微细加工技术杂志 统计源期刊

软X射线多层膜光栅

作者：曹召良; 张立超; 曹健林 刊期：2004年第02期

详细介绍了软X射线多层膜光栅的国内外发展概况和广阔的应用领域,全面分析了它的制作工艺,并指出制作多层膜光栅的关键技术及解决方案.

《微细加工技术》加入“中国期刊网”声明

刊期：2004年第02期

基于DSP新型图形发生器模数转换器的设计

作者：袁修鹏; 薛虹; 方光荣 刊期：2004年第02期

介绍了一种电子束曝光机图形发生器模数转换器的设计方案,该设计方案以ADI公司的模数转换芯片AD9223为核心,根据电子束曝光机背散射信号的特点,设计了合理的前端放大器和驱动电路及基准源.这样,提供了与DSP的无缝接口并提高了转换速度.该模数转换器可用于电子束和离子束曝光机中的图形发生器采集标记数据和图像数据信息,同时也可用于原子力显微...

基于DSP图形发生器曝光算法的研究

作者：杨浩伟; 张今朝; 薛虹 刊期：2004年第02期

新型图形发生器使用DSP控制曝光过程,因此要求DSP程序高效地控制电子束实现图形的高精度扫描.而以往的算法(包括Bresenham算法)无法满足电子束扫描的特殊性,因此提出一种DSP实现曝光的算法.分析了Bresenham算法的缺陷,同时对提出的新算法进行工作效率的理论分析和曝光数据的采集对比,结果证明该算法是一种能够保证精度和效率的算法.同时还探讨了...

X射线光刻对准边缘增强技术及性能研究

作者：王德强; 谢常青; 叶甜春; 刘业异; 胡松 刊期：2004年第02期

针对三种不同的图像边缘增强方法进行了掩模和硅片识别精度以及对准精度的实验验证.采用一种新的测试方法,即先通过软件得到大量的数据,然后再进行数据分析,得出LAPLAC算子在识别精度和对准精度两个方面比较好,而改进后的SOBEL II算子的对准时间最短,对准精度也很高.

反应离子束刻蚀应用于光刻胶灰化技术研究

作者：王旭迪; 刘颖; 洪义麟; 徐向东; 付绍军 刊期：2004年第02期

以AZ1500光刻胶为例,将氧气作为工作气体的反应离子束刻蚀工艺用于光刻胶图形的灰化处理,以去除经紫外曝光-显影后光栅中的残余光刻胶.研究结果表明灰化速率有随束流密度呈线性增加的趋势.经过反应离子束刻蚀后,光栅槽底残余光刻胶被去除干净,同时线条的宽度变细,在一定程度上达到修正光刻胶光栅线条占空比的目的.用原子力显微镜检测,无光刻胶的...

飞秒激光双光子复杂结构的微细加工

作者：袁大军; 蒋中伟; 郭锐; 徐藻; 王翔; 黄文浩; 夏安东; 褚家如 刊期：2004年第02期

阐述了双光子激发的原理和飞秒激光三维加工的技术特点.利用自行研制的飞秒双光子微细加工系统,在优化工艺参数的基础上,加工出一系列三维微结构,并实现了可动的三维微系统-齿轮轴系统的一次成型.

双光子三维微细加工的分辨率研究

作者：蒋中伟; 袁大军; 郭锐; 徐藻; 王翔; 夏安东; 黄文浩 刊期：2004年第02期

为了改善双光子加工的成型精度和微器件的质量,提高加工系统的分辨率是十分重要的.根据自由基类光聚合材料双光子加工分辨率的理论分析,提出等光强面概念,并在此基础上讨论了激发光强与系统加工分辨率之间的关系.通过不同光强条件下双光子三维加工固化单元的实验,验证了等光强面和系统分辨率之间的对应关系,并分析了出现微小差异的原因.根据上述...

Si基ZnO／Ga2O3氨化反应制备GaN薄膜

作者：庄惠照; 高海永; 薛成山; 王书运; 董志华 刊期：2004年第02期

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中850 ℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄膜.XRD测量结果表明利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用SEM和TEM观测了薄膜形貌,PL测量结果发现了位...

含铝的富硅二氧化硅薄膜的发光特性及结构

作者：李群; 严勇健; 成珏飞; 吴雪梅; 诸葛兰剑 刊期：2004年第02期

采用双离子束共溅射技术制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(AlSiO),采用荧光分光光度计对样品进行PL测试表明:AlSiO复合膜共有三个发光峰,分别在370 nm、410 nm、510 nm处.发光峰的位置随铝含量的变化基本上没有改变,峰强随铝含量有变化,且510 nm处的峰强随铝含量增加而增强.PLE结果表明:370 nm和410 nm的PL峰与样品中的氧空位缺陷有关,而510 nm...

短讯

刊期：2004年第02期

TiN基磁性薄膜的研究

作者：宋红强; 陈延学; 任妙娟; 季刚; 张云鹏 刊期：2004年第02期

用射频磁控溅射技术制备了TiN掺Co的薄膜样品.400 ℃真空退火后,振动样品磁强计测量(VSM)表明,样品在室温下具有显著的铁磁性.其饱和磁化强度为2.93×108 A/m,饱和磁场强度约160 kA/m,矫顽力32 kA/m.超导量子干涉仪(SQUID)测量M-T曲线得出其居里温度在360 K以上,X射线衍射实验表明样品具有TiN样品的衍射峰.利用四探针测试仪测量电阻率得出ρ=4.824...

双离子束溅射制备SiNx薄膜的光致发光性质

作者：成珏飞; 吴雪梅; 诸葛兰剑 刊期：2004年第02期

采用双离子束溅射法制备了SiNx薄膜,用XRD、XPS、FTIR等对薄膜的结构进行了表征,并且分析了样品的光致发光(PL)特性.发现在225 nm的紫外光激发下,样品在室温下可发射高强度的可见光,峰位分别位于470 nm、520 nm和620 nm,用能隙态模型讨论了可能的发光机理.

微细电火花加工装置的设计与应用

作者：张勇; 王振龙; 胡富强; 赵万生 刊期：2004年第02期

设计开发了一台用于微细电火花加工的微细加工装置,它主要由以下几个部分组成:花岗岩基座、精密伺服机构、精密高速旋转主轴、线电极磨削装置、微细电火花加工用的RC脉冲电源、加工状态检测系统和控制系统.在该装置上可以进行微细轴、微细孔和微三维结构的加工.具有4轴3联动功能,控制方便,容易实现数控插补功能.加工实验表明,在该装置上能稳定地...

硅基片微型通孔加工技术

作者：赵钢; 褚家如; 徐藻 刊期：2004年第02期

介绍了硅基片微型通孔的用途及在微机电系统发展中的重要性,从原理、过程、优缺点等方面详细叙述了激光打孔法、湿法刻蚀法、深度反应离子刻蚀法(DRIE)和光辅助电化学刻蚀法(PAECE)等四种硅基片微型通孔的加工方法,并对各种方法进行了比较,提出了各种方法的适用范围.