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基于金属亚波长光学结构窄带滤色片的研究进展(续)

作者：王启航; 张叶; 李国辉; 王文艳; 郝玉英; 崔艳霞 刊期：2019年第11期

3金属孔或颗粒阵列的窄带滤色片基于金属阵列结构的窄带滤色片最为常见,除了前述金属-介质-金属腔阵列结构以外,基于金属孔阵列、金属颗粒阵列以及金属孔与颗粒的复合阵列均可实现窄带滤色性能,尤其是有关金属孔阵列滤色片的报道最为广泛。

基于混合忆阻器-CMOS逻辑的全加器电路优化设计

作者：冯朝文; 蔡理; 杨晓阔; 张波; 危波 刊期：2019年第11期

将一种电压阈值型压控双极性忆阻器模型与CMOS反相器进行混合设计,实现了"与"、"或"、"与非"、"或非"基本逻辑门。通过构建"异或"逻辑门新结构,提出一种基于混合忆阻器-CMOS逻辑的全加器电路优化设计方案。最后,分析忆阻器参数β,Vt,Ron和Roff对电路运算速度和输出信号衰减幅度的影响,研究了该优化设计的电路功能和特性,经验证模拟仿真结果与理论...

新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望

作者：刁华彬; 杨凯; 赵超; 罗军 刊期：2019年第11期

Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga2O3的晶体结构和电学性质,简述了基于β-Ga2O3制造的功率器件,主要包括肖特基势垒二极管(SBD)和金属-氧化物-半导...

单晶硅电池表面织构与光电特性的关系

作者：方正; 王大镇; 许志龙; 杨星; 李煌 刊期：2019年第11期

针对在单晶硅片表面制备陷光织构可提高吸光率,但同时将导致光生伏特效应被削弱的问题,定义了电池的光学特性系数和电学特性系数,以表征电池光电特性。通过采用不同的化学制绒工艺参数,在单晶硅片表面获得不同尺寸的表面织构,分析了织构平均高度对电池光电特性和转换效率的影响规律。结果表明:随着单晶硅片表面织构平均高度的增大,单晶硅电池的...

石墨烯量子点光学非线性特性及其应用进展

作者：岳鑫; 叶莹; 吕众; 贾强; 谭勇 刊期：2019年第11期

石墨烯量子点(GQD)是碳量子点的一种,不仅具有碳量子点的优良性质,还具有其他量子点无法比拟的光学特性。概括了石墨烯量子点光学非线性原理特点,由于其二阶或三阶非线性电极化强度决定非线性光学的特性,并且其表面导电性呈各向同性,选择一种更加合理的方法来描述其光学非线性,由此论述得到其三阶电流的表现形式。随后,详细阐述了国内外对在光电...

多用途全玻璃微流控芯片流通检测池

作者：方芳; 闻艳艳; 吴志勇 刊期：2019年第11期

以玻璃为基材的微流控芯片具有光学透明、亲水性好和强度高的特点。介绍了一种具有可更换丝状电极的全玻璃微流控芯片流通检测池。该芯片通过玻璃光刻、湿法刻蚀和热封合制备。一对Pt丝电极通过平行的脊突精确定位在检测通道的两侧,之间相距190μm,流通检测池功能区的总体积仅约为300 nL。包括电化学(EC)、电化学发光(ECL)及化学发光(CL)的多模式...

高分辨率MEMS纤毛式湍流传感器

作者：申玮; 张文君; 廉宇琦; 张国军; 杨华; 薛晨阳; 王任鑫 刊期：2019年第11期

国外的剪切流传感器已经趋于成熟,但仍存在测试信息量单薄、空间分辨率不高和价格昂贵的缺点。提出了一种新型高分辨率微电子机械系统(MEMS)湍流传感器,通过MEMS工艺的微结构实现湍流传感器的高分辨率探测,同时凭借Parylene真空气相沉积技术来实现传感器在海中的绝缘性和抗腐蚀性。经过5~45℃的高低温循环实验,验证了MEMS湍流传感器在复杂环境中...

新型电磁铁驱动的撞针式微滴喷射装置

作者：季成炜; 朱丽; 肖纳; 王蒙 刊期：2019年第11期

液滴喷射技术具有广泛的应用前景和技术优势,结合现有技术设计了一种能够实现有效的微滴喷射的装置,该装置基于电磁铁驱动,采用撞针式结构。本装置包括电磁铁、滑轨、撞针、喷嘴、弹簧、垫圈等几个主要部分,通过电磁铁驱动撞针撞击喷嘴从而使液滴从喷嘴中喷射出。整体而言其结构简单、成本较低、易于加工,可实现液滴稳定喷射。以甘油溶液(丙三醇...

氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充

作者：张念华; 万先进; 李远; 许爱春; 潘杰; 左明光; 胡凯; 詹侃; 宋锐; 毛格; 彭浩; 李晓静; 闫薇薇; 曾传滨 刊期：2019年第11期

在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(SEM)表征钨薄膜的填充能力。结果表明:开口有弓状形貌的结构,使用传统化学气相沉积(CVD)方式生长钨薄膜非常容...

结构化晶圆表面厚胶喷涂工艺

作者：杨芳; 武忙虎; 王浩亮; 翟鑫月; 王勋; 李宝霞 刊期：2019年第11期

采用超声雾化喷涂技术,以AZ4620光刻胶为研究对象,以硅通孔(TSV)刻蚀后的硅片为基材,在12英寸(1英寸=2.54 cm)结构化晶圆表面喷涂光刻胶形成薄膜。分别研究了稀释质量比、超声功率、氮气体积流量、喷嘴与晶圆表面的间距、载台温度等工艺参数对TSV硅片表面喷涂质量的影响,最终通过优化过程工艺参数,得到表面胶颗粒细小、膜厚均匀性好、台阶覆盖率...

全国半导体设备和材料标准化技术委员会第九届微光刻技术交流会暨微光刻分技术委员会2019年会在长春召开

刊期：2019年第11期

全国半导体设备和材料标准化技术委员会第九届微光刻技术交流会暨微光刻分技术委员会年会于2019年9月8-12日在长春市召开,来自全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会的委员和国内外86家单位微光刻领域的专家及技术人员近160余人参加了本次会议,来自国内外的学者专家聚集到中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,对微光刻技...

第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会

刊期：2019年第11期

为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐,推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高,加快其成果转化和应用推广,增强自主创新能力,由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的“第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会”于2019年11月22-240在广东深圳召开。本会议是继厦门、昆明、长沙、苏州成功举办后,全国新型半导体功率器件及...

《微纳电子技术》编辑委员会

刊期：2019年第11期