杂志简介:《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准,自1964年创刊,国内刊号为13-1314/TN,是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊,致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备
作者:陈亚男; 张烨; 郁万成; 龚猛; 杨霏; 刘瑞; 王嘉铭; 李玲; 金鹏; 王占国 刊期:2017年第04期
简述了金刚石半导体材料的主要制备方法,以及掺杂技术及其在器件制备中应用的研究现状。重点介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备高质量金刚石的优势以及在生长速率、晶体尺寸和晶体质量等方面的研究进展及阻碍因素,并探讨了实现金刚石大尺寸高质量生长的方法。通过对金刚石进行掺杂,可使其呈现p型和n型导电。总结了金刚石p型、n型掺...
作者:战俊; 粟雅娟; 罗军; 贾昆鹏; 段宁远; 闫祥宇 刊期:2017年第04期
通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS2FET器件进行了电学特性表征,研制的MoS2FET器件的开关比可达到1.45×10^6,器件的电子载流子场效应迁移率约为1 cm2·V-1·s-1。对等离子增强化学气...
作者:杨博; 白一鸣; 程泰; 吴高; 陈诺夫; 谭占鳌 刊期:2017年第04期
从光电转换原理出发,阐述了全固态量子点太阳电池的一般结构与工作机理,并展示了电池所用材料的能带结构和载流子迁移过程。然后围绕半导体p-n结模型描述了量子点太阳电池的工作特性及重要的性能参数,进而系统地介绍了电池各功能层的常用制备方法。在此基础上,对PbS和Sb2S3两种材料体系的量子点太阳电池的国内外研究进展进行了全面的回顾,从器件...
作者:黄求来; 罗海东 刊期:2017年第04期
为了探究高性能的锂电池负极新型碳基材料,通过高温退火碳包铜纳米颗粒材料制备得到空心碳纳米球,该材料的平均粒径为20 nm,这比其他空心碳球的平均粒径都要小,碳层厚度为1-3 nm,喇曼强度比值为1.06,比表面积为300 m2·g-1。空心碳纳米球作为锂电池负极材料表现出出众的电化学性能,在186 mA·g-1的电流密度下比容量达到400 mA·h·g-1,在不同的电流...
作者:陈猛; 钱坤; 唐军; 刘文耀; 郑永秋 刊期:2017年第04期
提出了一种利用光学谐振腔代替长光纤作为光电振荡器系统延时器件,以提高微波品质因子的方案。此方案中,光子可以在谐振腔中多次循环传播,2英寸(1英寸=2.54 cm)的平面光波导谐振腔,最高可以使系统产生1 923.1 ns的延时、输出频谱宽度为0.52 MHz的微波信号,微波的品质因子达12 077.1,光学谐振腔的延时效果等效于388.7 m长光纤。通过在系统中加...
作者:回海生; 刘建霞; 梁军 刊期:2017年第04期
为了实现对射频微电子机械系统(MEMS)波段威尔金森功分器电路的精确设计和优化,使达到的设计目标满足性能要求,采用先进设计系统(ADS)软件对工作频带为32~36 GHz的RF MEMS功分器进行了建模仿真,并得到初始的电路设计参数。通过使用结合柯西变异的改进的粒子群优化(PSO)算法对RF MEMS功分器的初始电路设计参数进行优化,采用矩阵实验室(MAT...
作者:肖咸盛; 卞玉民 刊期:2017年第04期
基于压阻效应,利用微电子机械系统(MEMS)技术,研制了一种可用于多领域的高g值加速度传感器。加速度传感器采用四端全固支八梁结构,利用力学计算、ANSYS仿真和工艺约束相结合的方法确定了结构参数。通过对压敏电阻的数量、结构和布放位置的分析与设计,进一步减小了加速度传感器的横向灵敏度。采用硅-硅键合与共晶键合相结合工艺制作了圆片级气...
作者:郑柳; 潘艳; 夏经华; 刘瑞; 杨霏 刊期:2017年第04期
在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究。样品中Al离子的注入浓度为3×10^19cm-3,对样品进行首次高温退火工艺后,在不同条件下对样品进行二次退火。退火后对样品进行霍尔测试和二次离子质谱(SIMS)测试。测试结果显示,二次退火工艺有助于进一步提升Al离子在碳化硅中的有效电激活率。在1 850℃下进行3 min首次退火后,1#样品的有...
作者:黄洛俊; 康恒; 程嵩; 李勇滔; 夏洋; 景玉鹏 刊期:2017年第04期
针对传统去离子水和高纯氮气组合的两相流清洗方法对CMOS图像传感器上颗粒污染物清洗良率不足的问题,采用了一种喷嘴式超临界二氧化碳(SSCO2)清洗的方法来清洗CMOS图像传感器。相比传统的水气两相流清洗方法,本方法利用了SSCO2的表面张力小、溶解度高和扩散能力强等优点。实验结果显示,喷嘴式超SSCO2清洗方法对CMOS图像传感器的像素点表面以及...
作者:邢博; 左春柽; 黄风立; 鹿业波; 胡光山; 汤成莉; 张礼兵 刊期:2017年第04期
研究了直流电压对无颗粒纳米银导电墨水在电流体动力(EHD)近场微喷印中喷射行为的影响。结果表明供墨压力和电极间距一定时,随着直流电压增大,喷嘴尖端弯液面拉长,轮廓由曲面先后演变为脉动泰勒锥和稳定泰勒锥状。直流电压过大导致泰勒锥失稳倾斜。在不同弯液面形状下,墨滴喷射方式依次为:脉动微滴落、脉动锥射流、稳定锥射流、多股锥射流。...
作者:史月增; 金雷; 齐海涛; 张丽; 程红娟; 徐永宽 刊期:2017年第04期
通过热力学理论对物理气相传输(PVT)法AlN晶体生长过饱和度进行分析,分别从软件模拟和晶体生长实验对衬底表面的温度分布进行调控,进而控制衬底表面AlN晶体生长的驱动力。理论上,采用Comsol模拟软件对坩埚结构的温度分布进行模拟仿真,模拟结果表明:复合型衬底可以显著改变衬底表面的温度分布,达到改变衬底表面AlN气氛的过饱和度的目的;实验上...
刊期:2017年第04期
第十二届IEEE国际专用集成电路会议(ASICON2017)将于2017年10月25—28日在中国贵阳举行。这次会议旨在为VLSI电路设计者、ASIC用户、系统集成工程师,Ic制造厂商、工艺和器件工程师以及CAD/CAE工具开发者提供一个国际论坛,介绍他们在各自领域获得的最新进步和研发成果。四天的会议将汇集中外著名专家关于VLSI电路、器件、工艺设计与制造等技...
刊期:2017年第04期
微纳电子技术涉及电子、机械、物理、化学、生物、医学、材料、制造、测试等多学科领域,是一门多学科交叉渗透和综合的高新技术,是未来技术更新换代和新兴产业发展的重要基础。为进一步推动我国微纳电子技术的快速发展,为大家提供一个了解国内外微纳电子技术最新发展动态的交流平台,第十届"中国微纳电子技术交流与学术研讨会"定于2017年7月24...