微纳电子技术杂志 北大期刊 统计源期刊

量子点外延生长新模型（续）

作者：吴巨 刊期：2012年第04期

基于纳米颗粒的铜锌锡硫硒薄膜制备

作者：魏铭孔 杜清扬 刘伟丰 江国顺 朱长飞 刊期：2012年第04期

采用热注入法制备了Cu2ZnSnS4（CZTS）纳米颗粒,并形成高分散、稳定的＂墨水＂,采用滴注方法形成CZTS前驱体薄膜。利用X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Raman）、透射电子显微镜（TEM）和紫外-可见光谱（UV-VIS）对CZTS纳米颗粒的晶体结构、表面形貌和带隙进行了表征。Raman数据显示合成的纳米颗粒为纯的CZTS,不存在ZnS和Cu2SnS3等杂相。傅里叶红外...

掺Cr,Ni对S在Fe（100）面吸附的第一性原理研究

作者：罗强 唐斌 张智 张强 施太和 冉曾令 刊期：2012年第04期

基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理方法,在广义梯度近似下计算了Fe中掺Cr或Ni时S原子在Fe（100）面吸附的结构和电子性质,并计算了其分子轨道和吸附能。结果表明：S原子均是吸附在H位最稳定;纯铁时S在Fe（100）面H位的吸附能为-7.70 eV,掺Ni时S原子在H位的吸附能为-7.35 eV,吸附能的相对变化为4.5%;掺Cr时S原子在H位的吸附能为-5.79 eV,吸附...

长直SiO2纳米线的制备和结构表征

作者：郑学垒 李玉国 彭瑞琴 翟冠楠 张晓森 刊期：2012年第04期

采用磁控溅射法,以Si粉和溅金Si（111）为原料,加入C粉,在Si（111）衬底上制备无定形SiO2纳米线。首先,在Si（111）衬底上分别溅射厚度为18和36 nm的Au。然后,在1 100℃条件下处理80 min。用扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）、傅里叶红外光谱（FTIR）和X射线衍射方法 （XRD）等测试手段对退火后的SiO2纳米线的表面相貌、微观结构...

振动驱动微能源技术研究进展

作者：张亚婷 丑修建 郭涛 熊继军 刊期：2012年第04期

首先介绍了微能源的几种类型,比较了不同类型微能源的优缺点。振动式微能源具有体积小、重量轻、能量密度高、寿命长、无污染和对环境适应性强等优点,详细描述了静电转换型、电磁转换型和压电转换型三种振动驱动微能源技术的原理和特点。系统综述了三种振动驱动微能源技术的国内外研究现状,包括微能源的结构和采集、存储电路。分析了其存在的技...

压电能量收集器件基于有限元仿真比较和研究

作者：朱伦 朱志炜 张卫 吴东平 刊期：2012年第04期

利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构（VING）和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了75 000根纳米线阵列结构和压电悬臂梁结构的输出电压以及单位体积能量输出功率,并指出了其各自的特点。最后...

基于GMR生物传感器的甲胎蛋白检测

作者：刘庆胜 冯洁 郅晓 周勇 刊期：2012年第04期

采用磁控溅射、光刻、离子束刻蚀和剥离工艺等工艺和方法,制备了多层膜结构的巨磁阻（GMR）生物传感器件,并利用此种传感器来检测甲胎蛋白。在传感器表面通过生物处理固定甲胎蛋白单克隆抗体（McAb1）作为探针,以捕获目标抗原———甲胎蛋白。用直径1μm的超顺磁磁珠标记目标抗原。当传感器表面抗体将目标抗原捕获后,磁珠标记即被固定在GMR传感器...

多步退火对（Pb,La）（Zr,Ti）O3反铁电厚膜的影响

作者：杜妙璇 耿文平 丑修建 张文栋 刊期：2012年第04期

采用溶胶-凝胶技术,在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）基底上制备Pb0.97La0.02（Zr0.95Ti0.05）O3反铁电厚膜材料,研究了单步和多步退火工艺对反铁电厚膜结构及电学性能的影响。结果表明：与传统的单步退火方式相比,多步退火工艺制备的反铁电厚膜材料晶粒尺寸较大,结构致密性好,室温下反铁电态更稳定,具有良好的择优取向度（100）、较高的介电常数...

基于介电电泳的微尺度颗粒分离研究进展

作者：刘顺东 张鸿雁 沈萍 崔海航 刊期：2012年第04期

对基于连续型、时变型及与其他力场联用的三类介电电泳颗粒分离技术进行了综述。分析表明,连续型介电电泳的分离效果较好,但形式较为单一,一般为二元或顺序分离;时变型介电电泳则可以结合不同特点的分离形式,提高分离的选择性与灵活性;为了兼顾分离的通量、灵活性与分辨率等要求,与其他形式力场联用则是解决问题的有效途径之一。在此基础上,给出...

碱性条件下铝CMP的机理分析及实验优化

作者：韩丽丽 刘玉岭 牛新环 刊期：2012年第04期

依据铝的电化学腐蚀特性,阐明了碱性条件下铝化学机械抛光（CMP）的机理。由于铝的硬度较低,在抛光过程中容易产生微划伤等缺陷,因此首先探索出适宜铝化学机械抛光的低压条件（4 psi,1 psi=6.895 kPa）。此外,提出两步抛光的方法,在抛光初期采用压力4 psi,抛光液由质量分数为40%的纳米级硅溶胶与去离子水（DIW）以体积比1∶1配制,氧化剂（H2O2）...