微纳电子技术

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Micronanoelectronic Technology

杂志简介:《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准,自1964年创刊,国内刊号为13-1314/TN,是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊,致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
国际刊号:1671-4776
国内刊号:13-1314/TN
全年订价:¥ 244.00
创刊时间:1964
所属类别:科技类
发行周期:月刊
发行地区:河北
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.44
复合影响因子:0.45
总发文量:1755
总被引量:5170
H指数:19
引用半衰期:4.2639
立即指数:0.0139
期刊他引率:0.9041
平均引文率:16.2222
  • 切趾体光栅在高功率光束下的衍射特性分析

    作者:王军阵 汪岳峰 白慧君 刊期:2013年第11期

    基于波动方程,采用光束传输法,研究了sinc切趾体布拉格光栅的衍射特性,并验证了该方法的有效性。分析了因温度升高引起的背景折射率的变化对sine切趾体布拉格光栅衍射效率的影响,分析了由高功率导致的sinc切趾体光栅形变对高斯光束衍射后的光强分布的影响。结果表明:光束传输法可以精确求解sinc切趾体光栅的光谱衍射效率,还可以计算经sine...

  • 1000 V 4H—SiC JBS功率二极管元胞

    作者:吴昊 杨霏 于坤山 刊期:2013年第11期

    主要介绍了4H—SiC结势垒肖特基(JBS)功率二极管元胞的设计、仿真和制造,得到了JBS器件有源区相间的P+型岛的宽度和间距等关键参数与器件电学特性的关系,比较了JBS功率二极管与肖特基二极管(SBD)的正向特性和反向漏电流特性。在较大的正向电压下,JBS功率二极管的P型岛的空穴电流可以穿过P型接触区发生空穴注入。与SBD相比,JBS功率二极...

  • 用于铁电BaTiO3薄膜的Ta2O5隔离埋层

    作者:张安邦 祁小四 邓朝勇 刊期:2013年第11期

    BaTiO3薄膜的铁电性通常会受到界面效应的影响而衰减。提出了使用Ta2O5作为隔离层能够有效抑制界面效应。利用脉冲激光沉积技术,在(100)晶向的SrTiO3衬底上成功制备了BaTiO3/Ta2O5/SrRuO。三层复合薄膜结构。样品的XRD结果表明所得到的薄膜为四角结构的BaTiO3,样品的三层膜结构能够在场发射扫描电镜(FESEM)中清楚观察到。实验所测的电滞...

  • SnO2纳米结构的制备及发光特性

    作者:王宇 李玉国 方香 刘永峰 刊期:2013年第11期

    以Sn为源,在恒温1000℃条件下,利用碳热蒸发方式,选取不同的退火时间,在溅射Au膜的Si衬底上生长出不同形貌的SnO2纳米结构。采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)对纳米结构进行表征,结果表明,Si衬底上生长的是具有金红石结构的SnO2纳米结构,此外用光致发光(PL)对样品进行测试,研究其发光特性,发现397nm的发光峰...

  • 被动式微流控混合器的研究进展

    作者:陈雪叶 李铁川 刊期:2013年第11期

    微流控混合器是微流控芯片的重要组成部分,是完成微量样品快速混合的一个功能部件。综述了国内外微流控混合器的最新研究进展,论述了微流控混合器的混合机理、设计方法、制作工艺、材料选择及应用等。微流控混合器分为主动式微流控混合器和被动式微流控混合器。主动式微流控混合器主要依靠外部力源实现微量样品的混合,如磁致微流控混合器、电...

  • 微型振动能量收集器的研究现状及发展趋势

    作者:陈文艺 孟爱华 刘成龙 刊期:2013年第11期

    综述了最近几年国内外微型振动能量收集器的研究状况,重点介绍了被广泛应用的压电式振动能量收集器和电磁式振动能量收集器,简要阐明微型振动能量收集器实现大规模商业化产品的可能性。根据微型振动能量收集器的工作方式和结构特点对其进行了分类,并且分别列举出了各种类型能量收集器的突出研究成果,详细介绍了各种类型振动能量收集器的基本...

