杂志简介：《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准，自1964年创刊，国内刊号为13-1314/TN，是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊，致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备
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作者：谭思昊; 李昱东; 徐烨峰; 闫江 刊期：2016年第09期
全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）器件具有出色的短沟道效应（SCE）控制能力等优势,是22 nm及以下的CMOS技术节点中的有力竞争者。为了研究减薄埋氧层（BOX）厚度对FDSOI器件性能和短沟道效应的影响,并进一步提高FDSOI器件的短沟道效应控制能力,制备了超薄BOX（UTB）FDSOI器件,并同时制备除BOX厚度外其余条件完全相同的145 nm厚BOX FDSOI对比器件。对...
作者：付方彬; 金鹏; 刘雅丽; 龚猛; 吴巨; 王占国 刊期：2016年第09期
简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及电学掺杂等四个方面的研究现状进行了详细总结。详细探讨了目前半导体金刚石材料在大尺寸单晶金刚石衬底制备...
作者：方俊飞; 杨金峰 刊期：2016年第09期
利用聚苯乙烯胶体微球组装的单层胶体晶体阵列作为掩模板,分别采用反应离子刻蚀和等离子体刻蚀工艺在晶体硅表面构造出不同形态的微纳米结构,并研究不同刻蚀方法和不同刻蚀时间对微结构形态的影响作用。利用分光光度计测试得到微结构表面的反射光谱曲线。结果表明,在0.35-1.1μm太阳光有效吸收波段,单晶硅材料微结构表面的反射率显著降低,由于此...
作者：何磊; 殷晨波; 张子立; 杨柳 刊期：2016年第09期
应用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理,并借助Materials Studio软件中Castep模块建立了CO与SnO2薄膜（110）面的吸附模型,最终确定了Pd掺杂的与纯净的SnO2（110）面的最佳吸附位置分别为O2C和Sn5C,吸附能分别为-1.842 5 eV和-0.533 3 eV。在此基础上,通过分析吸附体系电子态密度（DOS）及差分电荷密度的变化,阐明了SnO_2基CO气体传感器敏感...
作者：周围; 郭兴; 张旭; 周琪; 李志东; 王晓辰; 朱远飞; 张思祥 刊期：2016年第09期
综合微流控技术与激光技术,对流体环境中细胞在激光作用下的运动情况进行了受力分析,并对其作用机理进行了研究。首先针对不同物理尺寸的细胞在侧向激光作用下的运动轨迹进行仿真,并根据仿真结果来优化设计芯片的微通道结构,提高其分离效率。同时在制作微流控芯片的过程中,将光纤直接固定在模板上用PDMS进行浇注,这样得到的芯片可以直接将激光引...
作者：柳瑞丛; 刘媛媛; 陈雪; 杨富华 刊期：2016年第09期
微型的、可重复装配的、硅基的微光学实验平台和操作平台对于实现光学分析仪器的微型化具有重要的研究意义。设计制作了一种硅基的微光学平台,它包含有微光学基板和微光学夹持片。首先采用有限元分析软件Comsol对微光学夹持片的关键结构即弹片进行了应力仿真,确定了弹片在被拉伸过程中断裂时的最大位移,而后在此基础上设计了一种微光学基板和几...
作者：张思敏; 程嵩; 卢维尔; 夏洋 刊期：2016年第09期
采用热型原子层沉积（T-ALD）和等离子体增强型原子层沉积（PEALD）技术在蓝宝石衬底上制备ZnO,不采用任何掺杂手段,通过调节生长温度、氧等离子体作用时间等参数,制备了电阻率在6个数量级（10^-3-10^3Ω·cm）范围内变化的ZnO薄膜。采用去离子水作氧源的T-ALD制备的ZnO薄膜载流子浓度高达10^19/cm^3量级,载流子迁移率较高,薄膜电阻率较低,适用于...
作者：杜建功; 海振银; 李艳芳; 崔丹凤 刊期：2016年第09期
以脱脂棉为碳源,氯化锰为前驱物,采用碳辅助法制备了粒径约为65 nm的Mn3O4纳米颗粒。通过透射电镜（TEM）和高倍透射电镜（HRTEM）对制备样品的形貌、粒径及晶面的结构特性进行了分析;通过X射线衍射（XRD）表征,分别对不同煅烧温度（400-600℃）下样品的物相、晶粒度进行了研究,表明500℃为Mn3O4纳米颗粒的最佳制备温度;X射线光电子能谱（XPS）...
作者：高阳; 邹传平; 张德勤; 杨超 刊期：2016年第09期
提出了一种可行的制备超疏水跨尺度微纳结构的方法,该方法基于衍射干涉光刻技术,制备出拥有跨尺度的光刻胶结构阵列。建立衍射干涉光刻模型,采用严格耦合波分析（RCWA）方法对衍射干涉形成的光强分布进行理论分析;通过衍射干涉光刻技术制备出跨尺度微纳光刻胶阵列。最后用ICP-Bosch干法刻蚀工艺,将跨尺度光刻胶结构转移到硅基底上,制备出高深宽...
作者：潘柏臣; 张保国; 赵帅; 周朝旭 刊期：2016年第09期
对锗和锗化硅材料应用及发展前景进行了简单介绍。主要论述了在14 nm技术节点以下应用于pMOS晶体管沟道材料的锗的化学机械抛光（CMP）技术的发展现状,如抛光液组分的优化以及工艺参数的革新,经过CMP后,Ge的表面粗糙度可以有效降低到0.175 nm（10μm×10μm）。此外对在最新技术节点应用于CMOS以及缓冲层的SiGe材料的CMP技术发展现状进行了总结分析...
作者：庞炳远; 闫萍; 刘洪 刊期：2016年第09期
采用区熔工艺对多次真空提纯后的多晶硅进行了n型高阻硅单晶生长。真空提纯时,通过对工艺参数的精确控制,稳步提升了晶体的纯度和电阻率。单晶生长时,对比分析了常规旋转工艺和正反转旋转工艺两种生长方式对单晶径向电阻率分布的影响,并通过计算得到了杂质在单晶径向上的分布规律。分析认为正反转旋转工艺可以精确地控制杂质在单晶径向上的分布...
刊期：2016年第09期
第十三届IEEE固态和集成电路国际会议（International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology,IEEE ICSICT）将于2016年10月25-28日在杭州召开,本次会议由IEEE北京分会和复旦大学主办,并得到了IEEE EDS及SSCS学会、IET和CIE等国内外多家学术组织的支持。
刊期：2016年第09期
第十届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会、第九届中国微纳电子技术交流与学术研讨会于2016年7月27-29日在吉林省吉林市成功召开。来自全国著名高校、各系统研究院所、半导体行业知名企业的专家和学者参加了本次大会。会议由中国半导体行业协会半导体分立器件分会秘书长、
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