杂志简介：《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准，自1964年创刊，国内刊号为13-1314/TN，是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊，致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备
杂志简介：《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准，自1964年创刊，国内刊号为13-1314/TN，是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊，致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备
作者：王锦文; 位浩; 陈政东; 周天乐 刊期：2019年第12期
综述了纤维素基可穿戴电子设备作为人体"第二皮肤"近期取得的研究进展,尤其是在医疗保健领域,"第二皮肤"的发展和应用将会是人们实现健康管理和动态治疗的有效途径。指出了"第二皮肤"的固有特点:一是能很好地与人体合二为一;二是具有优于人体皮肤的属性。分别从可拉伸性、自供电、热管理和透气性四个方面分析了"第二皮肤"成为新一代智能健康终端...
作者：王成军; 李帅 刊期：2019年第12期
介绍了软体机器人的发展和研究现状,重点总结了目前软体机器人在驱动方式、建模控制、制造工艺等方面存在的难题。其驱动方式主要有气动驱动和智能材料驱动,介绍了各驱动方式的科学原理及典型驱动结构,软体机器人本体结构主要采用3D打印技术、形状沉积法以及智能复合微结构工艺等新型工艺制成。最后阐述了目前软体机器人的建模控制方法以及应用...
作者：鲁道欢; 李娟 刊期：2019年第12期
生物电信号与人体的健康状况密切相关。如何实现长期监测心电(ECG)、脑电(EEG)、肌电(EMG)和其他各种生物电信号成为当前研究中亟待解决的难题。微针阵列干电极(MNAE)采用刺入式微针电极突破角质层高阻抗特性,有望实现连续、长期、高效的生物电信号采集。结合国内外最新研究进展,在对不同生物电极进行分类和对比的基础上,概述了MNAE在信号采集方...
作者：胡林娜; 郭永刚; 屈小勇; 马继奎; 吴翔 刊期：2019年第12期
叉指背接触太阳电池因前表面无栅线所带来的高短路电流及栅线位于背面所获得的组件高密度封装的优势,吸引了众多光伏制造者的关注。然而,由于电池背面的p+发射区和n+背表面场(BSF)区呈交叉分布,在电池制备过程中需进行掩膜技术和激光烧蚀技术的隔离,显然增加了电池制备成本。因此,首先选用Quokka软件从钝化减反层及p+发射区占比的角度探究了优化...
作者：田明; 宋洋; 雷海波 刊期：2019年第12期
介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种新的途径来控制SOI的厚度:采用一种新的方法生长垫氧层,以及在源漏区外延生长前,在衬底外延生长硅薄膜层,从而补...
作者：李雪伟; 张铭; 李鹏飞; 崔艳雷; 王如志 刊期：2019年第12期
采用水热法,通过调控反应温度得到了具有不同微观形貌的ZnO纳微分级结构。扫描电子显微镜(SEM)结果表明,纳微分级结构分别由纳米棒或纳米片按不同方式堆积而成。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的ZnO纳微分级结构均为纤锌矿结构。此外,通过BET比表面积测试与气敏性能测试发现,微观形貌不同的分级结构具有不同的比表面积、孔隙率和平均孔径,同时气...
作者：陈熙; 段力; 翁昊天; 付学成; 杨志; 张亚非; 刘千慧; 陈益钢; 高明; 张虎 刊期：2019年第12期
通过磁控溅射靶材的成分调控和一系列优化过的微电子机械系统(MEMS)工艺,成功研制了基于氧化锌(ZnO)压电薄膜的固体装配型薄膜体声波谐振器(FBAR)。通过使用性能优异的靶材,所得到的器件谐振性能良好。在同一种工艺条件下得到多个硅片的中心处FBAR的谐振频率为2.365~2.379 GHz,具有较好的重复性。并且,同一硅片不同位置的器件性能还具有优异的均...
