杂志简介：《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准，自1964年创刊，国内刊号为13-1314/TN，是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊，致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备
杂志简介：《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准，自1964年创刊，国内刊号为13-1314/TN，是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊，致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备
作者：郭维廉 牛萍娟 李晓云 刘宏伟 谷晓 毛陆虹 张世林 陈燕 王伟 刊期：2010年第08期
在回顾了多值逻辑（MVL）电路的优点、分析了共振隧穿器件（RTD）电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概念,并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向。
作者：陈海明 靳宝善 刊期：2010年第08期
从上世纪末和本世纪初开始,有机半导体材料研究引起了业界的广泛重视,使有机半导体器件的实验室制作水平得到大幅提高,并逐步进入当前的商品发展阶段。概述了有机半导体的发展历程、各种器件结构与特性及其技术现状;介绍了有机发光二极管（OLED）、太阳电池以及其他有机半导体器件的应用概况;探讨了有机半导体优于Si和GaAs等典型无机半导体技术...
作者：刘伟峰 韩艳星 郭明聪 杨永珍 刘旭光 许并社 刊期：2010年第08期
采用光引发聚合方法在经浓HNO3氧化和KH-570硅烷偶联剂处理的碳微球（CMB）表面接枝聚甲基丙烯酸（PMAA）,制得PMAA/CMB复合物。探讨了引发剂偶氮二异丁腈（AIBN）用量对PMAA接枝率的影响以及样品在水和乙醇中的分散性。通过场发射扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱、X射线光电子能谱和热重分析仪对产物进行了形貌和结构表征。结果表明CMB经氧...
作者：陈峰华 张敏刚 柴跃生 张真真 刊期：2010年第08期
Ni-Mn-Ga合金兼有铁磁性和形状记忆效应,有望成为继压电陶瓷和磁致伸缩材料之后的新一代驱动与传感材料。但是由于合金脆性较大,难以切割,限制了其在微机电系统中的应用。系统阐述了薄膜的化学成分、组织结构、相转变、形状记忆效应及其影响因素,指出目前Ni-Mn-Ga合金薄膜研究中,各个元素对性能影响的探索存在不足,制备出的薄膜主要存在磁性能、...
作者：李金龙 赵立新 胡松 周绍林 刊期：2010年第08期
随着光刻机分辨力的提高,其焦深日益缩小。针对如何充分利用有限的焦深完成Si片的高效曝光,对步进扫描光刻机和双工件台光刻机的调平调焦原理进行了介绍,主要包括基于双光栅的检焦测量原理及检焦扫描路径规划,把Si片表面高度信息转化为离焦量和倾斜量等调平数据的算法,以及曝光位置实现调平调焦的伺服控制系统等,并从理论上对两系统的优缺点进行...
作者：高莉彬 李汝冠 蒋书文 李言荣 刊期：2010年第08期
介绍了一种能对铋基焦绿石薄膜进行湿法刻蚀的有效方法,研究了HF,NH4F和HNO3的水溶液对铌酸锌铋（Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7,BZN）和铌酸镁铋（Bi1.5MgNb1.5O7,BMN）两种铋基焦绿石薄膜的刻蚀情况。结果表明,刻蚀配比V（HF）∶m（NH4F）∶V（HNO3）∶V（H2O）为10mL∶3g∶10mL∶10mL时,BZN和BMN薄膜能得到有效刻蚀,刻蚀速率分别为7nm/s和4nm/s,图形刻蚀...
作者：张力江 幺锦强 崔玉兴 付兴昌 刊期：2010年第08期
基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工艺结果造成的影响。分别采用了湿法腐蚀和干法刻蚀的方法制作了器件,结果表明采用湿法腐蚀的方法去除p-i层时,由于腐蚀的各项异性造成的影响无法消除,会影响器件的性能。阐述了影响干法刻蚀的设备因素和工艺因素,讨...
作者：张善伦 来萍 尧彬 刘建 李斌 刊期：2010年第08期
采用在线监测技术对高密度封装IC样品进行温度步进试验、温度循环试验和振动步进试验等高加速应力试验,确定了产品的耐受应力极限,验证了本试验方案和试验监测技术的有效性和可行性。通过失效分析,确定了高加速应力下电路的失效模式和失效机理。结果表明：高密度塑封IC元件在高加速温循应力下比在随机振动应力下失效更为集中,温循试验在-65~165...
作者：方家兴 胡志富 蔡树军 刊期：2010年第08期
随着器件工作频率的升高,以集总元件模型描述大栅宽功率器件引入的误差将越来越大,且这一趋势随着栅长的减小更加显著。对微波大栅宽功率器件的分布性作了初步研究,对传统建模和器件优化方法进行改进,将器件中的有源部分和无源部分分离开,利用微波传输线理论和奇偶模分析对器件的无源部分建模,在满足集总条件时对有源区建模,将两者综合建立了分...
作者：王文君 刊期：2010年第08期
统计过程控制（SPC）技术已广泛用于半导体器件生产,采用SPC技术可以提高半导体器件的质量和可靠性。利用控制图可以监控生产过程状态,对生产中出现的异常及时进行分析、改进,使半导体器件工艺的生产过程处于受控状态。介绍了SPC技术的基本概念和技术控制流程、常规控制图及其分类以及引用的国家标准。给出了目前的工序能力指数（Cp）的控制水平...
刊期：2010年第08期
瑞典科学家在控制生长纳米线研究方面取得了突破性进展，为材料物理学提供了新思路。其纳米线一维电子（NODE）项目获得了欧盟第六框架计划（FP6）约950万欧元的基金。
刊期：2010年第08期
半导体定制时钟解决方案领先供应商Silicon Clocks宣布了一项CMEMS—Zero ThermalTM无源温度补偿技术，使石英晶体失去了竞争力。采用该项专利技术生产的MEMS谐振器温度稳定性可与石英晶体相媲美，并能极大地简化振荡器的设计，降低功率、缩小电路尺寸。Silicon Clocks已开发出了一种完全无源（零功率，无专门的电子电路）的机械温度补偿方法，
刊期：2010年第08期
MEMS技术在图形投影应用领域已经非常成熟。Texas Instruments已率先采用MEMS技术制作数字光处理（DLP）器件，正是由于采用了MEMS技术，所以目前DLP投影仪拥有皮投影仪市场一半以上的分额。几年前，TI才开始着手研究迷你型皮投影仪，该产品体积小巧，可放入口袋或直接连接到手机上。
刊期：2010年第08期
Veeco Instruments公司已为其新款Wyko NT9000光轮廓仪推出了In—MotionTM测量包。该测量包扩展了Veeeo显微镜对微器件，如微电子机械系统（MEMS）的3D测量能力，同时也增强了对样品表面特性（表面特性会随时间而变化）的表征能力。In—Motion系统可以测量所有静态的3D参数，如关键尺寸、缺陷、形状和粗糙度；
刊期：2010年第08期
据Nikkei Microdevices报道，德国弗莱堡大学的微系统技术研究所（IMTEK）已研制出一种金属喷墨印刷方法，其采用了一个星形的MEMS喷嘴。该项研究在第22届IEEE微电子机械系统国际会议（MEMS2009）上进行了报道。该方法采用的喷嘴横截面呈星形，气体由星形周边的突出部位进入喷嘴，
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