杂志简介：《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准，自1964年创刊，国内刊号为13-1314/TN，是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊，致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备
杂志简介：《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准，自1964年创刊，国内刊号为13-1314/TN，是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊，致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备
作者：李成; 蔡理; 王森; 刘保军; 崔焕卿; 危波 刊期：2017年第12期
基于自旋传输和磁动力学耦合模型,研究了纳磁体形状对全自旋逻辑（ASL）器件临界开关电流以及开关延迟时间和功耗的影响。仿真结果显示,由于椭圆柱纳磁体构成的ASL器件易磁化轴方向退磁因子相比长方体纳磁体器件要小,所以其形状各向异性能和临界开关电流更小。从而在相同的注入电流情况下,椭圆柱纳磁体构成的ASL器件磁矩翻转时间比长方体纳磁体...
作者：吴翔; 陈璐; 魏凯峰 刊期：2017年第12期
钝化发射极背面接触（PERC）双面太阳电池（PERC＋）背面采用丝网印刷铝栅线的设计,代替常规PERC电池背面全铝背场层,达到背面发电的效果。对不同背面铝栅线宽度的PERC＋电池和常规PERC电池的电性能及激光开窗截面图进行比较,发现了不同宽度的铝栅线对电池背面空洞率和局部背表面场（LBSF）层的质量有较大影响,合适的铝栅线宽度能最大程度地保证...
作者：胡慧敏; 魏杰; 周洪宇; 苏静杰; 于成龙; 张强; 马锡英 刊期：2017年第12期
主要研究了硒化钼（MoSe2）薄膜的制备及其光电特性。以硒化钼粉末作为原料、采用化学气相沉积（CVD）法在Si衬底上沉积硒化钼薄膜。利用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射仪（XRD）、霍尔效应仪和UV-3600分光光度计分别表征了硒化钼薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收特性和MoSe2/Si异质结的光电特性。分析可见所制备的硒化钼薄膜由柱状生长的硒化...
作者：吴梁玉; 于程; Sun; Dongke; 王菲 刊期：2017年第12期
采用格子Boltzmann方法,建立了液滴在亲水固体表面上快速铺展过程的三维非稳态理论模型。研究了液滴铺展的动态过程,分析了液滴的形貌变化,比较了固体表面润湿性和液滴的运动黏度对液滴铺展过程的影响,获得了溅射现象产生的原因。研究结果表明,液滴接触到亲水固体表面后,从底部产生的毛细波是造成液滴颈部断裂和溅射现象的主要原因;固体表面的接...
作者：郭慧婷; 唐军; 钱坤; 赵锐; 李春明; 张伟; 张成飞 刊期：2017年第12期
品质因数（Q）是光学谐振腔的重要参数,大尺寸的平面环形谐振腔有着更大的单圈损耗,却具有更高的Q值。针对这个问题,从光子寿命的角度对环形谐振腔耦合结构进行了建模分析与仿真,提出了用等效单位传输损耗参数来表征谐振腔的腔长与品质因数之间的关系。设计、加工了不同腔长（3.1,9.5,12.6和18.8 cm）的氧化硅光波导环形谐振腔,其中谐振腔的耦合...
作者：王海星; 张磊; 谭秋林; 熊继军 刊期：2017年第12期
设计了一个直径为1 mm的新型植入式磁力驱动供药腔,该供药腔包括磁性薄膜、聚二甲基硅氧烷（PDMS）空腔、PDMS薄膜以及内径为0.4 mm的聚四氟乙烯（PTFE）导管构成,通过O2等离子处理工艺和键合形成空腔。将直流电源与铜线轴相连作为磁场源,通过其产生的磁场与磁性薄膜之间的磁力作用,磁性薄膜发生形变。当外部磁场开始工作时,通过改变电流大小控...
作者：康恒; 林琳; 符庭钊; 李勇滔; 夏洋; 景玉鹏 刊期：2017年第12期
针对传统快速热处理工艺（RTP）在退火过程中引起杂质再扩散导致难以制作浅结器件的问题,采用了微波退火的方式进行退火,有效降低了热预算,能够解决杂质再扩散的问题。相比传统RTP退火,微波的退火机理具有特殊性,其不仅有微波的热效应还有微波的非热效应,使微波退火能够在较低的温度下实现杂质激活和晶格修复。实验表明,在注入能量为15 keV、注...
