杂志简介：《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准，自1964年创刊，国内刊号为13-1314/TN，是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊，致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备
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作者：王宗成 王淑华 刊期：2015年第10期
简单介绍了石墨烯优异的电学特性及主要国家的发展规划。详细论述了石墨烯材料制备技术的发展现状,如SiC外延法和CVD法的优缺点和目前的技术水平,其中SiC外延法生长的石墨烯尺寸达4英寸（1英寸=2.54 cm）,迁移率高;CVD法生长的石墨烯尺寸达30英寸以上,质量好,基本能满足石墨烯器件和电路的应用需求。从RF器件和电路、数字逻辑器件和电路以及THz...
作者：杨修文 王明秋 刊期：2015年第10期
利用黑米、辣椒的植物染料分子及其混合的染料分别敏化了TiO2薄膜电极,制备出太阳能光化学电池。测试发现黑米的染料分子与TiO2膜有相互键合作用,使吸收峰值从568 nm移动到599 nm;黑米、辣椒及其混合时的染料在TiO2膜上的吸收曲线比在乙醇溶液中的吸收曲线平缓;混合染料敏化电池的最大输出功率为1.524 mW,黑米色素和辣椒色素单独敏化电池的最大...
作者：闫共芹 蒋安邦 赵冠林 魏鹏湾 刊期：2015年第10期
通过水热模板法制备得到了In2O3亚微空心球,并研究了其光催化性能和电化学性能。研究发现,空心球由直径为10~20 nm的C-In2O3纳米颗粒聚集而成,其壳层厚度为50 nm左右,表面具有大量的介孔。通过测试紫外光照射下罗丹明B溶液的催化分解,研究了In2O3亚微空心球的光催化性能。研究发现,由于微球所具有的空心结构和介孔结构,使其具有较好的光催化活性...
作者：刘贵亚 张宇 李民权 赵超 罗军 黄成军 刊期：2015年第10期
采用微电子机械加工技术,以简单易加工的传统T型直通道微混合器为基础,提出了由其衍生的3种新型的微器件结构,即T型方波通道、T型方波通道带扩展腔和T＋Y型四通道微混合器。利用有限元方法建立目标模型,系统地研究和比较了这4种微混合器内流体的流动特性和混合效率。研究结果表明,相较于T型直通道微混合器,方波型通道微混合器能有效地产生涡流,...
作者：陈颖慧 张慧 施志贵 屈明山 刊期：2015年第10期
为了提高微电子机械系统（MEMS）器件的成品率和集成度,介绍了一种应用于圆片级封装的硅帽结构。重点介绍了该硅帽结构的设计和加工方法。分析了圆片级封装（WLP）采用侧引线和通孔引线两种方式的优缺点。完成了上大下小的硅通孔结构和不同开口面积的通孔引线实验。采用电感耦合等离子（ICP）干法刻蚀获得了高深宽比、高陡直度的硅通孔。采用光...
作者：崔建利 段俊萍 赵龙 张斌珍 刊期：2015年第10期
利用UV-LIGA技术制作毫米波腔体滤波器SU-8主模结构,通过聚二甲基硅氧烷（PDMS）对所制作的SU-8主模结构进行一次复制,得到多个相同的负模结构,将负模结构浸泡在羟丙基甲基纤维素（HPMC）溶液中进行表面防粘处理。处理后,使用PDMS-PDMS软光刻技术和NOA73紫外固化技术进行二次复制,得到PDMS和NOA73材料的毫米波腔体滤波器。对快速复制出的滤波器...
作者：蔡洵 高杨 黄振华 刘海涛 刊期：2015年第10期
为了表征所制备的L波段通孔型AlN薄膜体声波谐振器（FBAR）的性能,使用射频探针台和矢量网络分析仪测得FBAR的S参数,扫频步长为1 MHz;为了避免使用3 dB带宽法计算FBAR Q值产生的较大误差,采用阻抗相位微分法,在ADS软件环境下计算出FBAR的Q值。比较实测的S参数及Mason模型仿真得到的S参数发现：采用低阻硅衬底会使FBAR的Q值降低;制备的FBAR中膜层...
作者：安卫静 周建伟 王帅 武鹏 王娟 王辰伟 段波 刊期：2015年第10期
在工作压力为2 psi（1 psi=6 894.76 Pa）、抛光头转速为60 r/min、抛光盘转速为65 r/min、流量为150 mL/min的条件下,对3英寸（1英寸=2.54 cm）的Ru和Cu进行化学机械抛光实验,研究了氧化剂和FA/O螯合剂对Ru化学机械抛光速率以及对Cu和Ru的速率选择比的影响。实验结果表明：KIO4的使用可以大大提高Ru的去除速率,并且当KIO4的浓度为0.02 mol/L,FA...
作者：栾晓东 刘玉岭 王辰伟 高娇娇 张文倩 刊期：2015年第10期
介绍了一种不含腐蚀抑制剂苯并三氮唑（BTA）和氧化剂的弱碱性阻挡层抛光液。通过测量抛光液的pH值、Zeta电位、黏度、粒径大小及粒径分布随放置时间的变化来研究抛光液的稳定性;该抛光液与商业阻挡层抛光液进行比较,通过测试抛光后的晶圆表面状态,发现该抛光液有利于化学机械抛光（CMP）后清洗;在E460E机台上研究抛光液中各种成分（磨料、FA/O...
作者：庞炳远 闫萍 刘洪 刊期：2015年第10期
采用真空提纯工艺对棒状多晶硅原料进行了区熔（FZ）提纯,之后对提纯后的多晶硅进行单晶生长。通过检测每次提纯后的多晶硅和最终生长成的硅单晶的电阻率变化,得到了真空提纯工艺对电阻率变化的影响规律。之后,通过计算得到了原料中主要杂质磷杂质在每次真空提纯后的去除量,并讨论了磷杂质去除量对材料导电类型的影响。分析认为真空提纯工艺具有...
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