微纳电子技术杂志 北大期刊 统计源期刊

用于毫米波InP HBT建模的HICUM,VBIC和AHBT模型简

作者：蒋盛烽; 刘军 刊期：2016年第11期

选取了HICUM,VBIC和AgilentHBT(AHBT)三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟(InP)异质结双极型晶体管(HBT)器件模型抽取中的特点。HBT模型中的载流子渡越时间方程直接决定模型用于HBT器件截止频率表征精度,进而影响Pin-Pout和IMD3等非线性仿真精度。在HICUM,VBIC和AHBT模型忽略各自衬底寄生网络,保持三类模型本征网络一致的情况下,着重分析...

氧化铟微球的制备及其对异丙醇的气敏特性简

作者：张萌; 孙永娇; 位子涵; 胡杰 刊期：2016年第11期

采用水热法合成了氧化铟（In2O3）微球结构。利用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）表征分析In2O3样品的晶相、元素种类和微观形貌。测试结果表明:合成的In2O3为空心的微球结构,且其平均直径约1μm。同时,制备了基于In2O3的气体传感器,并对异丙醇的气敏特性进行研究。实验结果表明:在最佳工作温度（300℃）条件下,该气体传感器对体积分...

二维硒化钼薄膜的研究进展简

作者：张强; 马锡英 刊期：2016年第11期

少数层MoSe2材料作为一种新型半导体材料,具有较高的光电转换效率。综述了单层或数层MoSe2二维材料的特性,简述了MoSe2二维纳米材料的主要制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积（CVD）法和分子束外延（MBE）法。MoSe2材料可形成直接带隙半导体材料,MoSe2场效应管应用了MoSe2材料良好的电学特性,由于MoSe2材料具有优异的光学特性,因此可用于制...

氧化锌系列薄膜体声波谐振器研制与表征简

作者：段力; 卢学良; 史丽云; 王英; 付学成; 王丹凤; 汪军; 沈勇; 翁昊天; 张亚非 刊期：2016年第11期

研制了一种氧化锌基的固体装配型薄膜体声波谐振器。采用了布拉格反射层为反射基底,以掺镁氧化锌作为压电层,利用MEMS微制造工艺形成了一系列的固体装配型薄膜体声波谐振器。通过优化条件,制备出了具有优良谐振性能的薄膜体声波器件。该谐振器回波损耗可达-20 dB,谐振峰在1.8~2.4 GHz,Q值可达800。利用X射线衍射(XRD)谱研究了MgxZn1-xO压电薄膜...

电磁式振动能量采集器性能的改进简

作者：张振宇; 苏宇锋; 叶志通 刊期：2016年第11期

电磁式振动能量采集器是一种重要的微能源器件。介绍了近年来国内外研究人员提出的具有代表性的电磁式振动能量采集器,按照改善电磁式振动能量采集器输出性能的措施,把相关电磁式振动能量采集器的研究归纳为五类,即改善磁场分布、改进制造方法、优化运动、采用新材料和结构以及复合能量采集器。然后,概述了每类的特点,对每种结构能量采集器的工...

电流体动力学喷印电压控制模式及其应用现状简

作者：张礼兵; 左春柽; 黄风立; 吴婷 刊期：2016年第11期

电流体动力学喷印技术是一种制备微纳米结构与器件的新型技术,该技术在多种功能器件的制备方面受到广泛关注。阐述了电流体动力学喷印技术的研究背景,通过分析得出电压控制问题是电流体动力学喷印技术中的一个重要问题。概述了目前电流体动力学喷印技术的电压控制模式,主要包括直流高压、高压脉冲、直流电压叠加脉冲电压、交流电压和直流电压叠...

基于硅微通道板的CoNiP微米管阵列的磁性简

作者：童新; 连柯楠; 付梦秋; 谭人玮; 赵振杰; 熊大元; 徐少辉; 朱一平; 王连卫 刊期：2016年第11期

利用压差液流法在硅微通道板(MCP)孔道内侧壁上沉积钴镍磷(CoNiP)软磁性材料,制备了钴镍磷微米管阵列。比较了液流沉积与直接水热法沉积两种工艺方法,验证了液流法对于宏多孔硅化学沉积的优化。以不同方式对所得样品进行退火,观察平行和垂直于微米管长轴方向的矫顽力和剩磁比(Mr/Ms),发现垂直于微米管阵列长轴方向的剩磁比明显大于平行于微米管...

对比不同特性蓝宝石抛光液的CMP性能简

作者：闫辰奇; 刘玉岭; 张金; 张文霞; 王辰伟; 何平; 潘国峰; 牛新环 刊期：2016年第11期

比较了两种不同特性蓝宝石抛光液的化学机械平坦化(CMP)性能。在蓝宝石CMP过程中,针对抛光液pH值、硅溶胶磨料粒径以及抛光液中的化学添加剂(如螯合剂和表面活性剂)的作用进行了研究,以比较材料去除速率和表面形貌。分析表明,pH值和磨料粒径是影响蓝宝石材料去除率的主要因素,螯合剂和表面活性剂分别有助于提高蓝宝石的去除速率和降低表面粗糙度...

阳极键合强度对高g加速度传感器输出特性影响简

作者：冯恒振; 秦丽; 石云波; 连树仁; 孙亚楠 刊期：2016年第11期

晶圆键合强度是影响高g MEMS压阻式加速度传感器输出特性的主要因素之一。在200℃,200~800 V条件下完成硅-玻璃阳极键合实验,利用数字拉力机来表征不同参数条件下阳极键合强度,并用Matlab软件对实验数据进行处理,得到键合强度与键合晶圆厚度、键合电压之间的关系曲线;根据键合强度曲线选择最佳阳极键合工艺参数组合,对实验室自研的量程为150 000...

300mm硅晶圆粗抛速率优化简

作者：张文倩; 刘玉岭; 王辰伟; 洪姣; 王娟; 栾晓东 刊期：2016年第11期

针对直径300 mm硅晶圆的粗抛,研究了不同稀释比例的FA/O型硅片粗抛液对硅去除速率的影响,发现按1∶30的体积比稀释时硅片背面去除速率偏低。通过深入分析1∶30的稀释体积比下温度与硅去除速率的关系,对抛光液和工艺进行调整优化,提高了硅片去除速率。优化结果表明,硅晶圆背面和正面抛光的启动温度和最高温度均上升了约1℃,同时5.5 min内背面去除...

微米级台阶高度样块制备中刻蚀工艺的选择简

作者：冯亚南; 李锁印; 韩志国; 许晓青; 赵琳; 梁法国 刊期：2016年第11期

介绍了微米级台阶高度样块的重要作用和国内外研制现状。为了研制出表面质量好的台阶高度标准样块,设计了不同的刻蚀工艺方案。通过对不同刻蚀工艺制作出样块的均匀性、表面粗糙度和平行度进行比较,确定标称高度为2~10μm的样块选用反应离子刻蚀(RIE),标称高度为20~100μm的样块选用深反应离子刻蚀(DRIE)和湿法刻蚀相结合的工艺。为防止样块氧化,...

中国电子科技集团公司第十三研究所激光器产品推介简

刊期：2016年第11期

第一次征文通知 第十三届固态和集成电路技术国际会议简

刊期：2016年第11期