  • 紫外纳米压印OLED衬底微结构的模板制备

    作者:李阳 徐维 王忆 陈奎 朱铭佳 潘雅雯 梁景生 刊期:2013年第11期

    采用紫外纳米压印工艺,在有机发光二极管(0LED)衬底上制备三维立体微结构,可以有效提高器件的出光效率,增加器件发光亮度。而有效实施纳米压印工艺的先决条件是纳米压印模板的制备。首先在沉积有金属Cr薄膜阻挡层(厚度为20nm)的石英基片上旋涂一层电子敏感光刻胶,然后通过电子束光刻(EBL)技术进行曝光、显影,在光刻胶上形成三维纳米...

  • 磷酸作为pH调节剂在阻挡层抛光过程中的应用

    作者:高娇娇 刘玉岭 王辰伟 曹阳 陈蕊 蔡婷 刊期:2013年第11期

    通过大量实验,研究了一种Ta高去除速率下的高选择性阻挡层抛光液,实现对碟形坑的有效修正以及表面粗糙度的有效降低。采用磷酸作为PH调节剂,改变pH值考察Ta和Cu选择性的变化规律,进而选取Ta高去除速率下的高选择性阻挡层抛光液。通过XP一300台阶仪及原子力显微镜等测试手段,表征此抛光液对碟形坑的修正能力及对Cu表面形貌的影响,结果表明...

  • 硼掺杂浓度对金刚石薄膜电极的影响

    作者:郭倩 檀柏梅 高宝红 甄加丽 赵云鹤 刊期:2013年第11期

    金刚石由于其独特的物理和化学性质,使其成为电极材料的首选。通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽片上制备了P型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。通过掺入硼元素在金刚石带隙间引入杂质能级,改变了电极的电学特性,同时硼替位碳原子改变了金刚石的结构。通过原子力显微镜(AFM)和循环伏安法(CV)分析讨论了硼掺杂浓度对BDD电极的表面形貌...

  • TSV Cu CMP碱性抛光液及工艺

    作者:蔡婷 刘玉岭 王辰伟 牛新环 陈蕊 高娇娇 刊期:2013年第11期

    穿透硅通孔(through silicon via,TSV)技术采用铜作为互连材料,晶圆表面沉积了一层厚厚的铜膜,对铜去除速率提出了新要求。从化学机械平坦化(CMP)过程的机理出发,对影响铜去除速率的因素,如磨料、活性剂、氧化剂、螯合剂以及抛光工艺中抛头转速、转盘转速、抛光液流量、工作压力进行了单因素实验和规律分析。通过单因素实验得出,在磨...

  • 厚层硅外延用衬底的边缘处理

    作者:张伟才 赵权 陶术鹤 陈建跃 刊期:2013年第11期

    在厚层硅外延生长过程中,由衬底硅片边缘引起的滑移线是典型的缺陷。研究了硅片的边缘损伤和倒角面幅宽度,研究中发现,适当增大倒角去除量,有助于消除由于单晶滚磨造成的边缘损伤,降低外延生长中滑移线的比例,为获得良好的外延效果,厚层外延衬底的倒角去除量不应低于0.6mm。增大倒角面幅可以增大外延生长的边缘厚度过渡区,有助于消除“...

  • 产品

    刊期:2013年第11期

    众所周知,某些种类的纸张因具有较好的吸收液体能力而被制作成一些日常生活所需产品,如纸巾。但通过改动底层纤维素纤维网络,刻蚀去除表面“绒毛”和涂覆薄层化学涂料,乔治亚理工学院的研究人员开发出了一种排斥多种液体(包括水和油)的新型纸张。其利用了所谓的“荷叶效应”,即荷花等植物的叶子表面绒毛形成两个不同尺度的排列形式使叶面...