作者：曲金成; 雷李华; 李锁印; 蔡潇雨; 魏佳斯; 赵军; 韩志国; 李源 刊期：2017年第12期
介绍了纳米几何量量值传递中纳米标准样版的计量与溯源特性。分析了微纳米测量仪器在纳米标准样版几何参量校准中对标准样版循迹结构的具体需求。设计了标准值为60 nm,具有可循迹结构的纳米台阶标准样版。为了实现高精度、溯源性表征,基于计量型纳米测量仪（NMM）,结合多种定位测量方法,对加工的纳米台阶标准样版进行测量与评价,并对其开展区域...
作者：韩丽楠; 刘玉岭; 王辰伟; 张文倩; 张凯; 杜义琛; 付蕾 刊期：2017年第12期
Ru作为14 nm及以下技术节点的铜互连极大规模集成电路（GLSI）的新型阻挡层材料,在化学机械平坦化（CMP）工艺中易与Cu发生电偶腐蚀,影响器件的稳定性。采用动电位扫描的电化学方法表征铜钌表面的电化学反应,进而分析研究KIO4溶液的pH值和浓度对Cu/Ru电偶腐蚀的控制及机理。研究表明：pH值对Ru的腐蚀影响较大,溶液接近中性时,Ru表面会生成一层致...
作者：赵丹; 梁庭; 林立娜; 李鑫; 姚宗; 齐蕾 刊期：2017年第12期
以高纯度铝作为溅射靶材,高纯度氩气作为溅射气体,在低温环境下利用直流磁控溅射设备在硅衬底上成功制备了铝膜。通过单一因素控制法研究了溅射功率、腔室压强和基片转速三个关键因素对铝膜的均匀性、致密性和附着性的影响。采用台阶仪、扫描电子显微镜（SEM）等测试设备以及磷酸腐蚀速率法、胶带法等测试方法对铝膜质量进行了表征与分析,得出了...
作者：张礼; 张保国; 罗超; 刘宜霖; 韩丽楠; 缪玉欣 刊期：2017年第12期
通过电化学工作站对2英寸（1英寸=2.54 cm）n型GaN晶圆进行了研究,结合X62型单面抛光机研究GaN电化学腐蚀与化学机械抛光（CMP）的一致性,并利用原子力显微镜（AFM）检测抛光后晶片的表面形貌。结果表明：采用H_2O_2和NaClO作为氧化剂时,GaN的腐蚀速率与氧化剂的体积分数呈反比,在固定H2O2体积分数的情况下,GaN腐蚀速率呈现酸性溶液优于碱性溶液...
作者：王政杰; 葛正浩; 赵梦凡; 雷静; 常博 刊期：2017年第12期
回顾了用于制造可穿戴电子设备及软机器人的材料及制造工艺。总结了应用于可穿戴电子设备及软机器人制造的各种制造工艺,它们都是将用于实现各功能的元器件通过制造工艺集成在柔性基体或基板中,这些工艺包括新纳米材料技术、转印技术、形状沉积制造和软光刻技术。描述了这些工艺的特点,同时指出它们将朝着三维立体化、标准化及工业化的方向发展...
刊期：2017年第12期
http：//www.ICSICT.com2018年10月31日—11月3日,青岛喜来登黄岛大酒店第十四届IEEE固态和集成电路国际会议（IEEEICSICT,InternationalC onferenceonS oli d-stateandI nte grated CircuitTechnology）将于2018年10月31日至11月3日在青岛召开,本次会议由IEEE北京分会和复旦大学主办,并受到了IEEEEDS及SSCS学会、IET、CIE等国内外多家学术组织...
刊期：2017年第12期
全国半导体设备和材料标准化技术委员会第七届微光刻技术交流会暨微光刻分技术委员会年会于2017年10月25—28日在嘉兴市召开,会议由嘉兴科民电子设备技术有限公司承办。来自全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会的委员和国内外微光刻领域的专家及技术人员约160人参加了本次会议。
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