作者：涂云婷; 金敏慧; 张成功; 李以贵 刊期：2019年第12期
设计并仿真了一种压阻式六自由度力传感器及其测量电桥,采用微电子机械系统(MEMS)加工技术制备了以单晶硅为结构材料的六自由度力传感器,完成了传感器芯片的封帽式封装。压阻式六自由度力传感器的尺寸为5 mm×5 mm×3 mm,由传感器芯片、探测柱和封装外壳组成。基于流体的绕流阻力效应,完成了压阻式六自由度力传感器水流流速检测实验。实验证明,该...
作者：郭育华; 王强文; 甘雨辰; 刘建军 刊期：2019年第12期
硅通孔(TSV)能够实现信号的垂直传输,是微系统三维集成中的关键技术,在微波毫米波领域,硅通孔的高频传输特性成为研究的重点。针对微系统三维集成中,无源集成的硅基转接板的空心TSV垂直传输结构低损耗的传输要求,进行硅通孔的互连设计和传输性能分析。采用传输线校准方式,首先在硅基转接板上设计TSV阵列接地的共面波导(CPW)传输线和带TSV过孔的...
作者：张倪; 原玮敏; 武晨晓; 朱燕艳 刊期：2019年第12期
分别采用溶液法和磁控溅射法制备了TiO2薄膜。其中对采用磁控溅射法制备的样品进行了退火。用扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌,表征结果发现,与溶液法制备的TiO2薄膜相比,采用磁控溅射法制备的薄膜更加致密,表面粗糙度更低。X射线衍射(XRD)测试结果说明,溶液法制备的薄膜是多晶结构,而磁控溅射制备的薄膜是非晶结构,经过500℃退火后溅...
作者：刘孟瑞; 檀柏梅; 高宝红; 牛新环; 孙晓琴; 高鹏程; 刘玉岭 刊期：2019年第12期
铜具有低电阻率和高抗电迁移性,是目前极大规模集成电路的主流金属互连材料。化学机械抛光(CMP)是实现铜表面局部与全局平坦的关键工艺。为获得铜互连较高的凹凸材料去除速率选择比,通常需在CMP抛光液中加入缓蚀剂苯并三唑(BTA),而CMP后铜表面的BTA残留需要在后续的清洗工艺中进行有效的去除。对铜互连CMP中BTA对铜的腐蚀抑制机理的研究进行了归...
作者：赵丽霞; 杨龙; 吴会旺 刊期：2019年第12期
对4HN型碳化硅(4HN-SiC)包裹物进行了系统的研究,首次提出了包裹物分布的碳氮竞位模型,并对各种包裹物的起源及抑制改善提出了有效的解决方法。同时研究了4HN型SiC包裹物在薄层同质外延过程中的转化,发现外延后包裹物主要转化为三角形、凸起和凹坑三种表面缺陷。对比外延前后缺陷形貌发现,包裹物外延后呈现的表面缺陷类型主要取决于包裹物的大小...
刊期：2019年第12期
中国电子科技集团公司第十三研究所从事半导体光电器件研制与生产30余年,拥有一条国际先进水平的工艺线,涵盖材料外延、圆片加工和器件封装等全套工艺,主要产品有大功率半导体激光器、高速半导体激光器和髙速探测器。其中大功率激光器代表产品有连续/准连续阵列激光器、高亮度光纤耦合激光器和窄脉冲激光器,应用于固态激光器栗浦、光纤激光器泵...
作者：高嘉庆; 屈小勇; 郭永刚 刊期：2019年第12期
采用Silvaco-TCAD仿真软件模拟了在一定注入能量下离子注入剂量、退火温度和时间对太阳电池表面方块电阻和结深的影响,并通过离子注入机和高温退火炉进行了实验验证。实验结果表明,当离子注入剂量为7×1014 cm-2、注入能量为10 keV、退火时间为20 min、退火温度为870~890℃时,电池表面方块电阻超过130Ω/□,均匀性良好,结深可达0.6μm。当离子注入...
刊期：2019年第12期
由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的“第十二届中国微纳电子技术交流与学术研讨会”于2019年10月25-27日在江苏省苏州市成功举办。
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