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InGaN基LED中极化效应对发光特性的影响

作者：刘亚莹; 蒋府龙; 刘梦涵; 方华杰; 高鹏; 陈鹏; 施毅; 张荣; 郑有炓 刊期：2017年第08期

主要利用电致发光的实验手段,研究了极化效应对InGaN基LED器件发光特性的影响。实验中发现,InGaN基LED器件的峰位随注入电流的增加产生了先蓝移后红移的现象,蓝光和绿光LED分别蓝移3 nm和8 nm;而AlGaInP基红光LED器件的峰位仅红移。进一步研究发现,InGaN基LED的外量子效率在注入电流为50 mA处开始剧烈下降,AlGaInP基LED的外量子效率在100 mA处才...

聚硅氮烷旋涂介电材料研究进展

作者：王丹; 张宗波; 王晓峰; 薛锦馨; 徐彩虹 刊期：2017年第08期

聚硅氮烷作为旋涂介电层的基础材料,可通过旋涂法、特定条件下转化来制备SiO2介电层,工艺简单,介电层性能优异,有望克服传统化学气相沉积方法的缺点,在微电子领域具有重要的应用价值。系统总结分析了聚硅氮烷分子结构、基材表面处理方式、聚硅氮烷-二氧化硅转化方法以及旋涂层后处理方法等对所制备介电层性能的影响。发现采用全氢聚硅氮烷（PHPS...

喷墨打印C8-BTBT薄膜中的衬底效应及其OTFT器件

作者：王向华; 顾勋; 张春雨; 李博; 吕申宸 刊期：2017年第08期

以喷墨打印制备的共轭有机小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,分别采用紫外臭氧处理、旋涂聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)薄膜、自组装苯乙基三氯硅烷(PETS)单分子层和苯基三氯硅烷(PTS)单分子层四种衬底修饰方法,分析有机小分子薄膜生长过程中的衬底效应,及其对OTFT器件性能的影响。其中PVP或PET...

用于促黄体生成素快速检测的电化学免疫传感器

作者：孔壮; 王杨; 刘军涛; 罗金平; 金鸿雁; 蔡新霞 刊期：2017年第08期

研制了一种用于促黄体生成素（LH）检测的电化学免疫传感器,实现了促黄体生成素的高灵敏度和快速检测需求。采用纸基免疫传感器作为基底材料,氨基化石墨烯（NH2-G）/硫堇/纳米金复合物修饰的丝网印刷工作电极（SPWE）作为检测系统的工作电极。该免疫传感器的检测原理是:电化学物质硫堇通过电极表面氧化还原反应产生电化学电流,抗原抗体的特异性...

一种MEMS陀螺仪温度漂移误差补偿方法

作者：李文豪; 李杰; 杨文卿; 刘一鸣 刊期：2017年第08期

为了降低温度对MEMS陀螺仪测量的影响,提高自制惯性测量系统的测量精度,研究了三轴MEMS陀螺仪的零偏、比例因子、安装误差等参数受温度影响的特性,建立了带有温度参数的三轴MEMS陀螺仪误差模型。在该模型的基础上进行了全温区(-20~60℃)的温变实验,拟合出三轴MEMS陀螺仪各个参数与温度的关系,确定了模型中的相关参数,并通过此模型对不同温度下的...

直流辉光放电对石墨烯氮掺杂的制备与特性

作者：程嵩; 卢维尔; 王桐; 夏洋; 李楠 刊期：2017年第08期

在原子层沉积(ALD)的腔室内,采用直流辉光放电技术,以N2等离子体作为掺杂源制备了氮掺杂石墨烯,考察了电场方向和掺杂时间对石墨烯的掺杂特性影响。喇曼光谱和高分辨率X射线光电子能谱(XPS)测试表明,随着掺杂时间的延长,氮的掺杂量逐渐提高,并且负电场较正电场具有更高的掺杂效率,在-800 V电场、N2等离子体掺杂2 h的条件下,石墨烯中氮与碳的原子...

中国电子科技集团公司第十三研究所激光器产品推介

刊期：2017年第08期

基于SEM图像的自动对焦技术

作者：韩邦强; 宗明成 刊期：2017年第08期

针对扫描电子显微镜(SEM)自动对焦技术对噪声敏感,计算量大,从而影响SEM自动对焦的准确性和实时性,提出一种基于SEM图像的自动对焦技术。该技术采用基于拉普拉斯高斯算子和局部方差相结合的对焦评价函数FGLOG描述SEM的对焦状态;采用显著区提取和凸包法相结合的方法,自动提取SEM图像感兴趣区域(ROI)。实验结果表明,与5种典型的对焦评价函数对比,...

多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制

作者：唐继英; 刘玉岭; 王辰伟; 洪姣 刊期：2017年第08期

有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除BTA起主要作用,FA/O表面活性剂不仅能抑制腐蚀而且促进了BTA的去除。通过接触角测量、扫描电镜(SEM)、金相显微...

一种改进的穿硅电容三维互连技术

作者：刘松; 单光宝 刊期：2017年第08期

针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TSC互连电容耦合特性,结合传统收发电路与HSPICE仿真验证TSC互连在高频信号传输应用中的可行性。分析与仿真结果...

石墨烯湿法转移过程工艺优化

作者：吴玉玲; 毕瑞可; 张杰; 吴长青; 张为中; 郭航 刊期：2017年第08期

石墨烯的转移过程决定着石墨烯的品质,进而对石墨烯基器件的性能有重要的影响。针对化学气相沉积(CVD)法生长的石墨烯在湿法转移过程中存在的问题,在常规湿法转移的基础上进行了优化研究。实验结果表明:基体背面石墨烯的刻蚀工艺可以有效解决铜箔残留问题;采用二次涂胶工艺可以大幅降低石墨烯的裂痕破洞密度;超声波处理有效提升了石墨烯表面残胶...

深度等离子体反应刻蚀技术制备擒纵机构

作者：叶伟; 崔立堃; 王旭飞; 方坤 刊期：2017年第08期

采用磁控溅射法在单晶硅基片上制备铝膜,并结合光刻技术将擒纵机构图形转移到铝膜。利用铝膜不与刻蚀气体反应的特性,将其取代光刻胶作为深度等离子体反应刻蚀制备擒纵机构时硅基片的掩蔽层,并且采用干氧的方法在擒纵机构表面生成一层SiO2薄膜。详细研究了深度等离子体反应刻蚀的刻蚀宽度对擒纵机构的影响,并对擒纵机构表面进行了详细的SEM分析...

镀Ni超细孔径多孔阳极氧化铝模板的合成和特性

作者：张敬晶; 赵瑞斌; 刘磊; 张惠敏; 张晶; 乔丽华; 郝晨汝; 李静 刊期：2017年第08期

采用电沉积法制备的镀Ni超细孔径(5 nm)的多孔阳极氧化铝(PAA)薄膜系列,显示出鲜艳而多样的结构色。Ni沉积在超细孔径的多孔阳极氧化铝(UPAA)模板的表面上,形成了孔隙率很大的网状镀层。Ni层是由疏松的纳米点组成。这些纳米点平均长度约为46 nm,纵横比小于2。Ni纳米点吸收和散射了来自UPAA-Al界面反射的自然光,从而提高了UPAA模板的结构色饱和度...

征稿通知 第12届国际专用集成电路会议

刊期：2017年第08期