杂志简介：《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准，自1964年创刊，国内刊号为13-1314/TN，是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊，致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备
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作者：袁明文 刊期：2010年第10期
综述了石墨烯晶体的能带结构和独特的电子性质,如双极性电场效应、单双层石墨烯效应、衬底效应、石墨烯纳米带（GNR）带隙等特殊效应的研究现状。介绍了石墨剥落技术、外延生长和化学气相淀积（CVD）等石墨烯材料的制备以及表征方法。列举了石墨烯在电子、显示、太阳电池、传感器和氢存储等方面的应用,如在石墨烯场效应管、石墨烯纳米带场效应管...
作者：郭维廉 牛萍娟 李晓云 谷晓 何庆国 刊期：2010年第10期
太赫兹波是振荡频率在100GHz～10THz范围的电磁波,利用共振隧穿器件高频高速的特点,适宜制作此波段的振荡源器件。指出与其他类型的太赫兹源器件相比,共振隧穿型太赫兹波源器件具有体积小、重量轻、便于与控制电路集成以及易于进行调制等特点;此外,还适宜用Si透镜进行功率合成,增大其总发射功率。给出几种重要太赫兹共振隧穿器件的结构、制造工...
作者：尹甲运 刘波 王晶晶 周瑞 李佳 敦少博 冯志红 刊期：2010年第10期
通过改变AlN形核层的生长温度分别在Si（111）衬底上生长了两个GaN样品,并对GaN外延材料表面的六角形缺陷进行了分析研究。通过显微镜和扫描电镜（SEM）观测发现,AlN形核层在高温下生长时,GaN材料表面会产生大量六角形缺陷。通过电子能谱（EDS）分析得出GaN六角形缺陷中含有大量的Si元素以及少量的Ga和Al元素,其中Si元素从Si衬底中高温扩散而来...
作者：成传品 邓永和 戴雄英 肖刚 刊期：2010年第10期
采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）基片上淀积了Bi3.5Yb0.5Ti3O12（BYT）铁电薄膜,研究了在不同退火温度下形成的BYT薄膜的微观结构以及铁电性能方面的区别。结果发现,在610,660,710和760℃不同温度下退火的BYT薄膜的结晶度不同,退火温度越高的BYT薄膜,其结晶度越高。并且发现,BYT薄膜的剩余极化值（2Pr）在710℃以下随...
作者：张嵩 杨瑞霞 徐永宽 李强 刊期：2010年第10期
在自制的立式氢化物气相外延（HVPE）系统炉中,一定温度下通入一定流量的NH3使GaAs（111）衬底氮化一层GaN薄膜,以防止高温外延生长GaN时GaAs分解,进而提高了之后GaN外延生长的晶体质量。实验主要通过XRD检测氮化层的质量,研究了氮化温度和时间对氮化层的影响。实验发现,氮化温度过高会使GaAs表面分解,氮化层为多晶。氮化时间过短,氮化层致密性...
作者：毋正伟 陈德勇 夏善红 刊期：2010年第10期
在采用Si-玻璃阳极键合技术制备微惯性传感器的过程中,实验发现键合圆片中心区域键合失效。通过对键合机理和工艺过程进行分析,认为湿法腐蚀工艺引入钾离子（K＋）污染是造成键合失效的主要原因,也可以对键合失效现象给出合理的解释。改变工艺参数进行了键合对比实验,结果表明,未受K＋污染的键合圆片没有发生键合失效现象。提出了解决键合失效问...
作者：张芹 游炜臻 林耿锐 刊期：2010年第10期
设计并制作了多种二维变形方波微混合器,通过荧光观测及标准偏差数值分析,在低Re数（Re≤13.33）时,考察拐角和单元长度对混合器混合效果的影响。结果表明,集成拐角的混合器存在一个临界Re值1.3,当Re〈1.3时,混合基于分子扩散,拐角大小对混合效率无影响,混合效率保持在28%左右;当Re〉1.3时,可以产生回流,混合效率随着拐角的减小逐渐提高。对于集...
作者：何洪涛 刊期：2010年第10期
苯并环丁烯（BCB）键合技术通过光刻工艺可以直接实现图形化,相对于其他工艺途径具有工艺简单、容易实现图形化的优点。选用4000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘接键合工艺试验,解决了圆片级封装问题,采用该技术成功加工出具有三层结构的圆片级封装某种惯性压阻类传感器。依据标准GJB548A对其进行了剪切强度和检漏测试,测得封装样品漏率小于5×10-...
作者：马平 胡松 周绍林 徐文祥 刊期：2010年第10期
介绍了一种适合高分辨力接近/接触式光刻的新型纳米级光刻对准方法。简要阐述了该对准方法的基本原理,探讨了应用该对准方法的光学结构设计,提出了照明光路与干涉条纹捕获光路的垂直设计,采用单色非曝光光源远心照明方式并外加补偿光路的结构设计。在软件处理方面,提出采用九点四线曲面拟合面阵CCD细分方法及最小二乘曲线拟合定位方法,实现光刻...
作者：杨金波 刘玉岭 刘效岩 胡轶 孙鸣 刊期：2010年第10期
通过一系列实验研究了有机和无机pH值调节剂对Si片抛光速率的影响及其影响机理。使用有机碱调节抛光液的pH值,随着pH值的增大,Si片的CMP速率先增大后减小,pH值为10.85时,Si片的抛光速率最大,为280nm/min;使用无机碱KOH代替有机碱调节抛光液的pH值时,抛光速率随pH值的增加而增大。无论使用何种pH值调节剂,pH值为10～11.5时,纳米SiO2溶胶的粒径能...
作者：李保第 刘福庆 李彦伟 杨中月 胡玲 崔玉兴 付兴昌 刊期：2010年第10期
探讨了在多品种小批量半导体工艺生产线上开发应用CAM技术及实现SPC控制的方法。作者及同事开发了适用于所在工艺线特点的CAM软件系统程序——WI系统,用于工艺的指导和记录、生产的安排和监控以及数据的记录和提取。利用SPC方法对由WI提取的数据进行统计分析处理,做出控制图,对各种工艺异常进行分析判断进而做出工艺调整,以实现有效的工艺监控,...
刊期：2010年第10期
中国微纳电子技术交流与学术研讨会是由中国半导体行业协会分立器件分会、中国电子科技集团公司第十三研究所和《微纳电子技术》杂志社共同主办，合肥锐拓科技信息服务有限公司协办，每年举办一次的全国性行业学术交流会议。
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