和能量沉积的分布图.发现在能量小于2.5 keV范围内的模拟结果与实验结果相吻合,这比用传统的不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程,精度更高.另外还发现电子束...

高能电子束曝光技术研究

作者：田丰; 靳鹏云; 彭开武; 韩立; 顾文琪 刊期：2004年第04期

介绍了将商用透射电镜JEM-2000EX改造为高能电子束曝光系统的研制工作,在现阶段研制工作的基础上进行了曝光实验.结果表明,利用此高能电子束曝光系统可以制备出纳米线条,并且能够制备出具有高深宽比的微细结构,从而为微小器件的加工提供了新的方法.

液态金属离子源发射尖的制备工艺与技术

作者：马向国; 顾文琪 刊期：2004年第04期

发射尖是液态金属离子源(LMIS)的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性.通过对系统软件和硬件的设计,开发了一套发射尖自动腐蚀装置,该装置可以对发射尖腐蚀过程中的速度和深度以及腐蚀电压进行控制,实现发射尖腐蚀工艺的重复性、可靠性,从而为液态金属离子源以及聚焦离子束系统的研制、开发提供了一个有效的辅助工具.

基于SOI的双极场效应晶体管

作者：曾云; 滕涛; 晏敏; 高云; 尚玉全 刊期：2004年第04期

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件--双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应.提出了一种新型固体电子器件--基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理....

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刊期：2004年第04期

纳米岛光刻技术及其应用

作者：伊福廷; Mino; Green 刊期：2004年第04期

介绍了一种基于微加工技术的新方法--纳米岛光刻技术.利用该技术制造出几十纳米到微米尺度的岛结构,然后利用剥离、刻蚀等微加工技术,将该岛转化成纳米孔、纳米岛、纳米井等结构.该技术的特点是能够制造出具有各种密度的纳米结构(最高覆盖率可达50%以上),且开发成本低,工艺性能优越,是一种有效制造纳米岛结构的专业方法.

《粘接》2005年征订启事

刊期：2004年第04期

深亚微米X射线光刻模拟软件XLSS1．0

作者：谢常青; 王德强; 陈大鹏; 叶甜春; 伊福廷; 韩勇; 张菊芳 刊期：2004年第04期

介绍了一套自行研制的深亚微米同步辐射X射线光刻模拟软件--XLSS 1.0.该软件基于面向对象技术,采用束衍生法及快速傅里叶变换相结合的方法来研究X射线掩模中吸收体的光导波效应,对光刻胶表面空间光强分布及光刻胶剖面进行了精确模拟计算,发现模拟结果与实验结果吻合很好,且模拟结果的特征尺寸宽度与实验结果的特征尺寸宽度误差小于±10%.

磁控溅射制备Co1-xPtx：C复合纳米颗粒薄膜的研究

作者：张效岩; 覃文 刊期：2004年第04期

采用组合靶,利用磁控共溅射技术制备了Co1-xPtx:C复合纳米颗粒薄膜,并从实验和理论上对不同Pt浓度CoPt:C薄膜的组分、微结构、磁性能、组分和微结构与磁性能之间的关系以及薄膜的应用进行了初步研究.发现CoPt粒子取向和磁性能与CoPt:C薄膜中的Pt浓度有密切关系,在较高Pt浓度的CoPt:C薄膜中观察到垂直各向异性现象.通过改变Pt浓度,可以获得粒子粒...

退火对IBED氧化钒薄膜结构和性能的影响

作者：谢建生; 李金华; 袁宁一 刊期：2004年第04期

对离子束增强沉积(IBED)氧化钒薄膜作不同条件的退火,用X射线衍射分析薄膜的晶体结构;用电阻-温度测试分析了薄膜的热电阻温度系数.实验发现,沉积薄膜存在一个形成二氧化钒结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时离子束增强沉积条件的不同而改变.退火温度低于临界结晶温度时,很难使薄膜结晶成二氧化钒结构;高于临界温度较多的退火或形成VO2结构...

Pyrex玻璃的湿法刻蚀研究

作者：周健; 闫桂珍 刊期：2004年第04期

对Pyrex 7740玻璃的湿法刻蚀工艺进行了研究.实验中采用了几种不同的材料(光刻胶、Cr/Au、TiW/Au)作为刻蚀玻璃的掩膜,通过实验发现TiW/Au掩膜相对目前比较常用的Cr/Au掩膜有很多优点,如减少了玻璃的横向腐蚀,增加了深宽比,刻蚀图形边缘更加平滑等.还研究了腐蚀液成分配比对刻蚀结果的影响,发现刻蚀速率随HF浓度的增加而增加,且在HF浓度一定时,...

等离子体处理提高SiO2薄膜驻极体的稳定性

作者：袁宁一; 李金华 刊期：2004年第04期

利用等离子体对硅衬底上热生长SiO2薄膜进行表面处理,提高了二氧化硅薄膜驻极体电荷的储存稳定性.不同种类的等离子体处理,效果明显不同.同种等离子体处理的时间不同,对电荷储存性能的改善也不同.氩等离子体处理具有最佳效果.经15 min 700V电压起弧的氩等离子体处理,热生长二氧化硅薄膜驻极体的充电电荷在150℃下有很好的存储稳定性,达到化学表...

氧化多孔硅上制作Cu电感的研究

作者：陈忠民; 刘泽文; 刘理天; 李志坚 刊期：2004年第04期

给出了一种厚膜氧化多孔硅(OPS)层上制作Cu电感的新型工艺技术.由于OPS是一种低损耗的材料,铜的电阻率很低,采用OPS隔离硅衬底和Cu线圈能够降低电感的寄生损耗,提高电感Q值.实验过程中将孔隙度＞56%的多孔硅厚膜利用两步氧化法氧化为OPS厚膜,通过种子层溅射/光刻/电镀Cu/刻蚀种子层的方法完成了Cu线圈的电镀.获得了1 nH的电感,其Q值在10 GHz的频...

《微细加工技术》征订／征稿启事

刊期：2004年第04期

飞秒激光蚀除金属的分子动力学模拟

作者：刘璇; 王扬; 赵丽杰 刊期：2004年第04期

采用耦合一维双温模型的分子动力学方法,从连续及原子级的角度详尽描述了飞秒激光与金属的相互作用过程.建模时不仅考虑了激光能量的吸收方式、电子热传输及电子-晶格间的能量交换,而且对底部边界进行了特殊处理,采用简单而有效的速度减幅技术,既能防止靶材底部断裂,又能保证有效蚀除.分析了靶材内部温度、压力的分布特征及应力约束条件下的蚀除...