微纳电子技术

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Micronanoelectronic Technology

杂志简介：《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准，自1964年创刊，国内刊号为13-1314/TN，是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊，致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备

主管单位：中国电子科技集团公司

主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所

国际刊号：1671-4776

国内刊号：13-1314/TN

全年订价：¥ 244.00

创刊时间：1964

所属类别：科技类

发行周期：月刊

发行地区：河北

出版语言：中文

预计审稿时间：1-3个月

综合影响因子：0.44

复合影响因子：0.45

总发文量：1755

总被引量：5170

H指数：19

引用半衰期：4.2639

立即指数：0.0139

期刊他引率：0.9041

平均引文率：16.2222

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三维晶体管和后CMOS器件的进展

作者：赵正平刊期：2014年第01期

2012年当量产的集成电路的特征尺寸进入22nm时，三维晶体管新结构成为纳电子发展的主流，标志纳电子学的发展由应力si时代进入三维晶体管时代。介绍了多栅晶体管的发展过程，包括双栅、鳍栅、Pi型栅、Ω型栅、三栅和环形栅等FET关键技术的突破和由于栅极控制沟道电子能力增加而导致的器件性能的改善。同时，还介绍了后CMOS器件的新进展，包含InGa...
基于量子元胞自动机的模可变计数器设计

作者：崔焕卿蔡理张明亮杨晓阔陈祥叶汪志春刊期：2014年第01期

模可变计数器是一种功能丰富、灵活性很强的时序逻辑电路。基于一种二维纳米尺度计算范例量子元胞自动机（QCA）设计了一种2位模可变计数器单元电路，该计数器由2个JK触发器和5个基本逻辑门构成。采用置零模式设置了计数器的初始状态，该方法为解决QCA时序逻辑电路设计中输出端随机初始状态的消除问题提供了一条有效途径。在QCA版图设计过程中，...
玻璃衬底多晶硅薄膜太阳电池

作者：吴波王伟杨魏相飞刊期：2014年第01期

玻璃衬底多晶硅薄膜太阳电池因具有成本低廉、转换效率高以及性能稳定等优点引起了人们的广泛关注。详细阐述了玻璃衬底多晶硅薄膜太阳电池的两种典型结构、基本制备流程及其关键工艺对太阳电池性能的影响，还介绍了玻璃衬底制备多晶硅薄膜的直接制备技术、固相晶化技术、液相晶化技术和籽晶层技术以及玻璃衬底多晶硅薄膜太阳电池的研究现状。由...
RRAM的氧空位与金属细丝机制SPM的比较

作者：李丛飞傅兴华李良荣赵海臣刊期：2014年第01期

应用扫描探针显微镜（sPM）技术实现了氧化物阻变薄膜局部区域高低阻态的互相转变。通过电激励、编程和擦除等操作，控制细丝的产生和断裂，实现了阻变薄膜局域的重复编程／擦除操作。用该方法分别研究了氧空位机制与金属导电细丝机制的氧化物薄膜的阻变特性，对两种机制做了对比研究。结果表明：在阻变存储器（RRAM）中氧空位机制在导电细丝和...
PVK／Alq3复合薄膜的磁电阻效应

作者：杨甜甜刘昊胡权王伟刊期：2014年第01期

使用匀胶法在ITO衬底上制备不同质量配比的聚乙烯基咔唑（PVK）／8-羟基喹啉铝（Alq3）复合薄膜，分别利用AFM和四探针法测量分析薄膜的成膜性能、表面形貌与低磁场强度电阻特性，研究分析在磁场下有机薄膜电阻效应的机理。研究发现PVK和Alq3的质量配比为4：1时，PVK／Alq3材料成膜性好，薄膜表面均匀，电阻变化率达到-30．58％。分析其机理是外...
零偏4H—SiC衬底的同质外延方法

作者：孙哲吕红亮王悦湖贾仁需汤晓燕张玉明张义门杨霏钮应喜刊期：2014年第01期

基于水平热壁化学气相沉积（CVD）技术，采用原位刻蚀方法，在3英寸（1英寸=2．54cm）（0001）Si面零偏4H—SiC衬底上生长了高质量的同质外延层，并对其主要工艺参数和生长机制进行了探讨。利用微分干涉相差显微镜、喇曼散射及湿法腐蚀等表征手法对样品进行了测试分析。测量结果表明，4H—SiC占整个外延表面积的99％以上，此外，该工艺消除了4H...
适用于微加工工艺的纳米多孔铜制备方法

作者：岳恒张丛春李建华杨卓青汪红丁桂甫赵小林刊期：2014年第01期

主要研究了一种适用于微加工工艺的纳米多孔铜（NPC）制备方法。采用酸性柠檬酸铜锌电镀体系制备出Cu68Zn32前驱合金，通过改变前驱合金在盐酸中去合金的时间可以对NPC的微观形貌及孔径分布进行有效控制。研究结果表明，在0．05mol／L的盐酸中腐蚀6h后制备的NPC孔径为80～120nm，而系带尺寸为20～40nm，利用BET法测得其比表面积为8．12m2／g。另...
ZnO缓冲层的厚度对HVPE—GaN外延层的影响

作者：王晓翠杨瑞霞王如张嵩任光远刊期：2014年第01期

为了得到高质量的GaN材料，首先在c面蓝宝石（Al2O3）衬底上射频磁控溅射不同厚度的ZnO缓冲层，然后采用氢化物气相外延（HVPE）法在ZnO缓冲层上生长约5．2μm厚的GaN外延层，研究ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层质量的影响。用微分干涉显微镜（DIC）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和光致发光（PL）技术研究分析了GaN外延层的表面形貌、...

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